三星电子宣布任命前 AMD 副总裁John Rayfield为三星奥斯汀研究中心（SARC）及先进计算研究所（ACL）副总裁（SVP），以加强 Exynos 芯片相关技术研发。SARC 和 ACL 隶属于三星奥斯汀半导体，主要从事图形处理器（GPU）、系统设计资产（IP）、系统级芯片（SoC）架构以及汽车相关架构的设计研发。Rayfield的加入，将帮助三星进一步强化 Exynos 平台所采用的 GPU 与系统 IP 能力。

受半导体强劲出货推动，韩国12月前20天出口额达430亿美元，比上年同期增长6.8%，创下历史新高。其中，半导体作为韩国主要出口产品，出口额激增41.8%，领跑整体出口增长。半导体出口额占整体出口总额的27.1%，同比增长6.7个百分点。

高通CEO Cristiano Amon近日表示，高通正在彻底重新设计智能手机架构本身。高通已经为此研发了大约两年，预计将于明年下半年的骁龙峰会上正式发布。

比利时微电子研究中心（IMEC）已成功利用阿斯麦最先进的极紫外光刻（EUV）设备，实现了纳米孔的全晶圆级制造，纳米孔的特性在生物医学领域极具研究价值。阿斯麦公司公关负责人将此称作其公司设备“一项出人意料的卓越生物医学应用”。

三星电子新款Exynos 2600应用处理器相已量产，采用业内首个 2 纳米全环栅 (GAA) 生产技术，将强大的 CPU、NPU 和 GPU 集成到单个紧凑的芯片中，从而提供增强的 AI 和游戏体验。该处理器支持 LPDDR5X 内存和UFS 4.1 存储。与前代产品 Exynos 2500 相比，Exynos 2600的 CPU 性能提升高达 39%，生成式 AI 性能提升高达 113%。预计该芯片将用于即将在2月推出的旗舰智能手机Galaxy S26。

立昂微近日在接受机构调研时称，现有12英寸重掺系列硅片产能爬坡迅速，目前稼动率约80%。公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件，已进入部分存储芯片客户供应链。

日本DNP公司（大日本印刷株式会社）宣布开发出了10nm的NIL纳米压印技术，可将电路图直接印在基板上，该技术可以用于1.4nm工艺的逻辑芯片曝光。具体来说，DNP的10nm纳米压印技术采用SADP自对准双重图案技术，一次曝光+两次图案能够制造成双倍精度的芯片，可以满足先进工艺逻辑芯片的要求，而且功耗优势明显，DNP公司称其能耗只有当前主流工艺的1/10左右。

据日媒报道，台积电计划于2026年夏季左右开始在亚利桑那州安装最先进的芯片制造设备，为2027年开始3纳米制程的生产铺平道路。

SEMI近日表示，预计今年全球半导体制造设备市场的规模将达1330 亿美元，在 2024 年已创历史纪录的水平上进一步提升13.7%。2026、2027两年则分别可达 1450 亿美元和 1560 亿美元。

继摩尔线程之后，国产 GPU 公司沐曦股份于今日上市（股票代码 688802），首日高开 568.83%，报 700 元，收盘829.9元，总市值达3320亿元。

据业界消息，昆仑芯即将完成股改，加速推进冲刺上市的步伐。昆仑芯（北京）科技有限公司前身为百度智能芯片及架构部，于 2021 年 4 月完成独立融资，首轮估值约 130 亿元，专注打造通用人工智能芯片。

据业界消息，谷歌旗下 AI 芯片 TPU 近期需求爆发，为确保下一代产品供应，已将交给联发科的下一代“TPU v7e”芯片订单量翻倍。

英特尔代工官方宣布，其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。与主要用于工艺前期研发的“一代”机型 EXE:5000相比，EXE:5200B 更接近于“量产用设备”：配备了更高功率 / 剂量的 EUV 光源，晶圆吞吐量提升到每小时 175 块；套刻精度提升至 0.7nm；此外通过新的晶圆存储结构提升了整体效果的稳定性。

龙芯中科在投资者关系活动中介绍称，9A1000已经交付流片，后续还有9A2000和9A3000的研发计划。此外，该司软件生态进展包括二进制翻译系统已达到基本可用水平。

日本经济产业大臣赤泽亮正12月12日表示，日本产业技术综合研究所（产综研、AIST）将在北海道千岁市建设一座开放式的尖端半导体研发中心，目标 2029 财年投入使用。该研发中心将与同在千岁市的 Rapidus 晶圆厂形成协同效应，服务于该集群内的半导体产业上下游企业与学术界。如果日本国会通过 2025 财年补充预算，该项目将启动下一代 EUV 光刻机在内的必要设备引进工作。

ASML CEO Christophe Fouquet在接受媒体专访时称，预计High NA EUV 光刻机将于 2027~2028 年正式投入先进制程的大规模量产作业中。目前在导入新一代图案化技术方面最积极的是英特尔，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。

据外媒报道，谷歌正在准备第八代TPU，而且会分为两个版本：一个是专为AI推理设计，TPUv8x“Zebrafish”；另一个则是针对AI训练优化，TPUv8ax“Sunfish”，用于训练Gemini等AI模型。

据知情人士透露，英特尔今年测试了来自一家中国设备供应商美国公司及其子公司的芯片制造设备。被测试的两台“湿法刻蚀”设备用于去除硅片材料，正在评估是否可以用于英特尔最先进的14A芯片制造工艺。该工艺计划在2027年实现初步投产。

据业界消息，台积电正在考虑利用其在日本的第二家工厂生产更先进的4纳米芯片，以应对人工智能相关需求激增。据知情人士透露，从原订的6纳米、7纳米向4纳米制程技术的潜在转型可能会导致该工厂的工期延误和设计变更。

长电科技在投资平台回答投资者提问称，受益于存储市场需求的回升和长电在这一市场领域技术和资源倾斜及前瞻性的布局，今年以来存储相关封测业务持续增长，相关产线产能利用率逐步提升至满产，包含存储在内的运算电子业务收入在1-3季度同比增长接近70%，收入占比超过20%。