SanDisk控侵权ITC终判创见胜诉

发布于：2009-10-27 来源：中国闪存市场

SanDisk于2007年10月24日指控创见(2451)产品侵害其专利权，2009年4月10日美国国际贸易委员会(ITC)行政法官初判SanDisk败诉，2009年10月24日美国国际贸易委员会终判SanDisk败诉。

SanDisk控侵权案宇瞻胜诉

发布于：2009-10-27 来源：中国闪存市场

SanDisk控侵权案宇瞻胜诉

中芯国际45nm制程今年12月试产

发布于：2009-10-27 来源：中国闪存市场

“中芯国际第一个45nm产品今年12月试产。”中芯国际总裁兼执行长张汝京在10月23日上海举办的第九届技术研讨会上透露，“中芯深圳的200mm生产厂今年年底将建设好，明年第一季度设备进场，安装调试，第二季度开始试...

中芯国际2009年技术研讨会在上海召开

发布于：2009-10-25 来源：中国闪存市场

中芯国际(NYSESMI)于10月23日在上海举行中芯国际2009年技术研讨会，也是中芯国际举办的第九届技术研讨会。

海力士半导体第三季度净利润达2,463亿韩圆

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

海力士半导体第三季度净利润达2,463亿韩圆，为8个季度以来首次盈利，但低于预期，营业利润增至2,093亿韩圆，销售额年增15%至2.118万亿韩圆。

海力士摆脱亏损 台系DRAM厂获利不远了

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

全球第二大DRAM厂海力士（Hynix）公布第3季(7-9月)营运转亏为盈，为两年来首度获利；台系厂商力晶(5346)宣称第四季提升产能，可望转亏为盈；

晶片价格回稳 Hynix第3季由亏转盈

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

受惠于产业供给过剩的状况缓和，稳住了晶片价格，南韩记忆体大厂HynixSemiconductorInc.(000660-KR)上一季为2年来首度转亏为盈，本季获利亦可望创下3年来新高。

Hynix两年来首度转亏为盈盘中股价走高

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

Hynix表示，Q3 DRAM价格季增26%，增幅高于前季的20%；Q3 DRAM出货量则季增12%。此外，Q3 NAND型快闪记忆体价格则季增4%。

飞索日本分公司拟出售福岛县生产设备

发布于：2009-10-22 来源：中国闪存市场

日本经济新闻报导，NOR Flash厂飞索半导体(Spansion)日本分公司计划出售位于福岛县会津若松市事业所的尖端生产设备，外传有大陆基金业者等数个买主有意竞逐。

SanDisk Q3意外由亏转盈 产业展望乐观

发布于：2009-10-21 来源：中国闪存市场

美国记忆体大厂SanDiskCorp.(SNDK-US)周二盘後公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由於销售额优於预期，以及先前减记的库存收入回补加持。