采用六平面NAND架构,可实现更高的并行度,并增加同时向NAND发出的读写命令数量。
美光 2Tb G9 QLC NAND 采用先进的六平面 NAND 架构,可实现更高的并行度,并增加同时向 NAND 发出的读写命令数量,从而提升性能。此外,采用美光创新的自适应写入技术 (AWT),使用更快的 SLC 和 TLC NAND 模式来提高写入速度,同时保持 QLC 的经济优势。
2025-06-27 固态硬盘
2025-05-14 固态硬盘
2025-05-13 固态硬盘
2025-04-18 固态硬盘
2025-03-13 嵌入式
据韩媒报道,SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设,项目投资额达5.7万亿韩元(约合39亿美元)。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露,SK海力士于近日通知当地社区,将开始桩基施工,预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉,该基地计划于2028年下半年全面投产,预计第七代和第八代高带宽内存(HBM4E、HBM5)可能成为主要产品。
SK海力士22日宣布,在韩国清州科技城工业园区举行P&T7项目的奠基仪式。该项目是一座专用于生产人工智能存储产品(例如 HBM)的先进封装工厂,投资数万亿韩元,将建于清州科技城工业园区内,占地约 23 万平方米。工厂将拥有三层 WLP工艺线,总面积约 6 万平方米,以及七层 WT(晶圆测试)工艺线,总面积约 9 万平方米,仅洁净室面积就将达到约 15 万平方米。破土动工后,工厂将立即开工建设,WT 生产线预计将于 2027 年 10 月竣工,WLP 生产线预计将于 2028 年 2 月竣工。
大普微在互动平台表示,根据招股说明书披露,截止报告期,公司已实现对海外客户Google等客户的产品销售,2025年已通过Nvidia、xAI两家全球AI头部公司测试导入,后续有望逐步放量。此外,公司PCIe 6.0主控芯片及SSD产品已在研发中。全球PCIe 6.0企业级SSD产品业界距离正式规模商用仍需要一段时间。
4月21日,铠侠(Kioxia)宣布推出面向PC OEM厂商的EG7系列固态硬盘(SSD)。该产品为公司首款基于BiCS8 QLC技术的客户端存储方案,采用无DRAM HMB技术,支持PCIe 4.0与NVMe 2.0d规范,提供512GB/1024GB/2048GB三种容量,最高顺序读写达7000MB/s和6200MB/s。EG7系列目前正向部分PC OEM客户提供样品,搭载该SSD的PC预计将从2026年二季度开始出货。
关于4月20日16时53分左右发生在日本东北地区的地震,铠侠官网最新回应称,确认北上工厂的建筑物和设施未受损,北上工厂的生产活动照常进行。
日本青森县20日下午4点53分左右发生规模里氏7.7级强震,日本气象厅一度对北海道太平洋沿岸中部、青森县太平洋沿岸以及岩手县发布海啸警报。据日媒报道称,铠侠位于岩手县的NAND两厂在地震后进行停产检查。据相关人士最新回应,此次地震对铠侠NAND Flash供应暂无影响。
在NAB 2026展会上,闪迪发布了新一代至尊超极速CFexpress 4.0 Type B存储卡。该系列存储卡提供128GB / 256GB / 400GB/1TB/2TB/4TB六种可选容量规格,顺序读写速度最高达3700MB/s和3500MB/s。闪迪还同步推出了容量达2TB的SANDISK Extreme PRO SDXC UHS-II存储卡,包含V90和V60两种速度等级版本,最高提供2TB容量规格。其中,V90读写速度最高达310MB/s和305MB/s;V60读写速度最高达300MB/s和250MB/s。相关产品预计于2026年三季度上市。
江波龙(301308.SZ)4月17日在投资者互动平台表示,UFS4.1 已成为当前旗舰智能手机的主流存储配置,应用前景广阔。公司已与闪迪(SanDisk)等多家原厂达成 UFS 产品商业化合作,并积极探索高端存储产品在端侧 AI 领域的应用
近日,美光在官网产品目录中添加了新款24Gb GDDR7 DRAM,即3GB模块。其中,速率为28Gbps的产品已量产,速率为32Gbps的产品已出样。
据韩媒报道,三星已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单,受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。公司近期已完成最后一批订单的交付,在完成之前已收到的订单后,相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排,LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽,三星预计将转向LPDDR5,生产线可能会从明年第一季度开始改造。