权威的存储市场资讯平台English

ASML:High-NA EUV2025年量产,超高NA EUV将于2030年登场

编辑:AVA 发布:2023-06-21 15:19

据日媒报导,微影曝光设备龙头艾司摩尔(ASML) 执行副总裁Christophe Fouquet 近日表示,半导体产业需要在2030年代开发数值孔径0.75的超高NA EUV 曝光技术,满足半导体发展。

Christophe Fouquet 表示,自2010 年代以来EUV 技术越来越成熟,半导体制程微缩至2020年前后三年,以超过50%幅度前进,不过速度可能会在2030 年代放缓。

ASML计划年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光设备,2025年量产出货。2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33的传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化,降低制程成本,提高产量。

High-NA EUV预估会有五大客户:英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光,可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI 和JSR及TEL等正与ASML合作,开发High-NA EUV材料与特用化学品。

Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML 传统型号EUV 光源输出功率为250W~300W,最新型号3600D 增加到350W,现在研究层面已做到600W,800W 指日可待。

到2030年代,使用High NA EUV 的多重图案将与单一图案一起完成,以提高产量,并降低制程成本,需要更高数值孔径的EUV曝光(NA=0.75)。借DUV (干式)、ArF (浸没式)、EUV 和High-NA EUV 技术形成图案的每个电晶体成本都不断变化,考量到新技术价格一定高于EUV 每套3 亿美元,High-NA EUV价格将非常可观,但仍取决于客户需求和开发成本。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 05-03 10:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子54300KRW-2.16%
SK海力士186000KRW+4.79%
铠侠1825JPY-0.44%
美光科技80.720USD+3.79%
西部数据44.690USD+1.68%
闪迪34.400USD+5.55%
南亚科35.65TWD-0.97%
华邦电子15.95TWD+1.27%
主控厂商
群联电子454.5TWD+1.56%
慧荣科技53.510USD+6.32%
联芸科技41.35CNY+1.95%
点序55.0TWD-0.72%
国科微68.93CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙77.91CNY+3.33%
希捷科技93.070USD+3.40%
宜鼎国际238.5TWD+2.36%
创见资讯101.5TWD+1.50%
威刚科技85.7TWD+2.39%
世迈科技17.450USD+3.19%
朗科科技25.09CNY+4.24%
佰维存储62.33CNY+1.32%
德明利127.50CNY+0.73%
大为股份14.18CNY+2.09%
封测厂商
华泰电子32.10TWD+0.63%
力成109.0TWD+0.46%
长电科技33.43CNY+1.24%
日月光139.0TWD+2.58%
通富微电25.62CNY+0.99%
华天科技9.28CNY-5.31%