美系内存大厂美光(Micron)在NAND Flash技术领域上,以25奈米制程超越三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)两大龙头厂,面对NAND Flash技术的瓶颈期倒数计时,美光再度推出新技术的产品ClearNAND,扩大旗下NAND Flash产品的完整度,其中标准版ClearNAND产品容量从8~32GB,而加强版的产品容量则从16~64GB,可大量应用于服务器、平板计算机(tablet PC)和各式的消费性电子产品上。
美光从34奈米制程开始就在技术上领先三星和东芝,25奈米制程再度获得领先地位,凭借着快速进入25奈米制程,且快速降低成本的实力,美光这两年的市占率也大幅增加,更挤下海力士(Hynix)成为全球第3名,2010年第3季全球市占率晋升至10%。
由于NAND Flash制程技术走到20奈米制程以下,管理技术的挑战度越来越高,因为每bit单位的错误率大幅提升,会降低NAND Flash芯片的效能和稳定度,微缩技术瓶颈逐渐浮现,此情况在10奈米制程以下的挑战会更为严峻。
美光表示,因应NAND Flash制程技术的瓶颈问题,推出1款新产品为ClearNAND,可在NAND Flash芯片封装中结合错误矫正的管理功能,并减缓传统NAND Flash制程微缩瓶颈的限制和挑战。
美光进一步表示,NAND Flash这几年广泛应用于消费性电子产品上,其优势已被市场认可,但眼见制程微缩逐渐走到瓶颈也是事实,成为业界需要面对的问题,ClearNAND的特性目的在于移除这些管理上的负担,延长产品的寿命。
ClearNAND架构原理是利用传统的raw NAND接口,加入新的功能以应付内存高容量的需求和高效能的要求;再者,ClearNAND应用范围包括企业用服务器、平板计算机(tablet PC)、手持式多媒体播放器和各式的消费性电子产品应用。
美光指出,首款ClearNAND产品将是采用25奈米制程的MLC(multi-level cell)型技术,分为两种版本,包括标准版和加强版,标准版ClearNAND与传统的raw NAND相较,仅微幅的更动架构。
标准版ClearNAND产品容量从8~32GB,而加强版的产品容量则从16~64GB,目前标准版和加强版的产品都可开始供应。
不论是平板计算机、低价计算机、高阶的智能型手机或是服务器等,其实对于NAND Flash种类的需求都不同,ClearNAND产品主要的应用范围在于企业或运算应用,同时可以导入最新的25奈米制程,且ClearNAND产品有助于强化美光在NAND Flash产品在线的完整性。