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韩美半导体开发下一代HBM工艺设备

编辑:AVA 发布:2023-06-26 18:20

据韩媒报道,韩美半导体正在开发一种名为“New Dual TC Bonder”的新设备,对于制造 HBM 等高性能三维 (3D) 存储器至关重要。该设备目前正处于最后的开发阶段,预计将于今年下半年发布。

HBM是一种用于人工智能(AI)的高性能存储器,通过垂直连接多个 DRAM,与传统 DRAM 相比,显着提高了数据处理速度,其需求随着图形处理单元(GPU)的增长而迅速增长。

韩美半导体之所以将其命名为“New Dual TC Bonder”,是因为它是第二代设备,因为与目前市场上供应的第一代设备相比,显著提高了生产率和精度。

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股市快讯 更新于: 05-24 14:26,数据存在延时

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