WD iNAND IX EU312

基于3D NAND架构，最高读取速度可达750 MB/s ，最高写入速度可达320 MB/s。

产品分类：嵌入式 品牌：闪迪
应用领域： 智能产品 摄影摄像
产品白皮书 发布于：2018-10-24
WD iNAND IX EU312 共5个产品
型号 容量 规范 尺寸 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入 工作温度
SDINDDH6–16G-XI 16GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 最高40K IOPS 最高45K IOPS –40°C - 85°C
SDINDDH6–32G-XI 32GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 最高40K IOPS 最高45K IOPS –40°C - 85°C
SDINDDH6–64G-XI 64GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 最高40K IOPS 最高45K IOPS –40°C - 85°C
SDINDDH6–128G-XI 128GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 最高40K IOPS 最高45K IOPS –40°C - 85°C
SDINDDH6–256G-XI 256GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 最高40K IOPS 最高45K IOPS –40°C - 85°C

产品概览

西部数据iNAND IX EU312 UFS 采用64层3D TLC NAND，将UFS高传输速度与工业级高耐用性和高容量相结合，可用于边缘摄像头和智能视频。最高读取速度可达750 MB/s ，最高写入速度可达320 MB/s ，支持读写密集型应用，包括支持AI摄像机和边缘设备。总写入量768 TBW，可提供连续记录条件所需的强大耐久性水平。同时具有先进的NAND闪存管理固件，包括强大的纠错码（ECC），读取刷新，损耗均衡和坏块管理。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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