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16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元(新台币,下同),环比增长24%,同比增长93%,刷新历史单月新高;全年合并营收达726.64亿元,同比增长23%,同创历史同期新高。群联表示,上月整体营运表现持续升温,控制芯片总出货量年增97%。其中,PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15%,显示新一代高速接口渗透率持续扩大;NAND Bit Growth同比增长16%,凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬,并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

2026-01-08
14:30

美光宣布,将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元,是纽约州历史上规模最大的私人投资项目,建成后将成为全球最先进的存储器制造基地,美国最大的半导体工厂。

10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD,是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD,基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造,顺序读取速率高达11,000 MB/s,顺序写入速率高达9,300 MB/s,专为主流台式机和笔记本电脑设计。

10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期,预计营收为93万亿韩元(约合641亿美元),环比增长8%,同比增长23%;营业利润为20万亿韩元(约合138亿美元),环比增长64%,同比增长208%,创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

2026-01-07
17:28

铠侠发布 KIOXIA BG7 系列SSD,这是首款采用该司最新 BiCS FLASH™ 第八代 3D 闪存和创新 CMOS 直接键合阵列 (CBA) 技术的客户端解决方案,专为 PC 用户设计。随机读写速度高达 1,000,000 IOPS,顺序读取速度高达 7,000 MB/s,相比前代 KIOXIA BG6 系列,性能分别提升约 10% 和 16%。此外,得益于 CBA 技术、高效控制电路和优化的 SSD 控制器,顺序写入性能的能效提升了约 67%。

14:25

群联电子发布新款客户端固态硬盘主控芯片 PS5037-E37T,致力于为主流平台带来完整的 Gen5 性能体验。PS5037-E37T是一款 DRAM-less 主控,符合 NVMe 2.0 规范,拥有 4 通道 4800MT/s 的 NAND 闪存接口,顺序读写速度可达14.7GB/s 和 13.0GB/s,4KB 随机性能可达2000K IOPS。

14:24

英伟达CEO黄仁勋近日在与分析师谈话时,将存储芯片市场形容为“需求完全未被满足的市场(unserved market)”,拥有巨大成长潜力。黄仁勋强调,AI相关存储需求的成长速度,已超出当前基础建设能够应付的范围。他表示,现在所处理的上下文存储、token存储以及KV快取(KV Cache)数量,已高到传统存储系统难以跟上的地步。

14:23

威刚2025年12月合并营收58.1亿元(新台币,下同),同比大增101%,环比增长3.79%。其中,DRAM营收占比69%,SSD占比21.6%,存储卡与U盘与其他产品9.4%。第四季合并营收158亿元,环比增长9%。其中,DRAM营收占比63.54%,SSD占比25.51%,存储卡、U盘与其它产品占比10.95%。累计2025全年营收突破500亿元大关、达530亿元,同比增长32%,创下历史新高。

14:23

南亚科2025年12月合并营收达120.17亿元(新台币,下同),环比增长18.18%,同比暴增444.87%,连续第二个月改写新高。市场需求复苏是其推升12月营收创高的主要动能。

11:07

美光推出美光3610系列NVMe™ SSD,这是业界首款面向客户端计算的 PCIe 5.0 QLC SSD,采用美光G9 NAND,顺序读取速度高达 11,000 MB/s,顺序写入速率高达 9,300 MB/s。提供多种外形规格,以及 1TB 至 4TB 的容量选择。

2026-01-06
17:55

1月5日,西安存储芯片供应商西安紫光国芯半导体股份有限公司在陕西证监局办理上市辅导备案登记,启动北交所IPO进程,辅导机构为中信建投证券。紫光国芯成立于2006年4月,隶属新紫光集团,是以存储技术为核心的产品和服务提供商。该公司注册资本为1.36亿元,北京紫光存储科技有限公司持有紫光国芯8128.70万股股份,持股比例为59.63%,为控股股东。

17:42

北京君正通过互动平台表示,公司部分存储芯片产品在去年四季度已执行新价格,后续会综合考虑市场供应和生产成本等因素进行产品价格调整,目前不同区域和客户调价情况有所不同。此外,公司对部分DRAM产品进行了提前备货,同时后续也将加强与代工厂的合作与沟通。

17:36

原厂正积极推进NAND产线向200+/300+更高层数进行升级,1Tb/2Tb NAND Wafer产出逐渐增加,512Gb NAND Wafer资源同步显著缩减,而部分原厂256Gb NAND基本处于停供状态,存储厂商旧库存所剩不多,供应更加紧缺,本周小容量eMMC继续调涨,大容量eMMC和LPDDR4X价格暂时不变。

eMMC:eMMC 8GB 5.1 涨 11.11% 至 $10.00,eMMC 16GB 5.1 涨 10.00% 至 $11.00,eMMC 32GB 5.1 涨 8.70% 至 $12.50。

17:35

12月,行业厂商新采购的1Tb NAND Wafer合约平均售价已靠近$0.15,512Gb NAND ASP更是突破$0.20。面对资源持续上涨正不断推涨的成品生产成本,行业厂商正同步提高新季度的产品定价,目前部分PC OEM客户已接受新季度的报价涨幅,不过,部分PC客户提出的需求量较大,考虑到后续供应不稳定性,行业厂商保持严格控量。内存条方面,从资源端看,但多数高等级DDR4颗粒价格过高,基本难以找到合理价位的供应来源,当前部分行业厂商更愿意采购采购一定的次级资源回补库存,而由于采用次级资源生产的成品方案相对价格更优,在一定程度上可缓解PC厂商的硬件成本压力。

SSD(行业市场):OEM SSD 256GB SATA 涨 12.50% 至 $45.00,OEM SSD 512GB SATA 涨 20.00% 至 $72.00,OEM SSD 1TB SATA 涨 19.66% 至 $140.00,OEM SSD 256GB PCIe 3.0 涨 9.52% 至 $46.00,OEM SSD 512GB PCIe 3.0 涨 15.63% 至 $74.00,OEM SSD 1TB PCIe 3.0 涨 16.00% 至 $145.00,OEM SSD 512GB PCIe 4.0 涨 11.76% 至 $76.00,OEM SSD 1TB PCIe 4.0 涨 9.63% 至 $148.00,OEM SSD 2TB PCIe 4.0 涨 14.92% 至 $285.00。

17:35

自去年四季度以来,原厂面向下游存储厂商的NAND资源价格普遍逐月大幅度上涨,而渠道市场资源贸易价格上涨更加剧烈,除部分与原厂形成战略支持的存储厂商以外,而贸易端价格太过高昂,其他厂商备货相对困难。当前包括低端资源在内的NAND和DRAM资源涨势仍在延续,渠道厂商对于成品的定价和分货更加谨慎,SSD和成品内存条更多是支持PC整机等核心客户,并且不断随成本上涨而同步进一步调涨相应成品,其余客户则需接受更高的报价。

内存条(渠道市场):DDR4 UDIMM 8GB 3200 涨 18.42% 至 $45.00,DDR4 UDIMM 16GB 3200 涨 13.33% 至 $85.00,DDR4 UDIMM 32GB 3200 涨 12.00% 至 $140.00,DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 13.64% 至 $125.00,DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 20.83% 至 $145.00,DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 4.55% 至 $230.00,DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 8.70% 至 $250.00;

SSD(渠道市场):Channel SSD 120GB SATA 涨 11.11% 至 $20.00,Channel SSD 240GB SATA 涨 9.38% 至 $35.00,Channel SSD 480GB SATA 涨 14.55% 至 $63.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 涨 8.57% 至 $38.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 涨 13.33% 至 $68.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 涨 1.85% 至 $110.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 涨 9.68% 至 $68.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 涨 4.55% 至 $115.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 涨 6.82% 至 $235.00。

17:34

四季度以来,尽管原厂积极调配DRAM产能至服务器市场,但北美CSP新增的服务器DDR5需求远超预期,更多的北美CSP客户愿意支付高溢价争取供应优先级,但以当前原厂现有产能难以完全覆盖大规模的加单需求,服务器内存条价格继续跳涨。

内存条(服务器):DDR4 RDIMM 16GB 3200 涨 13.04% 至 $260.00,DDR4 RDIMM 32GB 3200 涨 16.67% 至 $350.00,DDR4 RDIMM 64GB 3200 涨 30.00% 至 $650.00,DDR5 RDIMM 32GB 涨 46.15% 至 $380.00,DDR5 RDIMM 64GB 涨 44.00% 至 $720.00,DDR5 RDIMM 96GB 涨 62.50% 至 $1300.00。

17:18

据业界消息,美光科技计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆,这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后,于第二季度开始量产HBM4。

10:06

闪迪宣布将其面向游戏玩家、内容创作者和专业人士的内置固态硬盘产品线更名为 SANDISK Optimus™。该系列包含三大产品线:SANDISK Optimus™、SANDISK Optimus™ GX 和 SANDISK Optimus™ GX PRO。从 WD_BLACK™ 和 WD Blue® 品牌到 SANDISK Optimus™ 品牌标识的过渡从今日公告开始执行。

09:53

SK海力士于CES 2026首次展出其下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。该产品是继此前实现业界最高速率11.7Gbps的12层 36GB HBM4之后的后续版本,目前正根据客户需求稳步推进研发工作。此外,SK海力士还将展出12层 36GB HBM3E产品,并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块,直观展现HBM3E在AI系统中的核心应用价值。

2026-01-05
14:25

三星电子联席 CEO 卢泰文表示,三星电子计划在 2026 年将其搭载谷歌 Gemini 人工智能功能的移动设备数量翻倍,从而领先竞争对手。他还表示,内存芯片价格的上涨将带来“不可避免”的影响,对智能手机业务利润率带来了压力。

股市快讯 更新于: 01-10 23:55,数据存在延时

存储原厂
三星电子139000KRW+0.14%
SK海力士744000KRW-1.59%
铠侠12690JPY-2.38%
美光科技345.090USD+5.53%
西部数据200.460USD+6.81%
闪迪377.410USD+12.81%
南亚科技217.5TWD-9.94%
华邦电子97.8TWD-9.86%
主控厂商
群联电子1630TWD-4.12%
慧荣科技113.120USD+1.88%
联芸科技51.95CNY-2.68%
点序99.3TWD-7.63%
品牌/模组
江波龙277.55CNY-2.24%
希捷科技304.010USD+6.87%
宜鼎国际618TWD-4.19%
创见资讯241.5TWD-6.21%
威刚科技257.5TWD-9.97%
世迈科技19.080USD-3.27%
朗科科技28.33CNY-2.91%
佰维存储126.16CNY-0.27%
德明利235.05CNY-1.98%
大为股份27.69CNY-2.84%
封测厂商
华泰电子57.3TWD+1.42%
力成200.0TWD-1.48%
长电科技41.18CNY+5.64%
日月光272.0TWD-0.55%
通富微电41.83CNY+4.58%
华天科技11.71CNY+1.74%