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ASML:High-NA EUV2025年量产,超高NA EUV将于2030年登场

编辑:AVA 发布:2023-06-21 15:19

据日媒报导,微影曝光设备龙头艾司摩尔(ASML) 执行副总裁Christophe Fouquet 近日表示,半导体产业需要在2030年代开发数值孔径0.75的超高NA EUV 曝光技术,满足半导体发展。

Christophe Fouquet 表示,自2010 年代以来EUV 技术越来越成熟,半导体制程微缩至2020年前后三年,以超过50%幅度前进,不过速度可能会在2030 年代放缓。

ASML计划年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光设备,2025年量产出货。2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33的传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化,降低制程成本,提高产量。

High-NA EUV预估会有五大客户:英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光,可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI 和JSR及TEL等正与ASML合作,开发High-NA EUV材料与特用化学品。

Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML 传统型号EUV 光源输出功率为250W~300W,最新型号3600D 增加到350W,现在研究层面已做到600W,800W 指日可待。

到2030年代,使用High NA EUV 的多重图案将与单一图案一起完成,以提高产量,并降低制程成本,需要更高数值孔径的EUV曝光(NA=0.75)。借DUV (干式)、ArF (浸没式)、EUV 和High-NA EUV 技术形成图案的每个电晶体成本都不断变化,考量到新技术价格一定高于EUV 每套3 亿美元,High-NA EUV价格将非常可观,但仍取决于客户需求和开发成本。

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