12月上旬DRAM创新低 台厂明年面临挑战

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-14 08:45
动态随机存取记忆体(DRAM)市场依然供过于求,12月上旬合约价持续破底,冲击DRAM类股今天股价同步走跌。
DRAM合约价持续走跌,上周五(10日)开出的12月上旬合约价,DDR3 1Gb颗粒报价大跌10.66%,报价介于1.03美元-1.16美元,均价1.09美元,今年来DDR3 1Gb颗粒合约均价已面临腰斩窘境,跌幅高达51.55%。另外在DDR3 2GB模组也重挫9.09%,均价仅20美元。
虽然12月上旬跌幅小于11月下旬的13%,但由于累计跌幅惊人,使得本季力晶(5346)恐转亏,南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)均将持续亏损。第四季DRAM价格不断破底,并跌破所有台系厂的生产成本。
 
DRAM制造厂表示,系统厂年终进货趋于保守,是导致DRAM产品价格持续破底主因。记忆体模组厂也证实,由于DRAM产品价格持续看跌,将以保守库存策略因应。
随着产品价格持续走跌,恐将冲击DRAM厂营运表现,也加深市场疑虑,包括力晶等DRAM股连袂走跌,表现相对弱势。
预测,在价格持续下跌之下,明年台湾的DRAM厂将进入另一波负向循环,龙头大厂三星经过两个季度的调整,市占率已经从31.3%,向上突破至40%。反观台湾厂商因装机速度不如预期,制程转进速度不如南韩大厂,明年将面临严苛挑战。
统计,设备大厂ASML生产的1950G/Hi机台是跨入50奈米以下的必备机台,目前三星拥有的机台数最为庞大达30台,海力士居次为21台,美光及尔必达分别为15台、13台。

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