DRAM产业竞争力不仅比技术、成本及产品广度,更要比口袋深度,DRAM厂除偿债外,还要不断买新机台设备,来驱动制程技术演进,过去1台机台售价新台币10亿~15亿元,但进入20和10奈米制程世代后,EUV机台价格高达1亿美元(约新台币30亿元)。

韩国三星经过二个季度调整之后,快速拉升市占率,已突破2009年的市占高点,也掀起新一波的争夺战,在三星压倒性的胜利下,台系DRAM产业在明年恐将再度陷入负向循环。

展望未来,威刚表示,因应存储器报价波动剧烈的环境,将持续开发具竞争优势的新产品,并持续调整产品线结构和比重,因应存储器快速波动的风险。除了看好SSD和外接式硬碟盒未来成长性之外,威刚日前也推出电源供应器产品,扩展不同的产品路线。

整个DRAM市场供过于求的情况远比预期严重,市场观察2Gb芯片在破2美元之后,现货市场短期内是否会有止跌的情况出现。且有助于4GB模块跃升为系统厂主流。

台系DRAM厂11月营收两样情,美光(Micron)阵营的南亚科和华亚科50奈米制程大量产出,缓和11月DRAM报价大跌的冲击,而南亚科更成为台系DRAM厂中,唯一营收逆势成长的业者,11月营收较10月增加5%.

据报导,全球第1大DRAM业者三星电子(Samsung Electronics)于2日表示,该公司已开发出1款高速低功耗的DRAM产品,可提升智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)的应用运行速度。这款产品系采用30奈米世代制程

2010年是DRAM产业世代交替年,不但是2Gb芯片要取代1Gb芯片的产品世代交替,制程技术也全数转入50/40奈米制程,逐渐淘汰70/60奈米旧制程技术;不论是产品或是制程技术的世代交替,几乎都是2大韩系DRAM厂三星电子(Samsung Electro

尽管DRAM现货价持续弱势破底,但台塑集团两家DRAM厂南科(2408)、华亚科(3474)在富爸爸的资金奥缓下,持续提升制程至42纳米,在台系厂中最具价格竞争优势,可望减缓明年DRAM价格下跌冲击。买盘回补,今此两档股价双双大涨。

美光(Micron Technology, Inc.)2日发布新闻稿宣布推出ClearNAND系列NAND型闪存(NAND Flash),其在同一个NAND封装中整合错误管理技术(error management techniques),能够减缓NAND制

NAND Flash内存价格止跌反弹,今激励内存模块股全面大涨,威刚(3260)、劲永(6145)率先攻上涨停板锁住,创见(2451)也大涨直奔季线,族群有摆脱低档盘整区现象。

内存模块大厂金士顿(Kingston)和创见分别获得「NOVA 通路理想品牌」的殊荣,其中金士顿获得「系统内存模块」、「记忆卡」、「系统内存模块」和「记忆卡」等4项大奖;创见则获得「行动硬盘」消费者和零售商票选的双料冠军」,而「记忆卡」、「PMP/MP3」

随着盘片记录密度技术提升,最快在2011年底便可有储存容量达4TB的内建硬盘面市,但在产品良率及稳定度等因素考虑下,单碟1TB制程最快要到2012年之后才会取代现有的500GB、750GB。

NAND Flash产业再爆侵权诉讼案,IDT(Integrated Device Technology)控告NAND Flash解决方案大厂群联的控制芯片侵权;群联表示,目前公司尚未接获该诉状,在接获诉状并了解情况后,将会委托律师处理,生产和业务目前完全

美光从34奈米制程开始就在技术上领先三星和东芝,25奈米制程再度获得领先地位,凭借着快速进入25奈米制程,且快速降低成本的实力,美光这两年的市占率也大幅增加,更挤下海力士(Hynix)成为全球第3名,2010年第3季全球市占率晋升至10%。

美光(Micron)在闪存产品和技术蓝图布局上非常积极,目前主流制程为25奈米,但其实从34奈米制程开始,美光NAND Flash技术就开始超越三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba);

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