三星：30奈米制程DDR MLC NAND开始量产领先业界

编辑：Helan 发布：2009-12-02 10:42

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)于美东时间11月30日晚间9时发布新闻稿宣布，该公司已领先业界量产采30奈米制程技术、支援非同步(asynchronous) DDR (double data rate)介面的32Gb MLC NAND型快闪记忆体，已在11月底开始对主要OEM出货。

三星电子表示，DDR NAND将显著提升高运算、大容量行动装置的资料读取速度，每秒可读取133Mb的数据(133Mbps)，预料将取代读取速度达40Mbps的SDR (single data rate) MLC NAND。三星表示，上述产品将可显著提升NAND型快闪记忆体对高容量消费性电子产品的贡献度，以满足逐渐升高的影片分享需求。

根据科技市调机构Gartner预测，2012年全球NAND型快闪记忆体销售额可望由2009年的138亿美元攀升至236亿美元。

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存储原厂

三星电子	59200	KRW	-1.00%
SK海力士	246000	KRW	-0.20%
铠侠	2103	JPY	+2.79%
美光科技	121.820	USD	+1.23%
西部数据	59.190	USD	+1.06%
闪迪	46.620	USD	+5.74%
南亚科技	60.4	TWD	+2.20%
华邦电子	19.60	TWD	-0.25%

主控厂商

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联芸科技	39.91	CNY	-2.16%
点序	55.7	TWD	-5.11%

品牌/模组

江波龙	79.45	CNY	-1.11%
希捷科技	131.300	USD	+0.33%
宜鼎国际	240.5	TWD	-3.02%
创见资讯	101.5	TWD	-2.40%
威刚科技	96.6	TWD	-2.42%
世迈科技	19.780	USD	+0.71%
朗科科技	23.11	CNY	-2.45%
佰维存储	63.30	CNY	-0.86%
德明利	130.51	CNY	-1.91%
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封测厂商

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力成	130.0	TWD	-2.26%
长电科技	31.95	CNY	-1.11%
日月光	146.0	TWD	-1.35%
通富微电	23.80	CNY	-1.12%
华天科技	8.85	CNY	-1.23%

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