三星eUFS 2.1

采用第五代512Gb V-NAND，最大容量1TB，尺寸大小11.5mm x 13.0mm。

产品分类：嵌入式 品牌：三星
应用领域： 平板电脑 智能手机
产品白皮书 发布于：2019-01-30
三星eUFS 2.1 共13个产品
型号 容量 接口 规范 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入 工作温度 尺寸
KLUGGAR1FA-B2C1 1TB HS400 UFS 2.1 最高1000MB/秒 最高260MB/秒 最高58K IOPS 最高50K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.4mm
KLUFG8R1EM-B0C1 512GB G3 2Lane UFS 2.1 最高860MB/秒 最高150MB/秒 最高42K IOPS 最高40K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUEGAJ1ZD-B0CQ 256GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 105°C 11.5mm x 13.0mm x 1.72mm
KLUEGAJ1ZD-B0CP 256GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.72mm
KLUEG8U1EA-B0C1 256GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUDG8J1ZD-B0CQ 128GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 105°C 11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUDG8J1ZD-B0CP 128GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUDG4U1EA-B0C1 128GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUCG4J1ZD-B0CP 64GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUCG4J1ED-B0C1 64GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUCG2K1EA-B0C1 64GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -25°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.0mm
KLUBG4G1ZF-B0CQ 32GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 105°C 11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
KLUBG4G1ZF-B0CP 32GB G3 2Lane UFS 2.1 最高880MB/秒 最高200MB/秒 最高40K IOPS 最高40K IOPS -40°C - 85°C 11.5mm x 13.0mm x 1.2mm

产品概览

三星新的1TB eUFS 2.1由16颗512Gb V-NAND和新开发的三星专有控制器封装在一起，尺寸大小11.5mm x 13.0mm。用于满足下一代高端智能型手机、高端平板、5G手机等移动设备产品对容量需求的增长。

性能方面，三星eUFS顺序读取速度高达1,000MB/s，顺序写入速度为260MB/s，相较于512GB在顺序读取速度上提高了16%；随机读取速度为58K IOPS，随机写入速度为50K IOPS，相较于512GB在随机读取速度上提高了38％。

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