传FTC将英特尔、NVIDIA晶片组授权纠纷纳入垄断调查

发布于：2009-12-08 来源：中国闪存市场

在FTC介入下，如果NVIDIA能与英特尔开始协商，至少将为晶片组事业带来转机，而不是仅能游走在ION平台解决方案小众市场，藉由反垄断压力，NVIDIA需紧抓此次机会，一旦错失机会将确定由英特尔主流平台中消失，加上...

力成11月营收创新高

发布于：2009-12-08 来源：中国闪存市场

力成表示，DRAM和Flash需求不俗，提振营收向上续扬，目前看来，12月接单与11月差不多，虽不敢断言一定会再创新高，仍有机会仍维持与11月差不多的高档水平。

三星使用Rambus技术制造芯片

发布于：2009-12-08 来源：中国闪存市场

据南韩媒体Korea Times报导，南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)将使用美国芯片设计业者Rambus的专利技术制造芯片，再次验证商场上无永远的对手及朋友。

英特尔进军绘图芯片市场概况

发布于：2009-12-08 来源：中国闪存市场

英特尔(Intel)于1997年收购绘图芯片大厂Chips And Technologies，取得2D绘图核心技术，并更名为CHIPS，1998年2月宣布首度进军绘图芯片市场，推出「i740」，其采用0.35微米制程、HyperPipelined 3D架构

珠海炬力2009年Q4净亏损110万美元

发布于：2009-12-08 来源：中国闪存市场

珠海炬力第四季度营收为790万美元，低于去年同期的1610万美元，低于上一季度的1340万美元;净亏损为110万美元，上一季度净亏损为60万美元，去年同期净利润50万美元。

NAND Flash不振　群联、安国11月营收均衰退

发布于：2009-12-07 来源：中国闪存市场

主要受到NAND Flash市场需求不振价格走跌影响，期望中国农历年需求出笼后，报价可望回升。由于现阶段Flash报价仍处于跌势，主流16G报价1个半月来跌幅将近 27％，群联库存回补动作维持保守观望态度，不过圣诞节消...

金士顿内存、闪存将部分外包生产

发布于：2009-12-04 来源：中国闪存市场

金士顿联合创始人孙大卫(David Sun)近日表示，为了提高DRAM内存模组和NAND闪存设备的供应量，金士顿计划将部分产能外包给台湾品安(Panram)和华泰电子(OSE)。

PCM将现身学术会议　独欠一味？

发布于：2009-12-04 来源：中国闪存市场

非挥发性记忆体供应商恒忆(Numonyx)一直对其相变化记忆体(phase-change memory，PCM)技术守口如瓶，让人不满的程度甚至达到必须在签署保密协定的前提下，才提供相关技术规格表。而随着Numonyx把相变化记忆体带进...

慧荣公布Q3营收成长14%　产品出货量成长24%

发布于：2009-12-03 来源：中国闪存市场

慧荣科技(Silicon Motio)公布09年第三季营收约2,300万美元，较第二季成长14%。单季总出货量6,700万颗，较前一季成长24%。

英特尔宣布32纳米芯片本周开始大批量生产

发布于：2009-12-03 来源：中国闪存市场

12月2日消息，英特尔(博客)公司今天宣布32纳米芯片本周开始大批量生产，这一声明标志着32纳米技术芯片进入成熟实用阶段，英特尔也借此稳固其在半导体行业中的地位。