韩媒Money Today报道指出，业内人士表示内存芯片产品的需求将在2024年上半年大幅反弹，届时主流的工艺将是1c DRAM。几大头部厂商将以1b工艺为过渡，重点投资1c工艺的研发和量产。

DRAM厂商华邦电子董事长焦佑钧最新表示，市况在第一季触底，第二季会比第一季好，下半年市况优于上半年，但反弹力道不明；目前已有急单，公司台中厂减产幅度已从3-4成至2-3成，也有增加投片。此外，华邦电子总经理陈沛铭表示，因投片要4个月才会产出，所以要预先拉高投片量，目前应用中，几乎全部市场都有反弹，手机修正最久，所以手机会率先回温。

威刚科技董事长陈立白表示，近期观察DRAM4~5月价格正逐步回升，DRAM原厂业绩表现已有明显回温。 

SK海力士已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔开始了“英特尔数据中心存储器认证程序”。

随着三星电子、SK海力士和美光相继成功开发第五代10纳米级（1b或1β）DRAM，韩媒引述业界人士说法，考量市况盛衰变化，预测第六代10nm级1c或1γ DRAM，将成为市况反弹时，决定存储原厂能否掌握市场主导权的关键。

业界人士认为，市况不佳的减产时期，宣布先进制程量产意义不大，因此1b DRAM也许可视为「过渡」，待2024年市况好转，三星、SK海力士预料将在1c DRAM展开真正竞争。

消息称，西部数据正加速裁员，裁员地区涉及中国大陆、日本、以色列等。这是西部数据在过去六个月里第二轮裁员。其中，以色列第二轮裁员比例为7%，而中国大陆裁员比例远超7%。

江波龙披露最新调研纪要称，从整体市场走势来看，存储市场目前还处于磨底阶段。目前部分客户需求有所恢复，但整体情况仍需要密切观察。

其进一步称，本轮存储市场行情进入下行主要受终端需求动能不足影响，存储市场的复苏主要取决于宏观经济的复苏及终端消费市场回暖情况。依据市场机构分析，在原厂减产效应以及宏观经济修复的双重驱动之下，存储市场有望在二季度或三季度进入企稳的阶段，未来公司将持续关注终端市场消费能力的修复情况。

外媒报道，据知情人士透露，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。公司目标是将4F2应用于10纳米以下的DRAM制程，以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。 

一季度全球存储市场规模也在去年四季度下跌的基础上进一步萎缩，据CFM闪存市场数据显示，2023年一季度全球NAND Flash市场规模环比下跌18%至85.94亿美元，DRAM市场规模环比下跌22%至95.27亿美元；整体一季度存储市场规模为181.21亿美元，环比下跌20%，同比下跌57%，创2016年三季度以来新低。

台湾媒体报道，DRAM大厂南亚科技董事长吴嘉昭日前表示，DRAM产业部分负面因素本季逐步趋缓，下半年市况将恢复正常，看好第三季度产品价格可望回稳。 

台湾媒体报道，DRAM厂商南亚科表示，今年一季度是产业库存高点，在需求与供应端改善下，库存正逐步去化，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。另外，另一存储厂商华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续发烫，客户急单涌入，而且“量也不少”。 

韩媒Pulse News报道，多位半导体和证券业人士透露，三星电子第二季度的DRAM芯片出货量预估环比增加约15%-20%，扭转第一季度环比下滑10%左右的颓势。SK海力士第二季度DRAM芯片环比预料增加30%-50%，高于市场共识的20%。

美光科技美股盘前跌近6%，其在华销售的产品未通过网络安全审查。

昨日网信中国发文称，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

据法新社报道，美光发布声明说，已接获中国网信办通知上述审查结论，美光将评估结论内容与后续行动。当被询问是否会提出申诉时，美光发言人表示：“我们期待继续与中国当局进行讨论。”

媒体报道，英飞凌推出业界首款LPDDR闪存，以打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。该器件的性能是当前NOR闪存的8倍，实时应用的随机读取交易速度提高了20倍。 

媒体报道，SK海力士已启动筹资计划，规模高达5000亿韩元（约合3.73亿美元），其中3000亿韩元预计将向韩亚银行贷款，并通过其他金融机构借款2000亿韩元。SK海力士高层表示，筹资意在为市场好转做好准备，预估最快第三季就能迎来行业反弹。

德明利表示，公司持续按照原厂NANDFlash技术的中长期迭代演变规划进行同步的研发布局，在主控芯片量产后导入产品，提高产品核心优势。公司在进行研发方案规划时，充分沟通并考虑存储原厂未来几年的技术路径，以提高公司主控芯片对未来存储晶圆的适配性。2023年，公司计划投片3颗主控芯片，分别对应存储卡、固态硬盘、嵌入式存储。
 

5月18日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料，与上一代产品相比，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。

外媒报道，据称，美光科技公司从日本政府获得约2000亿日元的财政补贴，以助其生产1γ存储芯片。美光1γ制造技术中原定于2024年的某个时候推出，但目前1γ nm制程已被推迟到2025年。

三星电子首席研究员吴基锡近日在行业技术论坛上表示，主要用于智能手机和平板电脑的LPDDR在其他应用程序上的搭载比例正在增加。因为在整个IT设备中都强调了电力效率和带宽。LPDDR应用领域正在扩大。特别是车辆领域的LPDDR搭载率有所增加，预计今后服务器等的搭载率也会增加。据三星电子透露，以车载DRAM为基准，LPDDR的占有率增加到55%，消费者和客户端占有率分别为25%和20%。