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三星砸1万亿韩元扩建,拟将HBM产能翻倍

编辑:AVA 发布:2023-07-06 15:35

据韩媒报道,三星电子将投资1万亿韩元扩大下一代存储器半导体高带宽存储器(HBM)的产能。此举是为了应对AMD、Nvidia等快速增长的需求,并与占领市场的SK海力​​士展开了真正的竞争。

据业内人士6日透露,三星电子决定在明年底前将HBM产能提高一倍,并已下单采购主要设备。

三星计划通过在天安工厂安装设备来增加HBM出货量。天安工厂负责封装等半导体后端工艺。由于HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理速度的产品,因此只有增加后处理设施才能扩大出货量。据了解,扩建的总投资额为1万亿韩元。

据称,三星电子已收到 AMD 和 Nvidia 的订单,以增加 HBM 供应。随着以ChatGPT为代表的人工智能(AI)服务的普及,对HBM以及高性能中央处理器(CPU)和图形处理单元(GPU)的需求不断增加。

三星计划量产目前正在供应的HBM2和HBM2E等下一代产品,以及计划于下半年量产8层堆叠HBM3和最近完成的12层HBM3E。

与竞争对手相比,三星电子因对 HBM 的反应缓慢而受到内部和外部的批评。在一些市场研究统计中,其市场份额低于SK海力士。三星电子本月进行了人事变动,更换了负责监督内存半导体技术开发的DRAM开发办公室负责人。

由于SK海力士也在推动HBM扩张,预计明年三星与SK海力士的竞争将会加剧。SK海力士还正在推进一项计划,斥资约1万亿韩元扩大利川工厂的HBM产能。1万亿韩元是最低投资,业内也有观察称三星和海力士明年都将扩大投资。

半导体行业相关人士表示:“随着谷歌、苹果、微软等大型科技公司宣布拓展AI服务,对低功耗、高规格存储半导体HBM的需求将迅猛增长,为了满足未来的需求,三星电子、SK海力士都必须将产能比现在增加10倍以上。”

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股市快讯 更新于: 07-04 21:40,数据存在延时

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