旺宏启动150亿元联贷

发布于：2010-07-20 来源：中国闪存市场

景气回春，包括NEW FLASH等在内的零组件供不应求，使DRAM大厂的大型联贷案再度点火，联贷需求已不只是为周转，而升格为资本性支出。

扬智逆势中迈向填息 今收51.8元

发布于：2010-07-19 来源：中国闪存市场

联发科(2454)旗下IC设计子公司扬智(3041)今除息日，在台股大盘震荡中，逆势上扬迈向填息之路。扬智今早盘中最高价52元，临近52.6元填息价位。

禾伸堂转投资GSI 三星电子迟早会退出SRAM市场

发布于：2010-07-19 来源：中国闪存市场

据悉，高速静态随机存取记忆体(High Speed SRAM)供应商GSI Technology Inc.表示三星电子(Samsung Electronics)迟早会退出SRAM市场，GSI应该可以从中取得一定比例的市占率。

华泰以债作股增加OSE USA,INC.投资

发布于：2010-07-16 来源：中国闪存市场

由于华泰(2329)拥有子公司OSE USA,INC. 金额约3576万美元庞大债权，巨额应收帐款一直挂在华泰会计帐面上。有监于此，金管会函知华泰改善。

DRAM报价挫跌和券商看衰Q4获利 海力士股价早盘大跌近6%

发布于：2010-07-16 来源：中国闪存市场

全球第二大记忆体晶片供应商海力士半导体股价周五早盘一度大跌近6%，创下自5月17日近九周来单日最大跌幅。除了受到7月DRAM价格已跌了超过2%的影响外，据最新研究报告称，该公司获利在第三季触顶后，在第四季开始...

矽品下半年铜打线制程转移进程放缓

发布于：2010-07-16 来源：中国闪存市场

据矽品(2325)最新研究报告指出，为反应几个亚洲IC设计、PC相关零组件等客户订单减缓，预期矽品下半年将放慢铜打线制程转移的进程，而目前铜打线制程转移速度已放缓，铜打线制程九月前仅成长7-8%。

飞索NOR Flash事业

发布于：2010-07-16 来源：中国闪存市场

由于飞索陷入破产保护的泥淖，因此恒忆(Numonyx)和旺宏反而是此事件的最大受益者，其中恒忆受益于手机相关的NOR Flash客户，旺宏则受惠扩大NOR Flash在消费性电子产品的版图。

旺宏华邦 赚转单效益

发布于：2010-07-16 来源：中国闪存市场

前编码型闪存（NOR Flash）龙头飞索日本两座晶圆厂将退出NOR Flash生产、卖给德仪（TI），将使全球供应瞬间减少逾一成，让已大缺货的市况雪上加霜，价格恐持续飙涨，台湾旺宏（2337）、华邦（2344）将受惠。

德仪收购飞索日本两座晶圆厂 类比营收将大幅扩增

发布于：2010-07-15 来源：中国闪存市场

德州仪器(Texas Instruments Inc.)于14日美国股市盘后宣布，该公司将买下位于日本福岛县会津若松市(Aizu-Wakamatsu)厂区的两座半导体厂以及相关生产设备。

安国Q2营收优于预期 Q3业绩挑战新高

发布于：2010-07-15 来源：中国闪存市场

安国（8054）自结6月营收约1.98亿元，比5月小增1.31％，年成长25.57％，第2季单季营收6.19亿元，季增32.35％，优于预期，并创下单季历史新高。昨日价量齐扬攻上涨停。