DRAM合约价持续走跌,根据上周五开出的12月上旬合约价,DDR3 1Gb颗粒报价大跌10.66%,报价介于1.03美元~1.16美元,均价仅1.09美元,1美元关卡可说是岌岌可危,虽然12月上旬跌幅小于11月下旬的13%,但由于累计跌幅惊人,本季合约厂商将持续缴出亏损财报。
然而DRAM类股似乎出现利空钝化,颗粒厂华亚科上周五盘中亮灯涨停,力晶、华邦电终场上涨2.76%至3.96%,下游模块厂更因为全球第二大NAND型闪存厂东芝(Toshiba)跳电,将影响约20%的产出,激励NAND将进入供需平衡的联想,多文件内存模块股亮灯涨停,类股表现更甚于上游颗粒厂。
然而DRAM价格重挫趋势未变,根据最新开出的12月上旬合约价,DDR3 1Gb颗粒合约价持续下跌10.66%,均价仅1.09美元,续创波段新低纪录,而模块方面,DDR3 2GB模块也重挫9.09%,均价仅20美元,低标报价已经跌破20美元。
根据工研院IEK的预测,在价格持续下跌之下,明年台湾的DRAM厂将进入另一波负向循环,龙头大厂三星经过两个季度的调整,市占率已经从31.3%向上突破达到40%,获得压倒性的胜利,反观台湾厂商因装机速度不如预期,制程转进速度不如南韩大厂,明年将面临严苛挑战,恐怕又会进入亏损、减产、财务恶化的负向循环。
此外,IEK也统计,设备大厂ASML生产的1950G/Hi机台是跨入50奈米以下的必备机台,根据IEK的计算,三星拥有的机台数最为庞大,达30台,海力士居次为21台,美光阵营、尔必达阵营分别为15台、13台。