WD iNAND MC EU511
WD iNAND MC EU511

采用96层3D NAND，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择。

闪迪 2019-02-22
三星eUFS 2.1
三星eUFS 2.1

采用第五代512Gb V-NAND，最大容量1TB，尺寸大小11.5mm x 13.0mm。

三星 2019-01-30
WD iNAND IX EU312
WD iNAND IX EU312

基于3D NAND架构，最高读取速度可达750 MB/s ，最高写入速度可达320 MB/s。

闪迪 2018-10-24
WD iNAND MC EU321
WD iNAND MC EU321

采用3D TLC，符合UFS 2.1接口协议，提供16-256GB容量选择。

闪迪 2018-10-19
WD iNAND MC EU321
WD iNAND MC EU321

采用了96层3D NAND技术，符合UFS 2.1协议规范，提供32GB-256GB容量选择。

闪迪 2018-10-10
BGAE340系列eMMC
BGAE340系列eMMC

BGAE340系列eMMC采用MLC NAND，提供4GB容量选择。

世迈科技 2018-01-10
Sandisk iNAND 8521系列
Sandisk iNAND 8521系列

提供32GB-256GB容量，采用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度。

闪迪 2017-12-05
Sandisk iNAND 7550系列
Sandisk iNAND 7550系列

32GB-256GB容量选择，eMMC 5.1规范，提供260MB/s连续写入性能。

闪迪 2017-12-05
Phison UFS 2.1系列
Phison UFS 2.1系列

采用最新3D TLC制程NAND Flash，符合UFS 2.1规范，连续读写速度920/550MB/s，随机读写可达67K/62K IOPS。

群联 2017-08-10
BIWIN eMMC
BIWIN eMMC

BIWIN eMMC提供4GB~256GB多种容量选择，顺序读写速度最高可达300MB/s、240MB/s。

佰维存储 2017-07-11
Sandisk iNAND 7250A系列
Sandisk iNAND 7250A系列

专为汽车领域存储设计，满足汽车最新驾驶辅助系统、信息娱乐、安全系统等存储需求。

闪迪 2017-05-05
BIWIN ePOP
BIWIN ePOP

BIWIN ePOP提供4GB+4Gb/8GB+4Gb两种容量，读写速度可达80MB/s、20MB/s。

佰维存储 2017-04-19
Sandisk iNAND 7350系列
Sandisk iNAND 7350系列

采用先进的3D NAND Flash，符合eMMC5.1规范协议，提供32GB~256GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2017-02-27
Toshiba UFS 2.1系列
Toshiba UFS 2.1系列

容量从32GB-256GB，具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2016-11-18
Kingston eMMC 5.1系列
Kingston eMMC 5.1系列

金士顿最新的eMMC 5.1采用15nm MLC，容量范围为4GB-64GB。

金士顿 2016-10-17

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多