利基型DDR2动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)触底反弹,业者预期有助主流DDR3标准型DRAM跌势趋缓,相关记忆体族群可望接棒,吹起反弹号角。
法人表示,DRAM及NAND Flash价格破底利空逐渐出尽,产业链全面受惠,从设计商钰创(5351)、晶豪科(3006),晶片厂南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346),以及通路商增你强(3028)、至上(8112),封测厂力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)等,可望摆脱股价低迷颓势,族群整体上演反弹攻势。
根据近期最新报价,1Gb DDR2已由每颗1.26美元弹升到日前的1.44美元;有效测试颗粒(eTT)报价也涨到1.46美元,月初以来涨幅已逾一成。
NAND Flasn和固态硬碟等快闪记忆体等涨势也相当可观,10日单日涨幅在2.6%到4.5%不等。
DRAM业者表示,主流DDR3 DRAM第四季报价仍看跌,随着业者调整产能降低标准型比重、甚至主要大厂如尔必达(Elpida)、力晶(5346)等大厂明年第一季减产效益显现,加上采用英特尔新晶片的笔记型电脑(NB)及桌上型电脑(DT)出始出货下,将逐步触底或是反弹。
非主流规模的利基型记忆体厂和NAND Flash则将率先露出曙光,主因大厂产能移转或部分生产厂产能停顿,加上智慧型手机、3D液晶电视及机上盒应用需求逐步提升,带来向上转折的契机。
法人看好近期整体记忆体族群,在非主流的DDR2领域及NAND Flash因主力大厂东芝跳电产出受阻而同步上涨下,有助冲淡产业淡季,族群也有利空出尽意味。
其中以利基型比重较高的华邦、威刚、劲永、增你强、志远、福懋科、力积,和未来生产成本可望有效降低的南科、华亚科等,短线股价具反弹气势。