联阳推出内嵌震荡器 USB3.0 U盘控制芯片

发布于：2012-11-21 来源：中国闪存市场

联阳(3014)宣布，近日推出USB3.0 随身碟控制芯片IT1181，是全球第一颗内嵌震荡器的单信道USB3.0 NAND Flash 控制芯片，而目前已在送客户端认证中，预计最快今年底可开始出货。

擎泰前10月 亏1个股本

发布于：2012-11-20 来源：中国闪存市场

IC设计厂擎泰（3555）公布前10月税前亏损6.53亿元，以公司目前股本6.49亿元来看，税前亏损已超过1个股本，公司虽积极送样新品给大股东三星认证，不过今年贡献程度尚低，预计明年第1季才进入正式量产，今年第4季不...

群联在美对PNY提出侵害专利权诉讼

发布于：2012-11-19 来源：中国闪存市场

经查PNY TECHNOLOGIES INC.于美国市场所推出之快闪记忆体产品包括USB随身碟、SD记忆卡等侵害群联 ’879及 ’267号美国发明专利，故对该公司提出侵害专利权诉讼，请求包括尚未订定金额之损害赔偿以及禁制令等之救济。

三星:Q3设备投资额创10季新低

发布于：2012-11-19 来源：中国闪存市场

根据三星18日公布的季度营运报告，2012年第3季(7-9月)该公司对设备的投资总额达到4.54兆韩圆，已连续第2季下滑，且仅达Q1投资额(7.75兆韩圆)的58%，并低于Q2的6.19兆韩圆。三星Q3的设备投资额创10季以来新低。三...

群联11-12月营收逐月小降 Q4估季减5%

发布于：2012-11-16 来源：中国闪存市场

在10月营收达28.6亿元之后，法人认为群联11、12月营收难再突破10月成绩，估将出现逐月小幅滑落状况，预期群联Q4营收较Q3的86.94亿元季减5%左右。

三星1X纳米工艺64GB闪存芯片面世 性能提升30%

发布于：2012-11-15 来源：中国闪存市场

三星电子正式推出了基于1x纳米（1x纳米, 10纳米级）高速NAND闪存技术开发的世界最高速64GB内嵌式存储器（eMMC,embedded Multi Media Card）。eMMC是针对目前日益扩大的智能手机、平板电脑等移动设备市场而推出的...

金士顿开始出货SSDNow V300系列固态硬盘

发布于：2012-11-15 来源：中国闪存市场

金士顿已经扩展了其SSDNow V300固态硬盘产品线。V300使用19纳米的NAND闪存，SATA 6Gbps接口，采用了LSI的SandForce 2281闪存控制器。与今年年初发布的SSDNow V+200类似，V300能够达到450MB/s的顺序读

创见10月营收今年新高 估本季营收/获利攀升

发布于：2012-11-08 来源：中国闪存市场

创见表示，近期虽因产业面临价格巨幅变动与供货不足等负面消息影响，厂商都面对巨大挑战，而创见因采品牌经营获供货商支持，供货稳定，减少因市场突发性供货疑虑与价格波动之影响。

传三星明年计算机内存投资将砍半 专注库存去化

发布于：2012-11-08 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics)考虑将明(2013)年的计算机内存投资额砍半，预期仅会达到7兆韩元(64亿美元)左右，主因库存去化已成为该公司的首要考虑。这是三星四年来规模最小的计算机内存投资额，其2009年的投资...

力成续探底 DRAM市场最快明年首季反弹

发布于：2012-11-08 来源：中国闪存市场

力成(6239)由于第3季财报不如预期，后市展望也令外界忧心，导致近日股价跌跌不休，持续向下探底，今天台股走势疲软，使得力成在盘中一度跌破40元整数关卡，跌幅达到2%以上，为盘面上相对弱势个股，再创2008年11月...