日本著名半导体厂商尔必达(Elpida)于今天开始出货业界首个采用25nm工艺制造的内存颗粒EDJ2104BFSE(2Gbit DDR3 SDRAM，位宽4bit)和EDJ2108BFSE(同为2Gbit DDR3 SDRAM，位宽8bit)。
今年五月，尔必达正式宣布业界首款25nm制程DDR3 SDRAM内存芯片开发成功，两个月过后，开始对外发售产品样品并同时进行量产。使用此工艺制造的内存颗粒芯片面积为目前世界最小。比起30nm工艺制造的产品功耗可降低15%，待机时降低约20%。该芯片数据带宽x4-bit/x8-bit，数据传输率可达1866Mbps以上。
25nm制程DDR3 SDRAM内存芯片容量为2Gb，供电电压为1.5V或1.35V，可以做成高性能DDR3-1866或低电压DDR3L-1600内存条，工作温度范围在0-95摄氏度。据尔必达称，比起当前30nm的产品，新制程的采用让DDR3 SDRAM内存芯片的储存单位面积下降了30%，工作电流和待机电流分别下降了15%和29%，同时产量上亦有30%的提升。
新产品主要用于制造面向PC以及数据中心中服务器使用的内存。尔必达表示，将于年底开启25nm 4Gb DDR3 SDRAM内存芯片的量产，相比于现有的30nm 4Gb产品，新制程产品的产能将获得44%的提升，而且他们还会将25nm制程应用在移动设备内存芯片当中。
