编辑:AVA 发布:2021-07-15 14:25
在推动DRAM制程向1α节点演变中,美光在三家原厂中态度最为积极,并于今年6月开始批量出货1α级工艺LPDDR4x和DDR4;紧随其后的就是SK海力士,于今年7月开始量产第四代10nm(1α)级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。然而,存储巨头三星却尚未发布关于1α制程产品的信息。
随着美光和SK海力士迈入下一技术节点,三星的技术优势难免会被超越。据韩媒报道,美光最新产品拥有0.315Gb/mm²的存储密度,half pitch为14.3nm,超越了三星1z制程工艺0.299 Gb/mm²的存储密度,是当前业内存储密度最高的产品。
既然在量产时程被超越,报道称,三星计划在今年底之前量产1z制程DRAM,线宽仅为14nm,比美光的要小。
DRAM制程竞争激烈
除了在技术制程上竞争激烈之外,三家原厂在投资扩产方面也你争我抢。在DRAM领域,SK海力士M16工厂已于今年初竣工,首次引进了EUV光刻设备,并预计从今年下半年开始投产;美光A3厂区也如期完工,将投产1α制程产品。
投资方面,据韩媒报道,预计今年三星在内存方面的投资将达20兆韩元,SK海力士达14兆韩元,美光达100亿美元。出货量方面,预计今年三星内存出货量将增长27%,SK海力士将增长21%,美光将增长26%。
存储原厂 |
三星电子 | 77600 | KRW | -0.51% |
SK海力士 | 173200 | KRW | -0.23% |
美光科技 | 114.700 | USD | +2.11% |
英特尔 | 30.900 | USD | +1.28% |
西部数据 | 70.950 | USD | +1.76% |
南亚科 | 65.8 | TWD | -1.2% |
主控供应商 |
群联电子 | 710 | TWD | +1.28% |
慧荣科技 | 73.955 | USD | +0.76% |
美满科技 | 68.510 | USD | +2.76% |
点序 | 78.7 | TWD | -0.63% |
国科微 | 51.27 | CNY | +1.38% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.27 | CNY | -3.05% |
希捷科技 | 87.500 | USD | +1.40% |
宜鼎国际 | 287.5 | TWD | -0.35% |
创见资讯 | 94.5 | TWD | +0.21% |
威刚科技 | 104 | TWD | +2.97% |
世迈科技 | 18.630 | USD | +0.65% |
朗科科技 | 25.37 | CNY | -1.28% |
佰维存储 | 52.14 | CNY | -0.80% |
德明利 | 103.64 | CNY | +2.05% |
大为股份 | 11.09 | CNY | -1.42% |
封装厂商 |
华泰电子 | 61.7 | TWD | -1.75% |
力成 | 170 | TWD | -0.29% |
长电科技 | 25.77 | CNY | -1.64% |
日月光 | 148 | TWD | +2.42% |
通富微电 | 20.98 | CNY | -1.13% |
华天科技 | 8.19 | CNY | +0.49% |
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