日前，英特尔(Intel)与美光(Micron)共同发布变革性的存储技术「3D XPoint」，与目前的NAND Flash相比，速度快上1000倍，预计将在2016年投入生产。
英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Rob Crooke表示：" 3D XPoint技术是存储技术的一项重大突破，也是自1989 年NAND Flash推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。”
3D XPoint技术采用交叉点阵列结构，垂直导线连接着1280亿个密集排列的存储单元，紧凑的结构可获得更高性能。除了紧凑的交叉点阵列结构之外，存储单元还被堆叠到多个层中，通过增加存储层的数量，进一步提高容量。
对于3D XPoint的出现，很容易让人误认为是3D NAND技术。美光公司CEO Mark Durcan强调："新的技术与现有美光SSD中使用的3D NAND Flash技术完全不同，3D XPoint是一个完全新型的闪存，两者不同。”
同时，3D XPoint也不是迅速可以取代3D NAND，由于3D XPoint技术是新架构，成本预估介于DRAM和NAND Flash之间，再加上美光和英特尔依然在3D NAND方面加强合作，三星、东芝也准备量产48层3D NAND，并着手研发下一层架构，3D NAND可持续性降低NAND Flash成本，提高效益，所以短时间内3D XPoint不会对3D NAND的发展造成影响。
此外，在数据量爆发的时代，对服务器数据存储，以及系统快速的分析、响应数据提出更高的要求，服务供货商与系统厂一直苦思寻求更好的解决方案。3D XPoint基于高速和容量的优势，将在服务器、存储、工作站、PC（特别是游戏领域）应用上极大的改善用户体验，备受Google、Facebook等大厂的青睐。
英特尔资深副总裁暨非挥发性存储器解决方案事业群总经理Rob Crooke也表示：「数十年来业界寻找各种方法，努力降低处理器与数据之间的延迟，以加快数据分析和响应的速度。3D XPoint这种新类别非挥发性存储器可以达成此目标，为储存解决方案带来颠覆性的效能。」
美光总裁Mark Adams表示：「现代运算其中一项最艰巨的障碍就是处理器存取放在长期储存媒体内数据所耗费的时间，这种新类别非挥发性存储是一项革命性的技术，不仅使系统能快速存取数量庞大的数据集，还能让各界开发出许多崭新的应用。」
