Toshiba eMMC 5.0系列
Toshiba eMMC 5.0系列

容量从8GB-128GB，采用东芝15nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2014-10-02
BIWIN旗舰级专用eMCP
BIWIN旗舰级专用eMCP

BIWIN旗舰级专用eMCP整合eMMC与LPDDR，释放PCB空间，助力智能设备轻薄化。

佰维存储 2014-09-24
Micron e·MMC4.5系列
Micron e·MMC4.5系列

符合eMMC4.5规范容量提供4GB-32GB，被广泛的应用于消费性电子产品中。

美光 2014-07-16
Toshiba eMMC 4.5系列
Toshiba eMMC 4.5系列

符合eMMC V4.5标准规范，存储容量从4GB-32GB产品，主要满足智能盒子、智能电视等小容量市场。

铠侠 2014-07-01
Sandisk iNAND Standard系列
Sandisk iNAND Standard系列

提供8GB、16GB存储容量，采用X3/TLC Flash技术，且符合e.MMC 4.51+ HS200规范。

闪迪 2014-05-27
Samsung eMMC 5.0车用系列
Samsung eMMC 5.0车用系列

容量从8GB-64GB，采用MLC NAND Flash，具有较高的耐高低温特性，适合车载等高温度存储要求的领域。

三星 2014-05-20
Toshiba UFS 2.0系列
Toshiba UFS 2.0系列

提供32GB和64GB容量，采用小型FBGA封装，其最高传输速率高达11.6Gbps。

铠侠 2014-05-07
SK Hynix eMMC 5.0系列
SK Hynix eMMC 5.0系列

提供8GB-64GB存储容量，采用1xnm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范标准。

SK海力士 2014-04-16
Samsung eMMC 5.0 MLC系列
Samsung eMMC 5.0 MLC系列

容量从8GB-128GB，采用2bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12
Samsung eMMC 5.0 TLC系列
Samsung eMMC 5.0 TLC系列

容量从8GB-64GB，采用3bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12
Sandisk iNAND Extreme系列
Sandisk iNAND Extreme系列

Sandisk推出的5.0规范的eMMC，采用第二代闪迪19纳米(nm) 技术，存储器容量高达128GB。

闪迪 2014-02-24
Toshiba eMMC 5.0系列
Toshiba eMMC 5.0系列

容量从4GB-128GB，采用东芝19nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2013-11-02
SK Hynix eMMC 4.5系列
SK Hynix eMMC 4.5系列

提供8GB-64GB存储容量，采用1xnm NAND Flash，符合eMMC4.5规范标准。

SK海力士 2013-10-16
Sandisk iSSD i110系列
Sandisk iSSD i110系列

从8GB-128GB具有多种容量。最高读写速度分别为450MB/s、350MB/s，提高快速启动和应用启动时间。

闪迪 2013-09-18
Samsung eMMC 5.0系列
Samsung eMMC 5.0系列

容量从4GB-64GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

三星 2013-09-10

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⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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