AMD表示，其最新的 MI350 系列加速器采用三星电子和美光供应HBM3E芯片。

近日，美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana公开表示，DDR4/LPDDR4X停产计划已通过信函通知PC及数据中心等领域客户，未来两到三个季度内，出货量将逐步减少。未来，美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。他进一步表示，未来DDR4将持续保持“严重供不应求”状态。

美光计划将其在美国的投资扩大到约1500亿美元的内存制造和500亿美元的研发投资。作为今天公告的一部分，美光计划在先前计划的基础上再投资300亿美元，其中包括在爱达荷州博伊西建造第二家领先的内存工厂;扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂并对其进行现代化改造。此外，美光宣布计划投资500亿美元的美国研发，再次巩固其作为全球内存技术领导者的长期地位。美光的投资包括其正在进行的纽约大型晶圆厂计划。

据港交所披露，浙江力积存储科技股份有限公司(简称：力积存储)向港交所主板递交上市申请，中信证券（香港）有限公司担任独家保荐人。力积存储2022-2024年营收分别为6.1亿元、5.8亿元、6.46亿元；亏损分别为1.39亿元、2.44亿元、1.09亿元；毛利分别为-1308万元、2120万元、6028万元；毛利率分别为-2.1%、3.7%、9.3%。

PCI-SIG正式向会员发布 PCI Express (PCIe) 7.0 规范，该规范速度达到 128.0 GT/s。PCIe 7.0 规范面向数据驱动型应用，例如人工智能/机器学习、800G 以太网、云计算和量子计算。

据韩媒报道，三星电子DS部门最近向天安园区引进了基于飞秒激光的晶圆切割设备。天安园区是三星电子生产HBM的封装基地。HBM是通过将刻有电路的DRAM堆叠成晶圆，然后进行切割而制成的。这是飞秒激光设备首次应用于该切割工艺。三星电子正在全方位地提升其在HBM市场的技术竞争力。

据外媒报道，美光计划斥资1000亿美元兴建的位于美国纽约州克莱镇DRAM生产基地（原计划2040年代完工）遭遇进度延误，其环境评估进程被推迟，公众意见征询期也被延长至8月。因此，原定于2024年开工的建设项目，在解决社区异议前无法启动。该晶圆厂是美光扩大其美国生产战略的关键组成部分。克莱工厂的初期建设预计到本十年末（2030年前）投入约200亿美元，为后续更大规模扩建奠定基础。报道称，这座200亿美元晶圆厂的延误正导致每日500万美元的损失。

美光宣布已向多家重要客户交付36GB 12层HBM4 样品，其HBM4采用1β (1-beta) DRAM制造，2048 位接口，每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s，性能较上一代提升 60% 以上，能效提升20%以上。美光计划于2026年量产HBM4，与客户下一代AI平台的量产同步。

近日，SK海力士公开未来 30 年的 DRAM 技术路线图和可持续创新的方针。SK海力士表示，通过当前技术平台提高DRAM性能和容量的难度越来越大。为了克服这些限制，将采用4F² VG（垂直栅极）平台和 3D DRAM 技术，通过结构、材料和组件的创新，应用于 10 纳米级或更先进的工艺技术。

SK海力士CEO郭鲁正于10日在利川园区举行的沟通会上表示，“受关税和不确定性等影响，预计今年下半年市场波动性将进一步加大”。对于未来业绩展望，他补充道：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现（计划）。”

据消息，美光成为英伟达下一代内存解决方案SOCAMM的首个供应商。美光SOCAMM是采用数据中心级模块化外形尺寸的 LPDDR5X 产品，旨在成为 AI 数据中心的旗舰内存解决方案。低功耗 DRAM 与压缩连接内存模块 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比传统的 DDR5 RDIMM 配置更节省空间。

据韩媒报道，三星电子决定将干式光刻胶（Dry PR）引入1c DRAM的生产，并已完成设备安装。报道称，三星在平泽P4工厂安装了Lam Research的干式PR设备，并引进了底层/PR沉积设备和显影设备等多种设备。该厂自去年以来一直在建设1c DRAM量产线。

继获得聚辰半导体及厦门睿芯悦创投资数千万元PreA+轮投资后，喻芯半导体再获得黄石市产业发展基金数千万元PreA++轮投资。两轮融资将用于加速存储芯片研发。

受原厂MLC NAND停产影响，MLC NAND Wafer价格水涨船高，资源价格高企下存储厂商调涨相应成品报价。对低容量eMMC仍有刚性需求的部分客户只能接受涨价、按需采购。值得注意的是，随着价格不断攀升，目前16GB/32GB/64GB eMMC已基本同价。LPDDR4X因整体供应吃紧未有改善，部分客户积极询单但难以得到充分满足，供不应求下品牌厂商延续涨价态度，本周LPDDR4X普遍继续上调报价。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 涨 2.94% 至 $17.50，LPDDR4X 48Gb 涨 5.93% 至 $14.30，LPDDR4X 32Gb 涨 4.71% 至 $8.90，LPDDR4X 16Gb 涨 6.00% 至 $5.30；

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 12.00% 至 $2.80，eMMC 16GB 5.1 涨 8.57% 至 $3.80，eMMC 32GB 5.1 涨 8.11% 至 $4.00。

与渠道市场类似，行业内存条受DDR资源涨价影响，行业厂商调涨相应内存条产品现货报价，不过涨幅较渠道市场缓和。除部分库存水位较低的行业客户需回补库存而接受涨价外，其他备有一定库存的客户对于价格接受度较低。SSD方面，目前市场需求整体维持稳定，行业厂商普遍按协议给客户正常出货。不过，PC 等终端客户在多家存储厂商中积极导入SSD新方案，随着可选方案增加，行业SSD市场竞争进一步加剧，不过整体价格基本稳定。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 9.09% 至 $12.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 16.67% 至 $21.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00。

原厂停产部分DDR4产品带动的上涨行情仍在持续，近期渠道市场供应端资源普遍大幅跳涨20%水平，低端资源也在活络的市场带动下大幅走高，贸易炒作氛围加剧。资源价格暴涨令渠道厂商普遍难以接受，出货较为谨慎，渠道DDR4内存条也因成本大幅上扬而同步上调报价。若后续资源继续攀升，短期内渠道DDR4内存条仍将保持上升通道。本周渠道SSD价格持稳。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 涨 15.00% 至 $11.50，DDR4 UDIMM 16GB 3200 涨 13.51% 至 $21.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 涨 4.65% 至 $45.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 9.73% 至 $62.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 8.33% 至 $65.00。

据CFM闪存市场最新报价，今日Flash Wafer价格暂时持平，多数DDR4颗粒价格大幅调涨，部分DDR5颗粒也调涨报价。

DDR：DDR4 16Gb 3200 涨 21.52% 至 $4.80，DDR4 16Gb eTT 涨 24.44% 至 $2.80，DDR4 8Gb 3200 涨 17.39% 至 $2.70，DDR4 8Gb eTT 涨 28.18% 至 $1.41，DDR5 16Gb Major 涨 2.30% 至 $4.45，DDR5 16Gb eTT 涨 6.25% 至 $3.40。

铠侠宣布任命河村善彦 (Yoshihiko Kawamura) 为执行副总裁兼执行官，该任命自 2025 年 6 月 27 日起生效。

受惠客户近期稳健备货，以及部分急单，存储模组厂十铨科技5月营收12.02 亿元（新台币，下同），环比增长6.6%，同比减少54.42%，累计今年1-5月营收76.8亿元，同比微增0.07%。十铨表示，尽管全球总体经济环境仍充满不确定性，其主要产品线仍持续稳定出货，其中，AI与工控应用需求稳定增长，主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面，已提前启动采购与备货规划，维持出货节奏与应用端需求接轨，强化整体竞争力与市场布局。

受惠DRAM 与NAND Flash报价齐扬，威刚5月营收41.69 亿元（新台币，下同），环比增长6.45%，同比增长29.19%，一举刷新2010年4月以来单月营收新高。威刚董事长陈立白看好，存储价格涨势可持续至下半年。并称，现阶段不论渠道或品牌系统厂客户都积极回补库存，工厂产能自第一季已满载至8月，本季营运绩效可望再上层楼。