DRAM报价跌跌不休,加上2Gb芯片要取代1Gb芯片登上主流之路,无法避免崩盘式的报价,原本市场预期2Gb芯片会在年底前掼破2美元,届时可望配合2011年大陆农历春节的到临,下游通路商启动补货热潮,但日前2Gb芯片报价重挫的速度似乎提前,日前低价已来到1.9美元,整个DRAM市场供过于求的情况远比预期严重,市场观察2Gb芯片在破2美元之后,现货市场短期内是否会有止跌的情况出现。且有助于4GB模块跃升为系统厂主流。
2Gb芯片取代1Gb芯片的趋势2010年是持续的现在进行式,但以制程技术来看,只有50奈米制程以下才能生产制造2Gb芯片,因此像是三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)2家韩系大厂的制程技术40奈米世代都已量产,2Gb芯片早已是主流年底前更进一步要导入30奈米世代,驱动2Gb芯片的成本持续下降。
以2010年2Gb报价走势来看,其实上半年都还守的很稳,一方面是上半年DRAM市场供需吃紧,因此不论是1Gb或是2Gb芯片报价,都享有一段甜蜜上涨期,但自从进入下半年开始,2Gb报价走势几乎呈现逐月崩盘的走法。
DRAM厂表示,除了是因为下半年个人计算机(PC)市场意外旺季不旺,导致DRAM市场陷入严重的供过于求魔咒外,2Gb报价的快速陨落,也是因为美光(Micron)阵营的50奈米制程开始大量开出。
再者,尔必达(Elpida)的45奈米制程生产的2Gb芯片比重也越来越大,几乎是三星、海力士、美光、尔必达4大DRAM阵营都加入2Gb芯片,倾巢而出的2Gb芯片几乎是压垮整个DRAM市场。
不过,2Gb芯片快速跌价取代1Gb芯片成为主流,有助于系统厂内建内存模块升级至4GB容量。
美光阵营中,南亚科和华亚科2010年上半仍在制程转换,都还是70奈米制程,因此还停留在1Gb芯片世代,下半年成功转进50奈米制程之后,也正式晋身2Gb之列,目前南亚科和华亚科的产出几乎全数都是50奈米制程。
尔必达(Elpida)阵营中的力晶就比较尴尬,目前主流制程仍以63奈米制程为主,只能生产1Gb芯片,虽然目前正大量转进45奈米制程,但预计45奈米制程要量产,也要等到2011年,因此加入2Gb大战的时间点晚了一步。
瑞晶目前是尔必达和力晶在新制程技术上的先锋部队,转进45奈米制程的进度较快,因此已加入2Gb之列,公司内部目标是在年底前,旗下12吋晶圆厂8.5万片的产能全数转进45奈米,推估量产的时间点会是2011年第1季。
业者表示,原本市场认为2Gb芯片会在2010年底或2011年初才会跌破2美元大关,进一步驱动1Gb报价跌破1美元,之后DRAM价格才有机会享有一波触底反弹的涨势,但12月初2Gb芯片修正的速度似乎是又急又快,目前已出现掼破1.9美元的报价,反应上游2Gb芯片产能之庞大。
经过11月这一波报价急跌后,12月似乎还没有止跌的迹象,但2Gb芯片报价的快速下跌,有助于DRAM价格开始摸底部,惟业界认为,仍需要终端需求点火的配合,否则都只是短线的止跌并不足以创造真正的反弹。
DRAM厂认为,较大的希望是2011年初大陆农历春节前的补货行情,届时DRAM报价已相当便宜,加上下游通路商、模块厂已经很长一段时间没有补货,在各方环境和条件的配合下,是最好点燃DRAM报价触底反弹的机会。