编辑:AVA 发布:2023-06-16 10:05
援引自韩国媒体报道,业界人士15日表示,SK海力士开始准备投资后端制程设施,以增加HBM3的出货量。重点是扩建封装HBM3的利川工厂。
据熟悉内情的业内人士表示,“我们正准备围绕后端处理线引入额外的设备,这在HBM3生产中起着重要作用。”到今年年底,后端工艺设施的规模将增加近一倍。
此次扩建的目的是应对AI市场增长带来的HBM需求。HBM与CPU和GPU一起适用于用于AI处理的高性能计算(HPC)和大规模数据中心。由于在大容量数据处理方面的特殊性能,在AI半导体的同时,对HBM存储器的需求也在增加。特别是HBM3是高带宽存储器市场的热门产品,订单正在增加,SK海力士计划以HBM3为中心扩大产量。
由于HBM是一种堆叠现有DRAM的技术,因此需要具备后端处理能力。硅通电极 (TSV) 和 MR-MUF 技术是典型的例子。TSV 在 DRAM 芯片上钻出数千个微小的孔,并通过垂直穿透的电极连接上下芯片。
因半导体市场低迷,SK海力士今年整体设备投资正在减少,但将努力抓住HBM等产品机会。SK海力士在今年第一季度的业绩说明会上也表示:“今年的合并基准投资比去年减少了50%以上。取而代之的是,计划执行主导今年需求增长的DDR5、LPDDR5、HBM3等产品生产的投资,以应对下半年及明年的增长。”
此外,SK海力士还将开始投资第五代 HBM 产品“HBM3E”的设施。据了解,SK海力士最近向其客户提供HBM3E样品。产品采用后,预计需要额外投资进行大规模量产。
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
美光科技 | 78.740 | USD | +2.33% |
西部数据 | 44.220 | USD | +0.82% |
闪迪 | 32.730 | USD | +1.93% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 50.190 | USD | +1.39% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 90.775 | USD | -0.28% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 17.090 | USD | +0.12% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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