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三星、台积电、英特尔积极布局背面供电BSPDN技术

编辑:AVA 发布:2023-08-14 10:50

据悉,三星计划将晶圆背面供电(BSPDN)技术用于2nm芯片,该公司也于近期日本VLSI研讨会上公布BSPDN 研究结果。另外,台积电、英特尔等晶圆大厂也积极布局该技术,并宣布将导入逻辑芯片的开发蓝图。

根据比利时微电子研究中心(IMEC)的说法,BSPDN 目标是减缓逻辑芯片正面在后段制程面临的拥塞问题,通过设计技术协同优化(DTCO),在标准单元实现更有效率的导线设计,协助缩小逻辑标准单元的尺寸。

换言之,BSPDN可解释成小芯片设计演变,原本将逻辑电路和存储器模块整合的现有方案,改成正面具备逻辑运算功能,背面供电或讯号传递。

一般而言,通过晶圆正面供电的方法虽能完成任务,却会使功率密度下降、性能受损,不过新的BSPDN方法还没被代工厂采用。

三星称跟传统方法相比,BSPDN可将面积减少14.8%,芯片能拥有更多空间,公司可增加更多晶体管,提高整体性能;线长也减少 9.2%,有助降低电阻、使更多电流通过,从而降低功耗,改善功率传输状况。

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