消息称SK海力士大连二厂明年量产FG结构200+层QLC NAND 

存储器 网络 Andy 2026-06-01 16:32

据韩媒thebell报道,SK海力士已正式推进在大连二厂(Fab 68)量产采用浮动栅极(FG)结构的200层级中后段NAND Flash,计划从明年下半年开始全面投产,全力抢夺AI数据中心eSSD市场。

产能布局时间

2026年第三季度:在大连二厂搭建“One Path”试生产线,用于验证新工艺的稳定性和量产良率。目前相关设备订单已在推进中。

2026年下半年至2027年上半年:主要生产设备将陆续搬入工厂。

2027年下半年:预计正式启动大规模量产。

为何逆势押注“老旧”的FG架构?

在三星、美光、铠侠等绝大多数闪存厂商都转向电荷捕获(CTF)架构,甚至认为FG是“上一代技术”的背景下,SK海力士依然坚持使用FG架构,主要基于以下考量:

更高的数据稳定性:尽管业界曾普遍认为FG架构受限于单元间的干扰效应,难以突破200层堆叠,但SK海力士已成功攻克技术瓶颈。相比CTF架构,FG架构在数据保存稳定性上更具优势,完美契合当前AI数据中心对海量数据稳定存储的严苛需求。

沿用现有产线体系:大连工厂源自收购的英特尔NAND业务,其原有的供应链、设备及工艺体系本就基于FG架构。沿用FG结构可以直接复用这些现有资源,无需承担转向CTF架构所需的巨额设备投资与产线调整成本。

瞄准AI数据中心,同步导入QLC技术

为了进一步面向企业级SSD市场,SK海力士还将同步导入QLC技术。QLC具备极高的数据存储密度和更低的单位成本,被公认为最适合eSSD的NAND结构。

对于大连二工厂的投资计划,SK海力士方面回应称:“目前难以确认相关内容。”

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