英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。
该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。
据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。
此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。
潘健成指出,AI的发展一定需要DRAM和NAND Flash,且AI模型规模越大,对存储容量需求也越高。企业投入大量资金购置GPU后,创造收入就会产生数据,即推动存储需求。虽然各大原厂都持续扩充产能,但新增的产能仍远追不上需求成长。预计供需吃紧的状态短期内难以缓解,明年存储缺货情况将比今年更严重。
崔泰源重申,由AI普及引发的存储供应瓶颈预计将持续至2030年。他指出,不仅全球资本正疯狂涌入AI数据中心建设,英伟达即将推出的AI PC架构同样对大容量存储有着刚性需求,这将为存储市场带来长期的增长动力。
三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星计划引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。
据韩媒thebell报道,SK海力士已正式推进在大连二厂(Fab 68)量产采用浮动栅极(FG)结构的200层级中后段NAND Flash,计划从明年下半年开始全面投产,全力抢夺AI数据中心eSSD市场。
如果能够同时实现低成本芯片设计、自主制造、风冷部署和非HBM内存方案,那么英特尔有望在当前AI基础设施成本持续攀升的背景下,切入一个不同于英伟达和AMD的新市场——即大规模AI推理与企业级AI部署市场。从某种意义上说,Crescent Island并不是英特尔挑战英伟达训练GPU的产品,而更像是在AI推理时代,试图重新定义“性价比AI算力”的一次尝试。
Sandisk首席技术官(CTO)兼执行副总裁Alper Ilkbahar日前接受采访时称,全球AI竞赛正变得越来越以存储为中心,而非算力,该趋势或加剧全球史无前例的存储芯片供应紧张局面。
三星电子在公布这项研究成果时强调:“我们已经验证了正常的单元操作特性。”这标志着该技术不仅仅停留在理论堆叠层面,而是已经达到了实际可运行的成熟技术水平。
美光将 1α 制程引入弗吉尼亚州,实际上是为 DDR4 和 LPDDR4 建立了一条专用的本土生产线,从而避免与美光面向 AI 市场的尖端产品争夺晶圆产能。
华为已实现 61.44TB 和 122.88TB 两款大容量 SSD 的量产,并计划在 2U 机架空间内提供最高 4.42PB 的原始容量,未来还将推出 245TB 的版本。
美光HBM4E的开发进展顺利,预计2027年将开始量产。首批实现产能爬坡的将是符合JEDEC标准的标准型产品。此外,美光也在准备满足客户特定需求的定制化(Custom)产品。尽管定制产品的成本高于标准产品,但凭借其性能提升和功能扩展,美光预计市场需求将十分旺盛。
在当前存储成本过高的市场环境下,此次发布的XIAOMI 17 Max主打大屏+8000mAh超长续航作为核心卖点,屏幕、影像等相对于XIAOMI 17均实现全面升级,在存储配置选择上却做了取舍,砍掉1TB大容量版本的同时增设16GB+256GB特殊版本,将Max版定价守在6000元以内。