东芝(Toshiba Corp.)10日宣布,位于日本三重县(Mie Prefecture)四日市的内存厂产能利用率已于当地时间当天下午3点整回升至接近100%的正常水平。
NAND Flash大厂东芝(Toshiba)位于日本4座晶圆厂因跳电问题而停工2天,使得NAND Flash现货报价开始止跌反弹,受到下游通路商进场补货激励,16~32Gb容量芯片单日上涨3~4%,有机会让NAND Flash价格暂时回稳,并衔接2011年大陆农历春节前补货潮。
东芝晶圆厂发生意外跳电事件,虽然停电时间仅0.07秒,但导致4座晶圆厂停工近2天,过去三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦发生过数次跳电状况,都是以不断电系统(UPS)支应,东芝指出,由于这次电流不稳较预期严重,导致备援系统没派上用场,晶圆厂需要停工。
受此事件影响,NAND Flash现货价开始止跌反弹,主流16~32Gb容量芯片单日上涨3~4%,报价分别为4.26及5.18美元,低容量8Gb芯片和高容量64Gb芯片亦小幅弹升。内存厂认为,由于通路商开始进场补货,推升价格上涨,原本进入12月传统淡季,但跳电事件导致未来2个月供货量减少,有助于NAND Flash价格暂回稳,业者期望能连接2011年大陆农历春节前补货潮,让很久没表现的NAND Flash市场加温。
受到现货价上涨激励,相关NAND Flash模块厂包括威刚(3260)、劲永(6145)、创见(2451)以及控制芯片大厂群联(8299)股价也跟着反弹。业者表示,先前东芝就针对下游客户拼命的塞货,以降低自身的库存,这时候遇到跳电事件,除了免于被塞货之苦外,亦将有助于改善供需状况,同时现在刚好面临传统淡季,即使供货量减少,也不致于会发生短缺的情况。
业者进一步分析,东芝为全球NAND Flash龙头厂之一,市占率约35%,仅次于韩国三星的39%,因此一旦出现产出减少,势必会牵动全球NAND Flash市场,市场预期短线将激励价格反弹,订单也会出现回笼迹象,对于12月营收将带来正面的效应。
多数业者认为,全球NAND Flash厂商积极转进3X奈米,2011年包括三星、东芝、海力士、英特尔等都将有新产能投入,因此2011年NAND Flash的价格仍将持续下跌,跌幅预估高达30%以上,但对于需求面却相当看好,尤其随着智能型手机、平板计算机等内嵌式应用的大幅成长下,将使得MLC产品供不应求,至于TLC产品多应用在随身碟、记忆卡产品,杀价以及供过于求的情况将较为明显。
此外,由于内存模块厂12月营收大多呈现下滑趋势,这一波NAND Flash报价上扬,有助于缩小模块厂12月营收下滑幅度。内存下游厂认为,平板计算机已成为最热门产品之一,各大品牌厂陆续推出新款平板计算机机种,消费者接受度亦升温,有助于刺激NAND Flash使用量。
内存厂指出,过去NAND Flash使用量最大宗是快闪记忆卡、随身碟和MP3播放器等,2010年开始转往智能型手机,以内嵌式内存eMMC为主流,对于NAND Flash产能消化相当可观,但此部分订单都是直接下至三星、东芝、美光(Micron)等大厂。
展望2011年,内存业者认为,下一个NAND Flash消耗量最大应用将是平板计算机,包括内建固态硬盘(SSD)或采内嵌式NAND Flash方式,但台厂是否能吃到此块大饼,将亟待突破障碍。从2011年供给面观察,业者较担心下半年,因为不论是三星12吋新厂Line-16要开始量产,东芝与新帝(SanDisk)合资Fab 5亦加入量产行列,市场胃纳量能否吃得下,届时要看智能型手机、平板计算机应用商机能否持续。