SK海力士宣布，已成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%，产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。

该产品提供512GB和1TB两种容量规格。SK海力士计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。

据CFM闪存市场数据显示，量价齐跌令NAND Flash市场规模连续两个季度下滑，1Q25全球NAND Flash市场规模环比和同比均发生下滑，仅为130.1亿美元，为五个季度以来的最低水平。

平均销售价格下降和NAND bit出货量减少令1Q25各原厂的NAND Flash销售收入均发生不同程度的下滑。

鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知，近期现货DDR4价格剧烈波动，为更好地反映市场情况，CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格，最新价格如下：

嵌入式方面，部分原厂逐渐淘汰MLC和256Gb TLC NAND产能，相应嵌入式产品供应告急，令低容量eMMC自3月以来普遍上涨超30%，价格走势已逐渐背离市场，与此同时，也推动着部分终端客户需求向eMMC 32GB及以上升级，不过客户导入仍需要一段时间。另外，手机等Tier 1客户保持低水位库存，近期正常补库需求陆续释出，加之，部分大容量Flash Wafer微幅上涨，因此，多数存储厂商也顺势调涨报价。LPDDR4X资源供应持续趋紧，LPDDR4X成品继续延续涨势。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 涨 3.45% 至 $15.00，LPDDR4X 48Gb 涨 8.33% 至 $13.00，LPDDR4X 32Gb 涨 5.71% 至 $7.40，LPDDR4X 16Gb 涨 8.11% 至 $4.00；

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 8.70% 至 $2.50，eMMC 16GB 5.1 涨 9.38% 至 $3.50，eMMC 32GB 5.1 涨 5.71% 至 $3.70，eMMC 64GB 5.1 涨 8.11% 至 $4.00，eMMC 128GB 5.1 涨 5.88% 至 $7.20，eMMC 256GB 5.1 涨 3.70% 至 $14.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 1.06% 至  $19.00。

近期受部分原厂停产DDR4影响，部分现货DDR4颗粒近半月以来已暴涨超50%，涨价效应已传导至行业内存条成品端，相应成品随成本上升而调涨价格，本周行业DDR4普遍上调报价，行业SSD价格持平。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 10.00% 至 $11.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 12.50% 至 $18.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 11.11% 至 $30.00。

不久前618购物节正式开启，部分渠道品牌客户陆续参与促销活动，但从电商平台数据来看，虽在国家补贴和购物季立减金等优惠叠加下，部分消费电子产品售价直降，但销量整体表现不及预期。另外，渠道客户仍普遍消耗现有库存，渠道SSD实际成交萎靡，加上部分存储厂商降价出货，令多数渠道SSD价格出现松动，渠道内存条价格不变。

SSD(渠道市场)：Channel SSD 240GB SATA 跌 2.83% 至 $10.30，Channel SSD 480GB SATA 跌 1.90% 至 $20.60，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 0.71% 至 $13.90，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 1.49% 至 $26.40，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 1.49% 至 $46.30，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 1.18% 至 $84.00。

据CFM闪存市场最新报价，部分Flash Wafer和DDR资源价格继续报涨，具体来看，

Flash Wafer：1Tb QLC 涨 0.99% 至 $5.10，256Gb TLC 涨 10.00% 至 $2.20；

DDR：DDR4 16Gb 3200 涨 26.67% 至 $3.80，DDR4 16Gb eTT 涨 4.76% 至 $2.20，DDR4 8Gb 3200 涨 25.00% 至 $2.00，DDR4 4Gb eTT 涨 27.27% 至 $0.70，DDR5 24Gb Major 涨 18.64% 至 $7.00。

美光发布其最新高性能固态硬盘——Crucial T710 PCIe Gen5 NVMe SSD和Crucial X10便携式SSD。其中，Crucial T710采用慧荣SM2508 控制器，连续读写速度可达14,900 MB/s、13,800 MB/s，随机读写速度可达220 万次、230 万次；Crucial 最新便携式硬盘 X10采用SM2322 控制器，读取速度高达 2,100 MB/s，是上一代产品的两倍。

5月16日，扬州康盈半导体产业园存储模组智造基地正式投入使用，项目总投资5亿元，其中一期投资1.5亿元，占地6600平方米，专注于SSD/PSSD/USB等存储模组产品线。园区配备数千平米10万级无尘车间，引入国际领先的自动化产线，配备先进的贴片及测试设备，满足高端市场需求、具备高可靠性的存储模组产品，出货良率高达99.9%。目前康盈半导体通过在杭州、徐州、扬州等地多点布局半导体产业园，打造集研发、设计、封装、测试、制造于一体的完整存储产业链。

SK海力士最新季度报告显示，今年第一季度来自单一外部客户的销售额为4.7862万亿韩元，占该季总营收的27%。去年全年SK海力士向该单一客户销售了价值10.9028万亿韩元的内存。

据韩媒报道，为了响应HBM4主要客户NVIDIA的提前生产要求，SK海力士第六代12层HBM4生产计划已从2026年上半年大幅提前，预计将于10月左右开始全面量产。据悉，SK海力士今年早些时候在HBM4 良率测试中超过了60%，最近又将其进一步提高到70%以上。

铠侠推出采用BiCS8 TLC 3D闪存技术的CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，成为首款应用该技术的企业级产品。BiCS8是铠侠迄今为止最先进的 3D 闪存，采用基于 CBA 的架构，显著提升 NAND 接口速度、密度和功率效率，并降低了延迟，从而直接提升了 SSD 性能。

据韩媒报道，SK海力士财务报告显示，第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元，占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元，占同期总营收的50%。与此同时，中国市场销售额下降至2.7万亿韩元，占季度收入的15%，低于去年同期的18%。

慧荣科技宣布将推出两款全新客户端固态硬盘主控产品 SM2504XT 和 SM2324。SM2504XT 是慧荣科技继上一款八通道消费类PCIe5.0 SSD主控芯片SM2508后推出的另一款四通道消费类PCIe5.0 SSD主控芯片。顺序读写分别可达 11.5GB/s 和 11.0GB/s，随机读写分别可达 1700K IOPS 和 2000K IOPS，同时功耗低于 5W。而SM2324是一款集成原生 USB4 支持和内置 PD 控制器的单片式便携式 SSD 控制器。提供高达 4,000MB/s 的顺序读写速度，针对 3D TLC 和 QLC NAND 进行了优化，支持高达 32TB 的存储容量。

威刚表示，年初时已即时建立库存，目前平均掌握4至6个月存货水位。各产品线中以DDR4进货最多，因后市价格上档空间仍较大，DDR5虽长期持续，但持续在补货，NAND Flash因企业端需求增加而陆续进货。

兆易创新管理层于业绩会上对各产品线后续成长进行展望，传递出“车规类产品在未来3年将成为Flash部门的重要增长支柱”“利基型DRAM价格有望在今年第二、三季度进入回升通道”等信号。

据韩媒引述业界消息，英伟达已通知主要存储供应商，将低功耗DRAM模组SOCAMM的应用时程从「GB300」更改为下一代产品。三星电子、SK海力士及美光已调整SOCAMM供应时程。英伟达原目标是将SOCAMM用于「Blackwell」系列，预计将延至下一代「Rubin」系列开始采用。

威刚董事长陈立白表示，今年正式推出企业级自有品牌「TRUSTA」，聚焦高效DRAM模组与企业级PCIe SSD产品，强化在AI与消防领域的长线布局，产品预计今年第四季开始出货放量，明年起挹注堆叠，并于2026年进一步放大批次。

闪迪发布新款PCIe 5.0 SSD WD_BLACK SN8100，采用Sandisk BiCS8 TLC 3D CBA NAND，顺序读取速度高达14.9GB/s，顺序写入最高可达14GB/s；随机读写分别为230万IOPS、240万IOPS；平均运行功耗仅7W。提供1TB、2TB、4TB容量选择，8TB预计将于今年晚些时候上市。

三星日前在AI半导体论坛上透露，该司计划在其HBM4中采用混合键合技术，以降低发热量并实现超宽内存接口。而 SK 海力士正在开发一种先进的 MR-MUF 技术，同时将混合键合作为备用工艺。