据港交所披露，浙江力积存储科技股份有限公司(简称：力积存储)向港交所主板递交上市申请，中信证券（香港）有限公司担任独家保荐人。力积存储2022-2024年营收分别为6.1亿元、5.8亿元、6.46亿元；亏损分别为1.39亿元、2.44亿元、1.09亿元；毛利分别为-1308万元、2120万元、6028万元；毛利率分别为-2.1%、3.7%、9.3%。

PCI-SIG正式向会员发布 PCI Express (PCIe) 7.0 规范，该规范速度达到 128.0 GT/s。PCIe 7.0 规范面向数据驱动型应用，例如人工智能/机器学习、800G 以太网、云计算和量子计算。

据韩媒报道，三星电子DS部门最近向天安园区引进了基于飞秒激光的晶圆切割设备。天安园区是三星电子生产HBM的封装基地。HBM是通过将刻有电路的DRAM堆叠成晶圆，然后进行切割而制成的。这是飞秒激光设备首次应用于该切割工艺。三星电子正在全方位地提升其在HBM市场的技术竞争力。

据外媒报道，美光计划斥资1000亿美元兴建的位于美国纽约州克莱镇DRAM生产基地（原计划2040年代完工）遭遇进度延误，其环境评估进程被推迟，公众意见征询期也被延长至8月。因此，原定于2024年开工的建设项目，在解决社区异议前无法启动。该晶圆厂是美光扩大其美国生产战略的关键组成部分。克莱工厂的初期建设预计到本十年末（2030年前）投入约200亿美元，为后续更大规模扩建奠定基础。报道称，这座200亿美元晶圆厂的延误正导致每日500万美元的损失。

美光宣布已向多家重要客户交付36GB 12层HBM4 样品，其HBM4采用1β (1-beta) DRAM制造，2048 位接口，每个内存堆栈的速度超过 2.0 TB/s，性能较上一代提升 60% 以上，能效提升20%以上。美光计划于2026年量产HBM4，与客户下一代AI平台的量产同步。

近日，SK海力士公开未来 30 年的 DRAM 技术路线图和可持续创新的方针。SK海力士表示，通过当前技术平台提高DRAM性能和容量的难度越来越大。为了克服这些限制，将采用4F² VG（垂直栅极）平台和 3D DRAM 技术，通过结构、材料和组件的创新，应用于 10 纳米级或更先进的工艺技术。

SK海力士CEO郭鲁正于10日在利川园区举行的沟通会上表示，“受关税和不确定性等影响，预计今年下半年市场波动性将进一步加大”。对于未来业绩展望，他补充道：“今年和明年的业绩很难预测，但目前为止，一切进展都与计划相符，让我们共同努力，实现（计划）。”

据消息，美光成为英伟达下一代内存解决方案SOCAMM的首个供应商。美光SOCAMM是采用数据中心级模块化外形尺寸的 LPDDR5X 产品，旨在成为 AI 数据中心的旗舰内存解决方案。低功耗 DRAM 与压缩连接内存模块 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比传统的 DDR5 RDIMM 配置更节省空间。

据韩媒报道，三星电子决定将干式光刻胶（Dry PR）引入1c DRAM的生产，并已完成设备安装。报道称，三星在平泽P4工厂安装了Lam Research的干式PR设备，并引进了底层/PR沉积设备和显影设备等多种设备。该厂自去年以来一直在建设1c DRAM量产线。

继获得聚辰半导体及厦门睿芯悦创投资数千万元PreA+轮投资后，喻芯半导体再获得黄石市产业发展基金数千万元PreA++轮投资。两轮融资将用于加速存储芯片研发。

受原厂MLC NAND停产影响，MLC NAND Wafer价格水涨船高，资源价格高企下存储厂商调涨相应成品报价。对低容量eMMC仍有刚性需求的部分客户只能接受涨价、按需采购。值得注意的是，随着价格不断攀升，目前16GB/32GB/64GB eMMC已基本同价。LPDDR4X因整体供应吃紧未有改善，部分客户积极询单但难以得到充分满足，供不应求下品牌厂商延续涨价态度，本周LPDDR4X普遍继续上调报价。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 涨 2.94% 至 $17.50，LPDDR4X 48Gb 涨 5.93% 至 $14.30，LPDDR4X 32Gb 涨 4.71% 至 $8.90，LPDDR4X 16Gb 涨 6.00% 至 $5.30；

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 12.00% 至 $2.80，eMMC 16GB 5.1 涨 8.57% 至 $3.80，eMMC 32GB 5.1 涨 8.11% 至 $4.00。

与渠道市场类似，行业内存条受DDR资源涨价影响，行业厂商调涨相应内存条产品现货报价，不过涨幅较渠道市场缓和。除部分库存水位较低的行业客户需回补库存而接受涨价外，其他备有一定库存的客户对于价格接受度较低。SSD方面，目前市场需求整体维持稳定，行业厂商普遍按协议给客户正常出货。不过，PC 等终端客户在多家存储厂商中积极导入SSD新方案，随着可选方案增加，行业SSD市场竞争进一步加剧，不过整体价格基本稳定。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 9.09% 至 $12.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 16.67% 至 $21.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00。

原厂停产部分DDR4产品带动的上涨行情仍在持续，近期渠道市场供应端资源普遍大幅跳涨20%水平，低端资源也在活络的市场带动下大幅走高，贸易炒作氛围加剧。资源价格暴涨令渠道厂商普遍难以接受，出货较为谨慎，渠道DDR4内存条也因成本大幅上扬而同步上调报价。若后续资源继续攀升，短期内渠道DDR4内存条仍将保持上升通道。本周渠道SSD价格持稳。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 涨 15.00% 至 $11.50，DDR4 UDIMM 16GB 3200 涨 13.51% 至 $21.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 涨 4.65% 至 $45.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 9.73% 至 $62.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 8.33% 至 $65.00。

据CFM闪存市场最新报价，今日Flash Wafer价格暂时持平，多数DDR4颗粒价格大幅调涨，部分DDR5颗粒也调涨报价。

DDR：DDR4 16Gb 3200 涨 21.52% 至 $4.80，DDR4 16Gb eTT 涨 24.44% 至 $2.80，DDR4 8Gb 3200 涨 17.39% 至 $2.70，DDR4 8Gb eTT 涨 28.18% 至 $1.41，DDR5 16Gb Major 涨 2.30% 至 $4.45，DDR5 16Gb eTT 涨 6.25% 至 $3.40。

铠侠宣布任命河村善彦 (Yoshihiko Kawamura) 为执行副总裁兼执行官，该任命自 2025 年 6 月 27 日起生效。

受惠客户近期稳健备货，以及部分急单，存储模组厂十铨科技5月营收12.02 亿元（新台币，下同），环比增长6.6%，同比减少54.42%，累计今年1-5月营收76.8亿元，同比微增0.07%。十铨表示，尽管全球总体经济环境仍充满不确定性，其主要产品线仍持续稳定出货，其中，AI与工控应用需求稳定增长，主流DDR5市场也持续扩展。DDR4方面，已提前启动采购与备货规划，维持出货节奏与应用端需求接轨，强化整体竞争力与市场布局。

受惠DRAM 与NAND Flash报价齐扬，威刚5月营收41.69 亿元（新台币，下同），环比增长6.45%，同比增长29.19%，一举刷新2010年4月以来单月营收新高。威刚董事长陈立白看好，存储价格涨势可持续至下半年。并称，现阶段不论渠道或品牌系统厂客户都积极回补库存，工厂产能自第一季已满载至8月，本季营运绩效可望再上层楼。

群联5月营收56.9亿元（新台币，下同），环比减少5.22%，同比增长5.8%。累计1-5月营收达255.31亿元，同比减少5.65%，为历史同期第三高。群联全球首款DRAM-Less PCIe 5.0 SSD控制芯片E31T已正式开始放量出货。

北京君正近日在接受机构调研时表示，3D DRAM还在研发中，目前研发进展基本符合预期。由于3D DRAM作为定制化产品，可以满足客户个性化的需求，同时相比HBM可以更好地提供带宽和功耗支持，所以接触到的不少客户对3D DRAM感兴趣，但感觉市场总体还在探索阶段，可能今年市场还不会有量产的产品。

铠侠于5日在其企业战略会议上公布了其在人工智能时代的中长期增长战略。其中，铠侠表示正在开发一款超高IOPS SSD，通过将XL-FLASH（SLC）与新的SSD主控相结合，随机读取性能达10M IOPS，较现有企业级TLC PCIe 5.0 SSD提升三倍，计划于2026年下半年推出这款SSD样品。