美光闪存布局

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-03 08:17
美光(Micron)在闪存产品和技术蓝图布局上非常积极,目前主流制程为25奈米,但其实从34奈米制程开始,美光NAND Flash技术就开始超越三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba);2010年初又购并NOR Flash龙头大厂恒忆(Numonyx),加入NOR Flash产品线和相变化内存(Phase-Change Memory;PCM)两项重要产品线。
美光制程技术脚步最快,面对NAND Flash技术微缩上的瓶颈,也极力推广新技术和新产品来克服,日前美光新研发成功的ClearNAND技术产品,即是一例,是藉由NAND Flash芯片封装中结合错误矫正的管理功能,降低管理内存的负担进而减缓传统NAND Flash制程的限制,并延长产品的寿命。
美光第1款ClearNAND产品是采用25奈米制程技术生产,分为标准版和加强版两种,标准版ClearNAND产品容量从8GB~32GB,而加强版的产品容量则从16 GB~64GB,目前两种产品都已开始导入终端应用。
此外,美光对于目前智能型手机内存解决方案eMMC也相当感兴趣,目前已开始出货给品牌手机大厂,预估未来eMMC会是美光在闪存产品上,相当具成长力道的产品之一。

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