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声音提醒
14:09

韩媒分析,由于先进封装中介层短缺,三星HBM可能获得英伟达认证。尽管有改设计传言,三星已否认。台积电CoWoS封装产能不足,导致英伟达生产受限,尤其是中介层供应紧张。三星具备自产中介层和HBM封装能力,是唯一提供一站式服务的厂商。英伟达正在评估三星HBM,韩媒预测最终将获认证。

11:55

擎亚科技宣布,公司未来将重点发展内存和晶圆代工业务。擎亚科技强调,作为三星HBM(高带宽内存)产品的代理商,公司在AI服务器需求的爆炸性增长中,该领域的营收占比持续翻倍增加。擎亚科技预计,到2025年,HBM业务将贡献公司20%至25%的营收。同时,集团也在积极转型,基于旗下两家IC设计子公司的订单需求,将进入三星晶圆投片业务,并成为三星全线产品的中国台湾代理商。

09:53

力成科技5月营收65.57亿新台币,环比增0.9%,同比增15.62%,为2020年10月以来最高。公司预计第二季度营收将实现中到高个位数环比增长,第三季度有望继续高个位数增长。受益于手机和AI需求增长,NAND市场需求预计双位数环比增长,数据中心需求和SSD组装业务回升。

公司新产品进展顺利,下半年将带来贡献,2024年成为力成科技重要发展年。作为OSAT中唯一能进行HBM封装的公司,力成科技引进CMP设备,结合HBM堆叠技术,具备HBM Via middle封装能力,正与日本Fabless合作并拓展客户。

09:22

美国存储芯片制造商美光科技正计划在美国建设HBM芯片的测试生产线。美光科技的目标是到2025年将HBM市场份额提升至约20%,与公司在DRAM市场的份额相仿。

目前,HBM芯片市场主要由SK海力士、美光和三星电子占据,其中SK海力士市场份额超过50%,三星占据42.4%。美光和SK海力士已获英伟达批准为H200系列AI芯片生产HBM3E,而三星仍在寻求认证。

2024-06-19
18:42

美光科技正在美国建设HBM芯片的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,以满足AI热潮带来的更多需求。美光最大的HBM生产基地在台湾地区,该基地也正在增加产能。

18:24

近日,北京佰维存储信息技术有限公司成立,法定代表人为何瀚,注册资本3000万元,经营范围包含:集成电路制造;集成电路销售;集成电路设计等。该公司由佰维存储全资持股。

17:27

普冉股份公告称,经初步测算,2024年4-5月实现营收3.38亿元左右,较去年同期增长131%左右。 结合其2024年一季度营收数据计算,截至目前,普冉股份2024年1-5月共实现营收7.43亿元左右,已超过2023年上半年4.69亿元的营收额度。

16:41

据韩媒报道,三星电子存储部门计划在下半将进行大规模重组,外界关注此次重组能否让三星电子在HBM等核心事业重新取得领先地位。

14:38

韩媒 ETNews 援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出,目前通用 DRAM 需求整体萎靡,市场仍呈现供大于求的局面,是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的。

此前有业界声音指出,HBM 内存的增产会挤压到通用 DRAM 的投片量,进而在下半年造成通用 DRAM 供应紧张。但有消息人士认为,根据目前态势,这种情况很难出现:今年前六个月韩系通用 DRAM 产线开工率仅提升了 10%,现有水平上仍有提升空间;同时 DRAM 测试企业收获的订单量也没有出现显著扩大。

11:36

据外媒报道,三星电子、SK海力士、铠侠和西部数据,这四家公司占据了全球NAND闪存市场80%以上的份额,目前正在恢复全产能生产。三星的NAND闪存产能已上升至约70%,而SK海力士正在增加高容量NAND产品,如高容量eSSD的生产。作为全球第三大NAND闪存生产商的西部数据,已将其生产利用率提高至约90%。

09:21

三星计划于2025年推出先进的"SAINT"3D芯片封装服务,为2026年的HBM4内存标准量产做准备。这项技术通过垂直堆叠芯片,提高数据传输速度并减少环境影响。"SAINT"平台将提供三种封装类型,满足SRAM、逻辑和DRAM芯片的需求。预计该技术将与NVIDIA和AMD的AI硬件一同亮相,展现三星在3D封装领域的创新与竞争力。

09:15

美光股价今年累计上涨66%。分析师上调美光目标价,预计其将成为云端运算和AI领域的主要受益者,HBM订单已排至2026年第一季度。SK海力士股价18日上涨逾4%,达到2000年10月以来最高点,市场预期其获利预期将上调。Daol Investment & Securities预计SK海力士第二季度销售额和营业利润将大幅增长,KB证券预测其第二季度营业利润将达到5兆韩元,业绩上升趋势预计将持续至第四季度。

08:49

佰维存储公告,预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为2.8亿元至3.3亿元,上年同期亏损2.96亿元。本期业绩变化主要系行业复苏,公司业务大幅增长。佰维存储Q1净利润为1.68亿元,据此计算,预计Q2净利1.12亿元-1.62亿元。

2024-06-18
17:05

OpenEdge在日本横滨市设立新的营业办事处,并成立法人及研发中心,这是公司全球第四个研发组织。公司计划针对日本市场积极推广其半导体设计资产产品,并在京都研发中心重点开发DDR内存控制器技术。OpenEdge代表李成贤表示,公司将继续在全球范围内扩展研发网络,以加强在全球半导体IP市场的地位。目前,加拿大子公司正专注于DDR PHY IP的研发,而美国子公司则致力于NoC IP的开发。

16:59

三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合,以提高存储芯片的性能和制造效率。

11:37

慧荣科技宣布扩增经营及研发团队,任命徐仁泰博士为演算法与技术研发副总经理、郑道为营运制造副总经理及Tom Sepenzis 为投资人关系(IR)资深协理。徐仁泰负责带领慧荣IP知识产权开发、IC实体设计服务与NAND存储研究部门。郑道升任营运制造副总经理,执掌全球营运制造事务及统管慧荣产品工程、先进制程、封测设计、测试工程、生产营运与品保工程等团队。

11:06

SK海力士股价上涨多达4%,达到2000年10月以来的最高点。市场消息称,SK海力士可能会上调其未来的盈利预期。

10:59

据CFM闪存市场最新报价,Flash Wafer报价维持不变,DDR:DDR4 16Gb eTT 跌 1.49% 至 $2.65,DDR4 8Gb 3200 跌 0.75% 至 $1.33,DDR4 8Gb eTT 跌 0.88% 至 $1.12。本周渠道市场及行业市场SSD、内存条价格与上周持平。

嵌入式存储方面,LPDDR:LPDDR4X 64Gb 跌 2.44% 至 $20.00,LPDDR4X 48Gb 跌 3.33% 至 $14.50,LPDDR4X 32Gb 跌 3.53% 至 $8.20;eMMC:eMMC 8GB 5.1 跌 5.56% 至 $1.70,eMMC 16GB 5.1 跌 8.00% 至 $2.30,eMMC 32GB 5.1 跌 7.55% 至 $2.45,其他产品报价未见波动。

09:20

东芯股份在接受机构调研时透露,鉴于去年代工厂普遍经历了代工费下调,今年公司部分产品线的代工费有提价或上涨的意向。此外,受到存储周期的影响,东芯股份去年存货水平较高。随着市场需求的逐步回暖,公司预计存货规模将有所降低。

09:19

据台媒报道,HBM(高带宽存储器)订单已预订至2025年,且订单能见度可延伸至2026年第一季度。主要供应商SK海力士和美光的2024年HBM产品已提前售罄,2025年订单也接近满载,预计月产能合计约6万片,主要供应给英伟达。然而,HBM对DRAM产能的大量占用预计将逐步推高DDR5的价格。模组厂商预测,DDR5价格将持续上涨,预计年底前可能还有10%至20%的涨幅。但如果DDR5价格过高,可能会减缓市场渗透率的提升速度,影响下游客户的采用意愿。

股市快讯 更新于: 06-21 02:07,数据存在延时

存储原厂
三星电子81600KRW+0.49%
SK海力士237500KRW+1.71%
美光科技145.780USD-5.00%
英特尔30.920USD+0.95%
西部数据77.060USD-3.95%
南亚科72.7TWD+2.83%
华邦电子26.7TWD+1.52%
主控供应商
群联电子624TWD+1.63%
慧荣科技82.780USD-2.47%
美满科技73.930USD+1.08%
点序81.7TWD+4.74%
国科微58.65CNY+0.77%
品牌/模组
江波龙94.45CNY-2.24%
希捷科技103.610USD-1.60%
宜鼎国际308.5TWD+0.33%
创见资讯131TWD-0.38%
威刚科技114TWD+1.33%
世迈科技22.570USD-4.45%
朗科科技22.96CNY-4.57%
佰维存储61.51CNY+1.75%
德明利88.36CNY-2.38%
大为股份10.39CNY-3.08%
封装厂商
华泰电子62.1TWD+2.81%
力成196.5TWD-0.51%
长电科技31.08CNY-2.11%
日月光178TWD-0.56%
通富微电24.09CNY-2.78%
华天科技8.32CNY-1.89%