编辑:AVA 发布:2023-06-19 15:47
据韩媒报道,东进半导体正着手开发用于“高NA EUV”的光致抗蚀剂(photoresist,PR)。高NA EUV被称为下一代半导体曝光设备,被认为是2nm以下的超精细工艺必不可少的设备。
东进半导体近期制定了高NA EUV PR发展路线图。目标是今年下半年开始研发,最快2025年上半年完成技术开发。计划在荷兰半导体设备公司 ASML 大规模生产高 NA EUV 设备之前完成 PR 开发。
PR是在芯片上绘制半导体电路的曝光过程中的关键材料。涂在晶圆上经过曝光后,特性发生变化,成为电路图形的基础。EUV 的 PR 必不可少,尤其是在绘制高分辨率图案时。迄今为止,都是从日本等海外进口,但东进半导体去年首次成功实现了EUV PR的国产化,目前正为三星电子供货。
此次挑战的新品是为“高NA EUV”设备量身打造的下一代EUV PR。High NA EUV是将表示聚光能力的透镜数值孔径(NA)从0.33提高到0.55的装置,是能够绘制超精细电路图案的关键装置。三星电子、SK海力士、台积电、英特尔等都决定从ASML引进这款设备。ASML是全球唯一一家可以提供EUV设备和下一代高NA EUV设备的公司。
ASML计划明年出货其首款高 NA EUV 设备。据了解,它将于2026-2027年量产。东进半导体计划在高 NA EUV 市场全面开花之前,通过完成相关 PR 产品的商业化来抢占市场。EUV PR市场目前由Shin-Etsu Chemical、JSR 和 TOK 等日本公司占领,他们正在为高NA EUV开发PR。
东进半导体相关人员表示:“材料开发商必须比零部件和设备公司至少提前六个月做出反应,以增加他们的材料被半导体制造商或设备公司采用的可能性。只要有必要,我们将确保通过客户和合作伙伴测试机会,并运行各种流程来开发针对高 NA EUV 设备优化的 PR。”
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
美光科技 | 93.370 | USD | -1.54% |
西部数据 | 50.180 | USD | +0.68% |
闪迪 | 37.280 | USD | -1.48% |
南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
主控厂商 |
群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
慧荣科技 | 63.700 | USD | -2.11% |
联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
希捷科技 | 112.740 | USD | +3.56% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 17.640 | USD | -2.22% |
朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
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