年关将届,各家封测厂开始与客户端协商2011年首季代工报价,然情况却不乐观,由于逻辑IC和存储器封测客户皆面临沈重成本压力,要求后段厂能降价且幅度从5%起跳,尤其存储器封测客户砍价毫不手软,要求降幅逼近10%,明显较以往扩大,封测厂为兼顾客户及自身获利,正

存储器封测族群下半年营收表现相对突出。力成11月营收为新台币33.51亿元,较上月微幅增加,创下新高记录。该公司表示,尔必达(Elpida)虽然针对标准型DRAM进行减产,但也持续增加Mobile DRAM的订单,希望12月营收也能够维持11月的水平。

外资券商野村证券对于2011年NAND Flash的需求成长乐观看待,尤其以内嵌式市场的需求最为强劲,预估2011年整体NAND Flash市场将处于供需平衡的状态,其中需求成长幅度将达78%,供给面则增加79.7%,惟ASP将下跌33%,因此产值的成长率

美光表示一些闪存控制器任务将迁移到NAND芯片上,这样控制器制造商就不用做一些他们本不应该做的依赖于芯片的工作。

14日新台币盘中一度升破30元大关,来到29.89元,创下1997年以来的盘中新高,让电子业者看了冷汗直流,虽然尾盘在央行力守下收在30.45元,但电子业者第4季汇损的阴影挥之不去;

台湾长久缺席的快闪记忆体产业终于出现曙光,由于既有NAND Flash技术在20奈米制程以下面临天险..

动态随机存取记忆体(DRAM)市场依然供过于求,12月上旬合约价持续破底,冲击DRAM类股今天股价同步走跌。

顾能(Gartner)昨(13)日最新报告指出,今年全球半导体业营收可望创历史新高,明年持续成长4.6%,但DRAM因价格持续探底,恐成为明年半导体业中,唯一衰退的领域。

据报导,主要DRAM价格接续11月的跌幅,12月再度下跌,外界也相当关注三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部和海力士(Hynix) 2010年第4季营收是否会有恶化情形产生。但南韩业者认为,三星和海力士相较于其他竞争企业,拥有较高

利基型DDR2动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)触底反弹,业者预期有助主流DDR3标准型DRAM跌势趋缓,相关记忆体族群可望接棒,吹起反弹号角。

DRAM合约价持续走跌,根据上周五开出的12月上旬合约价,DDR3 1Gb颗粒报价大跌10.66%,报价介于1.03美元~1.16美元,均价仅1.09美元,1美元关卡可说是岌岌可危,虽然12月上旬跌幅小于11月下旬的13%,但由于累计跌幅惊人,本季合约厂商

NAND Flash大厂东芝(Toshiba)位于日本4座晶圆厂因跳电问题而停工2天,使得NAND Flash现货报价开始止跌反弹,受到下游通路商进场补货激励,16~32Gb容量芯片单日上涨3~4%,有机会让NAND Flash价格暂时回稳,并衔接2011

DRAM 价格持续破底,12月来再下跌逾1成;NAND Flash产品价格则触底回升。业者表示,平板电脑排挤笔记型电脑市场需求,是导致两项记忆体产品市况不同调的主因。

2011年DRAM产业中,虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计画,包括兴建12寸晶圆厂Line-16,以及将现有Line-15升级至35奈米...

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