编辑:AVA 发布:2023-06-21 15:19
据日媒报导,微影曝光设备龙头艾司摩尔(ASML) 执行副总裁Christophe Fouquet 近日表示,半导体产业需要在2030年代开发数值孔径0.75的超高NA EUV 曝光技术,满足半导体发展。
Christophe Fouquet 表示,自2010 年代以来EUV 技术越来越成熟,半导体制程微缩至2020年前后三年,以超过50%幅度前进,不过速度可能会在2030 年代放缓。
ASML计划年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光设备,2025年量产出货。2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33的传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化,降低制程成本,提高产量。
High-NA EUV预估会有五大客户:英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光,可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI 和JSR及TEL等正与ASML合作,开发High-NA EUV材料与特用化学品。
Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML 传统型号EUV 光源输出功率为250W~300W,最新型号3600D 增加到350W,现在研究层面已做到600W,800W 指日可待。
到2030年代,使用High NA EUV 的多重图案将与单一图案一起完成,以提高产量,并降低制程成本,需要更高数值孔径的EUV曝光(NA=0.75)。借DUV (干式)、ArF (浸没式)、EUV 和High-NA EUV 技术形成图案的每个电晶体成本都不断变化,考量到新技术价格一定高于EUV 每套3 亿美元,High-NA EUV价格将非常可观,但仍取决于客户需求和开发成本。
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
美光科技 | 93.370 | USD | -1.54% |
西部数据 | 50.180 | USD | +0.68% |
闪迪 | 37.280 | USD | -1.48% |
南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
主控厂商 |
群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
慧荣科技 | 63.700 | USD | -2.11% |
联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
希捷科技 | 112.740 | USD | +3.56% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 17.640 | USD | -2.22% |
朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2