力成苏州厂营运近况

发布于：2010-07-02 来源：中国闪存市场

苏州厂目前产能约1,600万~2,000万颗，产能利用率约30%，单月营收贡献约200万美元。虽然产能利用率低，但因大部分机台的折旧已提列得差不多，故现阶段营运已达损益两平。

群联6月营收升温　2Q获利持盈保泰

发布于：2010-07-02 来源：中国闪存市场

NAND Flash大厂群联6月营收可望开始升温，预计可较5月小幅成长至新台币24亿元，整体第2季营收75亿~76亿元，较第1季营收80亿元小幅衰退，但获利部分则是持盈保泰，市场看好群联第2季每股税后获利可维持2.5元以上水...

正崴入主劲永 劲永股价跳空涨停

发布于：2010-07-01 来源：中国闪存市场

正崴精密昨日宣布斥资9.31亿元入股DRAM模块厂劲永，可望取得约16％股权，跃升为劲永第一大股东，其中正崴除了斥资3.18亿元认购劲永1.74万张私募现增股之外，亦买下劲永大股东志得投资100％股权。

美光财报利多出尽 DRAM弱势

发布于：2010-06-30 来源：中国闪存市场

美国记忆体晶片大厂美光（Micron）上季财报亮丽，并且为连续三个季度呈现获利，但周二股价大跌逾13%，主要是投资人担忧下季获利减缓。国内DRAM厂今日股价表现也跟进下跌。

力成客户需求强劲 产能逼近满载

发布于：2010-06-27 来源：中国闪存市场

内存封测厂力成科技（6239）与联电及尔必达共同宣布合作案，将针对包括28奈米先进制程，进行3D IC整合开发，其中又以直通硅晶穿孔（TSV）技术作为合作重点。

群联Q2营收估季减5% 获利可望维持

发布于：2010-06-25 来源：中国闪存市场

在苹果iPhone 4热卖下，有助刺激储存型快闪记忆体(NAND Flash)需求增加，将提振市场信心，群联下半年业绩应可随着旺季来临回升，表现将优于上半年。

海力士:美国对其操纵芯片价格的处罚对其影响极小

发布于：2010-06-25 来源：中国闪存市场

韩国海力士半导体公司25日称，美国对其涉嫌操纵芯片价格做出处罚对其影响有限，相关罚款将在两年内支付，该公司已经为支付罚款拨备了相关资金。

矽品上调资本支出为210亿元 调幅达45%

发布于：2010-06-24 来源：中国闪存市场

半导体封测二哥矽品（2325）昨（24）日董事会通过，将今年资本支出由原订的约145亿元，大举上调到210亿元，增幅高达45%，将用来强化铜制程布局。

旺宏3D Flash研究获国际肯定

发布于：2010-06-24 来源：中国闪存市场

存储器制造厂旺宏电子今天宣布，3D(3维)储存型快闪存储器 (NAND Flash)技术研发成果获VLSI评选为重要焦点论文。

旺宏将发表3D记忆体研发成果 总座亲自出席

发布于：2010-06-23 来源：中国闪存市场

日前力成(6239)、尔必达以及联电(2303)正式宣布携手展开3D IC之TSV技术合作，NOR Flash大厂旺宏电子(2337)也将于6月24日由总经理卢志远亲自举行3D记忆体研发成果记者会。