每周新闻报：产业热点速读

1、英特尔665p SSD升至96层3D QLC，下一代144层QLC更吸睛

近日英特尔更新了新一代665p系列SSD产品的参数细节。据悉，英特尔665p SSD将提供1TB和2TB容量，其中1TB版本将于2019年底上市，而2TB将在2020年第一季度上市。

2、三星或在平泽2号工厂规模生产128层3D NAND

三星新建成的平泽2号工厂首先建设的是一条NAND Flash生产线，然后会再投资建设DRAM产线，与平泽一期工厂的规划将大体一致。之前，有报道称三星平泽2号工厂（P2）设备投资减缓，但近期有相关行业人士表示，三星要求平泽2号工厂的设备交货日期不变。三星也在最新季度财报电话会议上表示，计划在2020年运营平泽2号工厂，但尚未确定大规模生产的时间。

3、传日本光刻胶大厂JSR将在韩国建立ArF产线

韩媒报道，全球第一光刻胶大厂日本JSR计划将在韩国青州建立一条生产用于ArF的光刻胶产线，用于供货三星电子。

4、慧荣10年累积主控出货超60亿颗，2020年Q1将全面出货PCIe 4.0 SSD，增长新引擎！

虽然2019年存储产业低迷，但原厂技术发展迅速，不仅96层3D NAND逐渐量产，QLC开始规模化应用，也正在向128层3D NAND迈进。主控厂作为NAND Flash发展不可或缺的一部分，中国闪存市场ChinaFlashMarket专访了主控厂商慧荣科技（Silicon Motion）总经理Wallace C. Kou先生，一起探讨2019年存储产业所面临的挑战，以及2020年未来发展的机遇！

5、紫光日本CEO坂本幸雄：DRAM将在5年内量产

紫光日本CEO坂本幸雄近日表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存，自己的工作就是协助公司达成目标，为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”，预计会招聘70-100位工程师，与中国境内的制程工艺团队配合，花2-3年构建出可以量产的内存技术。

6、DRAM制程提升速度趋缓，EUV并非根治良药，产业急需突破！

与NAND 闪存产业类似，DRAM市场及先进工艺集中程度很高，掌握在几大核心大厂中。目前为止，先进的DRAM器件大约基于18nm-15nm工艺，DRAM的物理极限约为10nm左右，各大厂商也在努力突破这一极限或者找到可以替代的新技术，然而目前还没有找到可直接替代的方法，只能逐步细化制程工艺。

7、财政部：继续对内资研发机构和外资研发中心采购国产设备全额退还增值税

日前，财政部、商务部、税务总局发布2019年第91号公告：为了鼓励科学研究和技术开发，促进科技进步，继续对内资研发机构和外资研发中心采购国产设备全额退还增值税。

8、深康佳A：拟逾10亿元投建存储芯片封测项目

深康佳A 11月25日发布公告称，因业务发展需要，康佳集团股份有限公司（下称“本公司”）拟以本公司的控股子公司康佳芯盈半导体科技（深圳）有限公司（本公司持股 56%）为主体投资建设存储芯片封装测试厂，开展存储芯片的封装测试及销售。项目拟选址盐城市智能终端产业园，计划总投入10.82亿元，其中购买设备等投资约5亿元。

9、日本出口管制以来，三星、SK海力士、LG等生产没影响

据韩国产业通商资源部和相关行业24日消息，三星电子、SK海力士、三星显示、LG Display四家韩国企业向韩国报告称，自7月日本发布限贸措施后，企业生产并没有受到影响。