据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb QLC 涨 4.35% 至 $4.80，1Tb TLC 涨 1.92% 至 $5.30，512Gb TLC 涨 3.51% 至 $2.95。

群联电子于13日宣布率先推出全系列UFS QLC储存解决方案，凭借卓越的效能、低功耗与高性价比，成为智能手机、平板及行动装置市场的最佳选择，目前已成功将这些方案送样至多家国际知名手机与平板品牌。

据报道，金士顿近日推出了新款企业级DC3000ME PCIe 5.0 SSD，专为高性能数据中心和企业应用设计。该产品基于3D eTLC NAND闪存打造，采用U.2外形规格，提供卓越的I/O性能和可靠性，满足企业级存储的严苛需求。DC3000ME PCIe 5.0 SSD提供三种容量选择：3.84TB、7.68TB和15.36TB，均具备1DWPD（每日全盘写入一次）的耐用等级，并享有五年质保服务。

近日，根据渠道反馈，长江存储零售品牌致态也将于4月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超过10%。

据闪迪最新发布的涨价函显示，闪迪将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。此外将继续进行频繁的定价审查，预计在加下来的季度有额外的涨幅。

闪迪表示，存储行业的供需动态继续演变，预计将很快过渡到供不应求的状态。此外，近期美国的关税行动，将影响供应并增加其业务成本。闪迪透露，其应对计划外需求和订单的能力有限，任何计划外需求都会延长交货时间。

美光在MWC展示了近日发布的1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存，今年Q2美光将向合作伙伴提供1γ LPDDR5X 16GB产品样品，用于2026 年旗舰智能手机。此外，美光还宣布推出全球首款基于G9技术的UFS 4.1和 UFS 3.1移动存储解决方案。

3月5日，美光宣布，任命去年卸任的台积电前董事长刘德音（Mark Liu）为其董事会成员。美光董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，Mark Liu在全球先进的半导体公司担任领导职位已有数十年，并且拥有大规模的晶圆厂运营经验，他的经验有助于美光在扩展业务的过程中，以应对和把握AI从数据中心到边缘运算不断增长的机会。

据韩媒报道， SK海力士3月4日提交的文件显示，其美国销售子公司SK Hynix America 去年的销售额为33.49万亿韩元（约合 230 亿美元），净利润为1049亿韩元（约合 7190 万美元），比上一年的12.54万亿韩元（约合 85.9 亿美元）的销售额增长2.67倍。收入大幅增长源于各大科技公司对 AI 内存的需求增加，包括 HBM、企业级固态硬盘 (SSD) 和 DDR5。SK海力士今年的 HBM 配额已售罄，计划增加第五代 HBM3E 12 层产品的供应，在上半年推出 HBM3E 16 层产品，并在下半年推出第六代定制 HBM4 产品。

近日，威刚科技在东京与日本综合商社伊藤忠商事及其子公司伊藤忠Retail Link签订合作契约，双方联手开拓日本存储器市场，为当地消费者和企业提供优质产品与服务。威刚指出，将借伊藤忠的渠道优势快速扩张日本消费市场，而伊藤忠则透过威刚全球第二大存储器模组品牌力，进军消费性电子领域，展现双赢综效。

群联电子于27日宣布助力Lonestar共同推动月球任务“Freedom Mission”，旨在建设首座“在月数据中心”，探索在太空环境中保存关键数据的可能性。Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外壳，结合群联企业级Pascari SSD的极端环境耐用特性，打造适应太空严峻环境的储存解决方案。这项任务搭载于SpaceX Falcon 9火箭，预计于3月4日抵达月球。

近日，三星发布最新款消费类PCIe 5.0 SSD——9100 PRO SSD，存储容量配置包含1TB、2TB、4TB、8TB四个版本可供选择，实现高达14,800/13,400 MB/s的顺序读写速度，比上一代快一倍；随机读写速度高达2,200K/2,600K IOPS。得益于先进的 5nm主控芯片，9100 PRO 系列比以前更省电。另外，9100 PRO相比前代产品，功率效率提升了高达49%。 

当地时间24日，SK海力士宣布，随着韩国京畿道龙仁市政府于本月21日发放建筑许可证，SK海力士位于龙仁半导体集群的首座晶圆厂开始全面动工，该工厂将被打造成下一代DRAM存储器生产基地，其中包括人工智能时代需求旺盛的高带宽存储器(HBM)，预计2027年5月竣工。

南亚科技公布2025年资本支出上限为196亿元新台币，较去年增长21.73%。南亚科技表示，今年资本支出将分为两部分，一是1B制程的持续导入与设备尾款支付，二是新厂的建设。1B制程是南亚科技自主开发的第二代技术，预计今年总位元产出将超过30%，目前产能布局稳定，发展进度符合预期。南亚科技今年营运重点聚焦于1B制程的导入、16GB DDR5以及客制化超高频宽存储器的发展；低功耗DDR4、DDR5产品将持续扩展应用。

近期有消息传出，SK海力士的12层堆叠HBM4在测试中实现了70%的良率，或将推动SK海力士进一步加快提升HBM4良率和量产进程。此前，SK海力士在最新财报已透露，12层堆叠HBM4将在今年完成开发并确保量产。

据韩媒报道，业内人士透露，SK海力士已向ASMPT订购TC键合机设备，并在包括16层HBM3E在内的多种HBM产品上进行测试。16 层 HBM3E 被认为是 12 层 HBM3E 和下一代 HBM4 之间的过渡产品。随着 Meta 和 Google 等主要科技公司开发定制 AI 芯片并要求定制 HBM4 产品，16 层 HBM3E 可以作为 HBM4 实现商业化之前的关键替代方案。

江波龙近日在投资者平台表示，其嵌入式存储已广泛应用于智能眼镜等智能穿戴领域。根据第三方公布的XREAL智能眼镜拆机报告中，已展示了其产品在相关设备中的应用情况。江波龙与行业头部厂商保持着紧密沟通，积极响应智能穿戴设备多元化发展的趋势，并推出了如0.6mm（max）超薄ePOP4x、7.2mm×7.2mm超小尺寸eMMC等行业领先的存储产品，为智能穿戴设备的轻薄化和高性能化提供有力支持。

美光科技宣布，已开始向生态系统合作伙伴和特定客户交付其 1γ（1-gamma）、第六代（10nm 级）DRAM 节点 DDR5 内存样品，该内存专为下一代CPU设计。美光 1γ DRAM 节点将首先应用于其 16Gb DDR5 DRAM，此后将集成至美光内存产品组合，以满足行业对高性能、节能 AI 内存解决方案日益增长的需求。16Gb DDR5产品可提供高达 9200MT/s 的速度能力，与前代产品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb TLC 跌 1.89% 至 $5.20，512Gb TLC 跌 3.39% 至 $2.85，其他产品价格不变。

SK海力士2月25日发布消息称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合66亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地。

美光近日宣布，三星Galaxy S25系列的部分设备已搭载美光LPDDR5X内存和UFS 4.0。该系列引入多模态AI助理，开创性地为用户带来直观且能够感知语境的移动AI体验。此外，美光已首次向市场出货能效领先的LPDDR5X内存，其功耗降低幅度超过10%。