美光公布截至2025年11月27日的FY2026Q1财季(2025年9-11月)业绩，该季营收136.4亿美元，环比增长21%，同比增长55%；Non-GAAP下，营业利润64.2亿美元，营业利润率由上季度的35%上升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%，同比大增169%。

FY2026Q1财季(2025年9-11月)美光整体以及旗下所有业务部门均实现了创纪录的营收和显著的利润率增长，并预计FY2026Q2财季(2025年12月-2026年2月)的营收、毛利率、每股收益和自由现金流均将创下历史新高，有望在2026财年之前保持强劲的业务增长。持续强劲的行业需求和供应限制正导致市场状况紧张，美光预计将持续至2026年以后。目前，美光正致力于从现有基础上最大限度地提高生产产出，扩大先进节点的出货，并投资新增洁净室空间以增强供应能力。

数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场，美光FY2026Q1财季为2025年9-11月

具体来看FY2026Q1财季(2025年9-11月)美光DRAM和NAND营收：

DRAM收入108亿美元，环比增长20%，同比增长69%，占总收入的79%。DRAM Bit出货量环比小幅增长，DRAM ASP环比增长约20%。

NAND收入27亿美元，环比、同比均增长22%，占总收入的20%。NAND Bit出货量环比增长中高个位数百分比（5%-9%），NAND ASP环比增长约15%。

来源：美光

美光表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。1000亿美元这一潜在市场规模里程碑预计将比早前的展望提前两年到来。值得注意的是，2028年HBM潜在市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。

美光各事业部具体情况：

Cloud Memory (CMBU)营收创下52.84亿美元纪录，占总收入的39%。在bit出货量增长和价格上涨驱动下，营收环比增长16%；该部门毛利率为66%，环比提升620个基点。

Core Data (CDBU)营收创下23.79亿美元纪录，占总收入的17%。在强劲的bit出货量和价格上涨推动下，营收环比增长51%；该部门毛利率为51%，环比上升990个基点。

Mobile and Client (MCBU)创下营收42.6亿美元纪录，占总收入的31%。受价格上涨驱动，该部门收入环比增长13%，但部分被bit出货量下降所抵消。毛利率为54%，环比提升17个百分点。

Auto and Embedded (AEBU)创下营收17.2亿美元纪录，占总收入的13%；在bit出货量增长和价格上涨驱动下，收入环比增长20%。毛利率为45%，环比提升14个百分点。

产能与资本开支

美光计划增加2026财年的资本支出至约200亿美元，较此前180亿美元的预估有所上调。值得注意的是，2026财年资本支出同比将增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装，以最大化产出能力。

与此同时，美光正投资于全球制造布局，以增加供应来支持长期需求。

• 美光已将首座爱达荷州晶圆厂的时间表提前，目前预计首次晶圆产出将在2027年中期实现，早于先前预估的2027年下半年；美光已宣布建设第二座爱达荷州晶圆厂的计划，该厂将于2026年开工建设，并于2028年底前投产。
• 美光纽约州厂址所需许可的获取方面进展顺利，计划于2026年初在纽约州开工建设首座晶圆厂，预计该厂将从2030年及之后开始提供产能。
• 美光正在日本经济产业省的支持下进行技术与制造投资。美光正与博伊西研发团队协同推进未来DRAM技术迭代，并在广岛晶圆厂增加洁净室空间以支持这些先进制程节点，这将提升生产规模并优化晶圆厂经济效益。
• 美光新加坡HBM先进封装设施按计划将在2027日历年为HBM供应作出重要贡献。随着HBM成为新加坡制造布局的一部分，美光预期NAND与DRAM生产将产生协同效应。
• 美光印度组装测试设施的进展顺利，已启动试产，并将于2026年开始产能爬坡。

截至该财季末，美光库存为82亿美元，环比下降1.5亿美元，库存天数为126天。DRAM的库存天数仍然紧张，低于120天。

数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场，美光FY2026Q1财季为2025年9-11月

技术创新

目前，美光1-gamma DRAM节点进展顺利，将成为其2026年日历年DRAM出货量增长的主要驱动力，并将在该日历年内下半年占据大部分出货份额。另外，1-delta和1-epsilon节点的开发正在进行中，这些节点将具备创新特性，预计这将进一步扩大美光的差异化优势。

NAND方面，美光正推进G9节点的规模化量产，数据中心和客户端SSD均实现了强劲良率爬坡，QLC NAND混合产品(包括G9 QLC)在本季度达到历史新高。随着先进技术向G9节点过渡，G9将成为2026年日历年NAND bit增长的主要驱动力，预计其将在2026财年后成为美光出货量最大的NAND节点。

终端市场

·数据中心

随着世界领先的科技公司向通用人工智能迈进，并改变全球经济，美光表示其客户正在致力于一个非凡的、多年的数据中心建设，正推动对高性能和高容量内存及存储需求的显著增长。

美光预计2025年日历年服务器总出货量增长率将高达17%-19%，高于此前财报电话会议预期的10%。预计2026年服务器存储需求将继续保持强劲。服务器内存和存储容量及性能要求代际持续提升。美光拥有差异化的产品组合，涵盖高价值数据中心解决方案，以满足这些需求，包括HBM、大容量服务器内存解决方案和数据中心SSD。

美光HBM4将在2026日历年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。HBM4在基础逻辑芯片和DRAM核心芯片上采用先进的CMOS和先进金属化工艺技术，这些芯片均由美光自主设计与制造。

美光表示率先在数据中心采用低功耗DRAM，其低功耗(LP)DRAM服务器模块的功耗仅为DDR DRAM服务器模块的三分之一。在此基础上，美光已对192GB LP SOCAMM2产品进行了送样，该产品使单模块容量提升50%，并实现了超过50TB的机架级LPDRAM密度。

数据中心NAND产品组合在本财季收入已超过十亿美元，数据中心SSD产品组合正以强劲势头发展。美光基于G9 NAND推出全球首款PCle Gen6 SSD，该产品包括超大规模云服务商在内的客户认证正在迅速增加。在主流存储领域，基于G9 NAND的SSD已在第一财季展现出强劲需求。在大容量存储领域，基于QLC技术的122TB 和245TB  G9 SSD已进入多家超大规模客户的认证流程。

·PC

美光表示PC市场需求继续由Windows 10生命周期结束和AI PC推动，预计PC销量在2025年日历年度将增长至高个位数百分比，高于上一次财报电话会议中提供的中个位数预期。展望2026年，美光预计上述提及的驱动因素将继续存在，但存储供应限制可能会影响部分PC出货量。美光已完成基于16Gb 1-gamma的DDR5以及基于G9架构PCle Gen4 QLC eSSD的多个OEM认证。

·Mobile

美光保持对2025年日历年智能手机出货量以低个位数百分比增长的预期。人工智能正驱动移动终端设备内存容量持续提升。在2025日历年三季度，搭载12GB DRAM的旗舰机出货占比已上升至59%，达到去年同期水平的两倍以上。美光正加速推进其移动DRAM产品组合的创新，本财季开始向领先的mobile OEM和生态系统合作伙伴送样1-gamma 16GB LPDDR6产品，LPDDR6为端侧人工智能应用提供强劲动力，为旗舰智能手机和AI PC带来超过50%的性能提升和更优能效。同时，美光还完成了1-gamma LP5X 24Gb产品的送样，并开始向多家OEM厂商批量交付此前已发布的1-gamma LP5X 16Gb产品。

·汽车和工业市场

在汽车领域，L2+级和L3级自动驾驶的普及正推动当前车用存储需求的强劲增长，而客户的路线图显示，全自动驾驶车辆的内存容量将显著提升。美光凭借其差异化的产品组合和在汽车市场的重要地位，处于独特的发展位置。美光符合ASIL标准的LPDDR5X和UFS4.1 NAND产品经过专门优化，适用于汽车及先进机器人等领域，具备提升带宽性能等特性，目前已斩获数十亿美元订单。

在工业领域，存储需求持续走强，主要受自动驾驶系统在各类应用中日益普及推动。在工厂自动化、航空航天与国防、人形机器人、边缘网络及视频监控等工业应用中，内存和存储的长期需求趋势依然坚挺。在汽车和工业市场中，LPDDR4X和DDR4同样需求旺盛，美光正在进行投资，以确保位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂能够长期稳定供应。

未来展望

美光预计FY2026Q2财季(2025年12月-2026年2月)营业收入将达183-191亿美元，将再创新高；毛利率落在67%-69%区间。

来源：美光，美光FY2026Q2财季为2025年12月-2026年2月

相较于上一次财报电话会议中的展望，美光目前对2025日历年DRAM与NAND行业bit需求增长的预期进一步上调。美光预计2025日历年DRAM bit需求增长将处于20%出头的区间，此前预期为17%-19%；预计2025日历年NAND bit需求增长约17%-19%，此前预期为约13%-16%。

美光预计2026日历年DRAM与NAND行业bit出货增长将受到行业整体供应能力的制约，预计均将较2025年实现约20%的增长。在此期间，美光正全力支持客户需求，并预计其2026日历年DRAM与NAND bit出货量同比增长约20%。