英特尔下修资本支出至110-116亿美元

发布于：2012-10-18 来源：中国闪存市场

英特尔宣布下修2012年资本支出至110亿到116亿美元，加上明年度PC市况不明，法人认为，若台积电顺利抢到苹果大单，明年资本支出有机会达到百亿元，拉近与英特尔间的资本支出规模差距。

英特尔开工率降至50%以下 明年进军14纳米工艺

发布于：2012-10-17 来源：中国闪存市场

史密斯透露，降低产能的做法将降低5亿美元的运营成本，第四季度的资本开支也将缩减到113亿美元。此外，针对毛利率下滑，史密斯表示，公司将大力减少库存。

Micron 20纳米NAND闪存提高Skyera的最高容量

发布于：2012-10-17 来源：中国闪存市场

Micron今日宣布推出存储行业中另一个全新的里程碑产品 – 将其20纳米NAND闪存存储介质集成到高耐用、高容量的企业级系统中。

擎泰新旧产品交替期 营运持续亏损

发布于：2012-10-17 来源：中国闪存市场

擎泰2012年第1季营收为6.16亿元，税前和税后亏损各为2.70亿元和2.68亿元，换算每股税后亏损4.21元；第2季由于营收没有起色，且逐月下滑，因此营运仍是亏损，单季税前亏损1.7亿元，每股税前亏损2.67元。

金士顿下大单 品安Q3营收季增71.6%

发布于：2012-10-15 来源：中国闪存市场

受惠于全球记忆体模组龙头金士顿（Kingston）扩大委外下单，记忆体模组厂品安（8088）9月营收冲上3.36亿元，创下18个月来新高，第3季营收来到7.84亿元，季增率高达71.6％，远优于市场普遍预期的季增5成。

封测三雄Q3营收 矽品未达标 力成微优预期

发布于：2012-10-09 来源：中国闪存市场

内存封测厂力成(6239)公告9月合并营收为33.45亿元，月减3.8%，年增2.9%。今年Q3力成单季合并营收为106.43亿元，较Q2下滑10.6%，虽力成面对DRAM厂减产逆风，惟在闪存封测量持稳支撑下，单季营收下滑幅度小于市场原...

三星Q3营益跳增91% 优于预期

发布于：2012-10-05 来源：中国闪存市场

韩国联合通讯社报导，三星电子(Samsung Electronics Co.)5日公布2012年第3季(7-9月)初步财报：营益较去年同期的4.3兆韩圆大增90.6%至8.1兆韩圆(73亿美元)，同时也较前季跳增20.5%；

金士顿推大容量SDXC记忆卡

发布于：2012-09-28 来源：中国闪存市场

因应需求，记忆卡容量愈来愈高。金士顿（Kingston）新推超大容量SDXC Class 10记忆卡，容量加大至128GB，并强调价格合理。

东芝极致轻薄2.5寸外接硬碟正式上市

发布于：2012-09-28 来源：中国闪存市场

东芝正式推出极致轻薄CANVIO SLIM 2.5寸随身硬碟，CANVIOR SLIM超薄型携带式外接硬碟，500 GB容量加上仅仅9MM的厚度，让CANVIOR SLIM成为现今市场上最轻薄短小的携带式硬碟。

美光连5季亏损 营运成绩逊于预期

发布于：2012-09-28 来源：中国闪存市场

美国内存大厂美光科技(Micron Technology Inc.)于27日美股盘后公布2012会计年度第4季(6-8月)财报：营收年减8.3%至19.63亿美元；毛利率为11%，与上季相同，主要是拜NAND型闪存(NAND Flash)、NOR型闪存(N