集成UFS和LPDDR的复合产品，释放PCB空间，助力智能设备小型化和轻薄化。
FORESEE
2022-08-09
提供4Gb、8Gb两种容量选择，传输速率2666MHz，符合JEDEC标准。
大为创芯
2022-06-17
提供2Gb、4Gb两种容量选择，传输速率1866MHz，符合JEDEC标准。
大为创芯
2022-06-17
基于高性能控制器和新世代3D NAND Flash研发，满足对高性能、低功耗、兼容性和稳定性要求。
FORESEE
2022-06-16
三星UFS 4.0使用176 层第7代V-NAND，提供 4200MB/s 的顺序读取速度和2800 MB/s的顺序写入速度
三星
2022-05-25
采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片，搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。
时创意
2022-03-25
集成SLC NAND和LPDDR4X，减少系统PCB开发时间。
康盈半导体
2022-03-01
具有高集成度的优势，节省PCB面积，解决空间不足问题，助力产品轻薄化。
康盈半导体
2022-03-01
集成了eMMC和LPDDR，减少系统开发时间，降低PCB设计难度。
康盈半导体
2022-03-01
铠侠最新UFS 3.1系列采用1Tb BiCS FLASH? 3D QLC，正在向 OEM 客户提供样品。
铠侠
2022-01-19
采用3D NAND FLASH，大幅度提高容量密度，容量可达256GB。
康盈半导体
2022-01-01
BGAE540 UE系列eMMC采用pSLC，提供5GB, 10GB, 20GB, 40GB四种容量选择。
世迈科技
2021-12-21
BGAE540 SE系列eMMC采用3D TLC，提供16GB, 32GB, 64GB, 128GB四种容量选择。
世迈科技
2021-12-21
采用96层3D NAND，适用于5G智能手机，可提供128G、256G和512G三种容量选择。
闪迪
2021-06-24
采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。
长江存储/致态
2021-04-19
