WD iNAND MC EU321

采用3D TLC，符合UFS 2.1接口协议，提供16-256GB容量选择。

产品分类：嵌入式 品牌：闪迪
应用领域： 汽车
产品白皮书 发布于：2018-10-19
WD iNAND MC EU321 共5个产品
系列 容量 规范 尺寸 速度(读) 速度(写) 工作温度
EU312 16GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 –40°C - 85°C
EU312 32GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 –40°C - 85°C
EU312 64GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 –40°C - 85°C
EU312 128GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 –40°C - 85°C
EU312 256GB UFS 2.1 11.5mmx13mmx1.2mm 最高800MB/秒 最高550MB/秒 –40°C - 85°C

产品概览

西部数据iNAND MC EU321采用3D TLC，符合UFS 2.1接口协议，提供16-256GB容量选择。可满足高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车等先进汽车系统的需求。

性能方面，读取速度最高可达800MB/s，写入速度最高可达550MB/s。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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