时创意(SCY)

时创意产品及业务涵盖智能手机（eMMC/LPDDR等嵌入式存储芯片），PC（SSD固态硬盘、DRAM内存模组），服务器（企业级SSD固态硬盘、企业级DRAM内存模组）三大应用场景的存储产品及移动存储产品，为全球知名半导体企业提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。

时创意存储产品

时创意eMMC
时创意eMMC

采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片，搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。

时创意 2022-03-25
时创意企业级SSD P31E
时创意企业级SSD P31E

采用3D TLC，U.2 规格形态，PCIe Gen3×4 ，提供1TB、2TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2019-07-01
时创意企业级SSD P11E
时创意企业级SSD P11E

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3×4 Key M接口，提供512GB~2TB容量选择。

时创意 2019-05-06
时创意企业级SSD P51E
时创意企业级SSD P51E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3×4 Key M接口，提供512GB~2TB容量选择。

时创意 2018-09-03
时创意工业级SSD N10I
时创意工业级SSD N10I

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2018-07-02
时创意工业级SSD M10I
时创意工业级SSD M10I

采用2D/3D TLC，mSATA 接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2018-07-02
时创意消费级SSD P20C
时创意消费级SSD P20C

采用3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 PCIe Gen3×2 M Key接口，提供128GB~1TB容量选择。

时创意 2018-05-07
时创意消费级SSD P10C
时创意消费级SSD P10C

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3 ×4 M Key接口，提供128GB~1TB容量选择。

时创意 2018-03-01
时创意企业级SSD S21E
时创意企业级SSD S21E

采用3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD N11E
时创意企业级SSD N11E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意消费级SSD N20C
时创意消费级SSD N20C

采用2D/3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD S11E
时创意企业级SSD S11E

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD M10C
时创意消费级SSD M10C

采用2D/3D TLC，mSATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD N10C
时创意消费级SSD N10C

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD S10C
时创意消费级SSD S10C

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-2TB容量选择。

时创意 2017-06-01

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多