SK海力士18日宣布,将基于第五代10纳米级(1b)32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服务器DRAM模块应用于英特尔®至强®6平台(Intel®Xeon®6 platform),业界首次通过了英特尔®数据中心认证(Intel® Data Center Certified)。SK海力士技术团队表示:“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比,推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计,其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”
SEMI近日表示,预计今年全球半导体制造设备市场的规模将达1330 亿美元,在 2024 年已创历史纪录的水平上进一步提升13.7%。2026、2027两年则分别可达 1450 亿美元和 1560 亿美元。
谷歌DeepMind首席执行官Demis Hassabis警告称,AI融资狂潮中存在“泡沫”,尤其是在高估值的早期初创公司中。Hassabis强调,有些AI初创企业“基本上还没开始运营”,却“一上来就获得了数百亿美元的估值”,这种状况可能不可持续。他补充说,人工智能“在短期内被过度炒作”,但“在中长期内仍未得到充分重视”。
据知情人士透露,苹果延续多年的iPhone新品发布规律或将面临重大调整。消息称,苹果明年9月计划仅发布2款高阶Pro机型,以及潜在的首款折叠屏手机,2027年上半年则把标准版与SE整合为一款新品,也就是说,基础款iPhone很可能固定在每年上半年发布,秋季则聚焦Pro机型。据悉这一方案目前正在探讨中。
据外媒报道,据多位直接参与相关工作的知情人士透露,未来两年内,苹果计划大幅扩展其智能手机产品线,到 2027 年秋季,将至少推出七款新机型,较当前的五款 iPhone 显著增加。
继摩尔线程之后,国产 GPU 公司沐曦股份于今日上市(股票代码 688802),首日高开 568.83%,报 700 元,收盘829.9元,总市值达3320亿元。
重庆市人民政府办公厅印发《重庆市推动“人工智能+”行动方案》,其中提出,培育智能消费新产品新业态。鼓励探索AI全新商业模式,发展智能原生技术、产品和服务体系,催生智能原生新业态。推动研发具备多模态交互和意图理解功能的AI手机、AI计算机。推动开发智能冰箱、智能洗护等AI家电,打造全屋智能家电生态。围绕配送、导购等场景推出具身智能机器人解决方案,创新具身智能产品形态和服务模式。推动研发AI眼镜、手表、AR/VR设备等智能穿戴产品。
小米集团合伙人、集团总裁卢伟冰12月17日在2025小米“人车家全生态”合作伙伴大会上宣布,小米未来五年将在研发上投入2000亿元,长期目标是成为全球硬核科技的引领者。具体到今年,预计小米研发投入将达到320亿元至330亿元,2026年预计投入约400亿元。
腾讯混元世界模型1.5(Tencent HY WorldPlay)今日正式发布。混元世界模型1.5(WorldPlay)首次开源了业界最系统、最全面的实时世界模型框架,涵盖数据、训练、流式推理部署等全链路、全环节,并提出了重构记忆力、长上下文蒸馏、基于3D的自回归扩散模型强化学习等算法模块。
据韩媒报道,三星电子存储器事业部DRAM设计团队负责人Son Kyomin近日在演讲中透露,三星计划在年内制定“LPDDR6-PIM”标准,为产品开发奠定基础。目前,三星电子正在开发LPDDR5X-PIM,结合LPDDR5X和PIM技术,带宽高达614 GB/s,是现有LPDDR5X的八倍,并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。
据韩媒报道,三星和三星先进技术研究院发布了其制造尺寸小于 10 纳米 (nm) 的 DRAM 的技术。三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物(InGaO)的晶体管,这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温,从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm,可以与单片 CoP DRAM 架构集成。目前,该技术仍处于研究阶段,未来将应用于10nm以下的0a和0b DRAM。
据业界消息,昆仑芯即将完成股改,加速推进冲刺上市的步伐。昆仑芯(北京)科技有限公司前身为百度智能芯片及架构部,于 2021 年 4 月完成独立融资,首轮估值约 130 亿元,专注打造通用人工智能芯片。
小米集团合伙人、总裁,手机部总裁,小米品牌总经理卢伟冰援引 Omdia 和第三方数据表示,小米手机业务连续 21 个季度位居全球前三,2025 年 1~10 月位居中国市场第二。此外,他表示小米高端手机 2024 年销量达 1300 万台,预计 2025 年高端手机销量 1500 万台。
年终将至,存储厂商在推进现有订单陆续交付的同时,已逐渐与部分大众客户进行新季度的磋商,从近期询单来看,小容量嵌入式eMMC需求相对表现更强,而大容量产品则因价格高昂,部分客户需求转向更低容量方案而使其出货压力更大。从价格上看,嵌入式行情整体平稳,本周eMMC、UFS、LPDDR4X产品价格与上周持平。
近期,行业客户释放出小批量需求,为行业DDR4内存条价格上涨提供动力。SSD方面,部分PC客户已着手明年Q1备货,尽管当前尚在询价阶段,但基于明年一季度资源维持大幅涨价的预期,行业厂商针对相应SSD成品也将紧跟资源价格而调整定价。
内存条(行业市场):DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00,DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 3.33% 至 $62.00,DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 18.18% 至 $130.00。
尽管渠道市场更靠近零售端,过高的价格往往更加容易遭到需求端反噬,但渠道资源价格高企,甚至部分渠道产品已面临倒挂,令相关成品价格居高不下。本周渠道SSD/内存条价格暂时不变。
据CFM闪存市场最新报价,上游资源方面,今日多数Flash Wafer价格上涨,DDR颗粒价格暂时不变。具体来看,
Flash Wafer:1Tb QLC 涨 5.60% 至 $13.20,1Tb TLC 涨 7.69% 至 $14.00,512Gb TLC 涨 5.56% 至 $9.50。
Counterpoint Research最新报告称,受内存芯片短缺推高成本、压缩产能影响,明年全球智能手机出货量或将下滑 2.1%。此外,受电子元器件整体成本上涨 10% 至 25% 的影响,明年全球智能手机平均售价将上涨 6.9%。
据业界消息,谷歌旗下 AI 芯片 TPU 近期需求爆发,为确保下一代产品供应,已将交给联发科的下一代“TPU v7e”芯片订单量翻倍。
宏碁董事长陈俊圣表示,今年第四季价格一定与明年第一季不一样,在新一波订单拉货之后,可能因成本不同而调整报价,但是真正的挑战将在明年第二季,因大家为了想要较低的报价而提前拉货,导致后续的能见度和报价更困难。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 106900 | KRW | -0.93% |
| SK海力士 | 554000 | KRW | +0.54% |
| 铠侠 | 9348 | JPY | +0.52% |
| 美光科技 | 225.520 | USD | -3.01% |
| 西部数据 | 166.260 | USD | -4.76% |
| 闪迪 | 206.830 | USD | -1.18% |
| 南亚科技 | 164.5 | TWD | +4.11% |
| 华邦电子 | 73.9 | TWD | +4.67% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1095 | TWD | +4.78% |
| 慧荣科技 | 84.540 | USD | -1.12% |
| 联芸科技 | 44.83 | CNY | +1.91% |
| 点序 | 68.0 | TWD | +2.56% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 251.28 | CNY | +4.52% |
| 希捷科技 | 277.650 | USD | -3.64% |
| 宜鼎国际 | 503 | TWD | +4.47% |
| 创见资讯 | 180.5 | TWD | +6.18% |
| 威刚科技 | 196.5 | TWD | +9.47% |
| 世迈科技 | 19.670 | USD | -0.10% |
| 朗科科技 | 25.56 | CNY | +1.71% |
| 佰维存储 | 111.07 | CNY | +4.06% |
| 德明利 | 204.38 | CNY | +2.45% |
| 大为股份 | 25.21 | CNY | +3.15% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 51.6 | TWD | +5.85% |
| 力成 | 162.0 | TWD | +4.18% |
| 长电科技 | 35.93 | CNY | +1.55% |
| 日月光 | 228.5 | TWD | -0.22% |
| 通富微电 | 36.29 | CNY | +2.83% |
| 华天科技 | 10.73 | CNY | +1.80% |
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