国产新型存储器厂商中天弘宇第二代大容量产品已于近期进入流片阶段，预计将在5月中旬开始首次MPW流片。供应链消息称，中天弘宇第二代产品采用28nm工艺，单颗粒设计容量达到2Gb以上。

PCI-SIG宣布推出PCIe 7.0规范的0.5版本，这是该规范的第二版本草案，相比PCIe 6.0规范，PCIe 7.0规范将数据传输速率再次翻倍，每个引脚的数据传输速度达到了128GT/s。

三星电子据悉最早将于今年上半年向英伟达供应HBM3E，早于业界预计的第三季度末或第四季度初。据悉，样品相关的测试已进入最后阶段。

SK海力士宣布，就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。SK海力士计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。

铠侠推出新一代EXCERIA G2 SD 存储卡系列。容量高达 1TB，专为长时间 4K 视频录制而设计。性能方面，读写速度提升至100MB/s、 50 MB/s。EXCERIA G2 SD 存储卡将于第二季度上市。

北京君正在投资者互动平台表示，比起DDR4，DDR3的订单更多。

据外媒报道，美光可望获得美国商务部提供逾60亿美元补助金，为在美设厂计划提供资金。这将是继英特尔、台积电与三星获得半导体补助金后最新一桩补贴案。

SK海力士将于4月25日发布2024年Q1财报，据FnGuide统计，分析师共识预测，SK海力士第一季营收上看12.09兆韩元（约87.2亿美元），同比增长高达137.61%；营业利润为1.74兆韩元(约12.5亿美元)，最乐观估计可达2.6兆韩元(约18.7亿美元)，去年同期亏损3.4兆韩元（约24.5亿美元）。韩亚证券则预测SK海力士2024全年营业利润可达21.3兆韩元（约153.6亿美元），相当于年增51%，远高于原先预估的14.1兆韩元（约101.7亿美元）。

三星宣布已开发出其首款支持高达10.7吉比特每秒（Gbps）的LPDDR5X DRAM。功能亮点包括：性能提升25%、容量提高30%、能效提高25%。新型LPDDR5X是未来端侧人工智能的理想解决方案，预计将在个人电脑、加速器、服务器和汽车中得到更广泛的应用。

美光宣布其232 层 QLC NAND现已在部分国家实现量产和发货，Crucial ® SSD 已为企业存储客户批量生产，并向 OEM PC 制造商提供 Micron 2500 NMVe TM SSD 样品。

佰维存储公布2024年第一季度业绩预告：预计实现营业收入170,000万元至180,000万元，与上年同期（法定披露数据）相比，预计同比增加299.54%至323.04%；预计实现归属于母公司所有者的净利润为15,000万元至18,000万元，与上年同期（法定披露数据）相比，预计同比增加219.03%至242.84%，实现扭亏为盈。

KLEVV发布CRAS C925系列M.2 NVMe SSD：采用 M.2-2280 外形尺寸，PCIe 4.0 x4 主机接口，顺序读写速度最高可达7400 MB/秒、6500 MB/秒提供500 GB、1 TB 和 2 TB三种容量选择。

据韩媒报道，随着全球半导体行业的复苏，SK海力士市值从1月到3月底增长了28.5%，从103.6万亿韩元增长到了133.2万亿韩元。

据华邦电子2024年资本支出规划显示，将维持新台币174亿元的规模，大部分用于高雄厂产能及制程的提升，少部分用于台中厂。

CFM消息，目前各大原厂都在提高高利润HBM的供应能力，但因其制程要求高、单颗die面积大且生产良率较低，为保证一定的产出，将会消耗更多的产能。例如在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3e和DDR5的产能消耗比在3:1；同时HBM的生产制程一般为最新的1a或1b制程，那么针对其他1a或1b产能产生挤占效应，尤其在下半年新处理器平台的上市会令部分DRAM资源供应出现紧张。

据日媒报道，贝恩资本与日本银行就铠侠可能上市一事进行了会谈，并考虑重启铠侠与西部数据的合并谈判。

据外媒报道，铠侠技术长宫岛秀史近日在学术演讲中表示，目标在2030~2031年量产1,000层以上的3D NAND。此外，铠侠也正在发展SCM（Storage Class Memory）技术，并设法在2~3年内让SCM的样品开始出货。

全志科技与佰维存储签署建立联合实验室合作协议，本次合作，双方将针对SoC平台与存储器的适配、测试验证等方面进行协作，不断优化存储产品在全志科技SoC平台的性能、兼容性、可靠性等表现，提升存储产品的验证效率与品质，实现实验室共享、市场协同发力的合作目标，共同赋能AI等技术驱动下的终端应用及新兴市场发展需求。

韩国科学和信息化部《2024年3月ICT出口和进口趋势》数据显示，3月韩国半导体出口额达116.9亿美元，与去年同月相比增长33.9%。存储芯片和系统出口分别达到 74.5亿美元和 38 亿美元。与去年同月相比，分别增长63.0%和4.6%。存储器中，DRAM出口额为33.1亿美元，NAND闪存出口额为8.2亿美元。与去年同月相比，分别增长了68.8%和28.2%。

台媒报道，三星12层HBM3E将于2024年第二季量产，并搭载于超微新一代人工智能半导体。随着HBM客户扩大至AMD，三星有望加速追赶SK海力士。