SK海力士拓展晶圆代工 拼产CMOS

发布于：2016-10-27 来源：MoneyDJ

南韩存储器大厂SK海力士，今年靠DRAM、NAND赚饱饱，不过该公司并未就此放松，还打算拓展版图，抢攻晶圆代工业务，锁定CMOS影像传感器、显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等。

南亚科：Q4市况供不应求 DRAM报价估上涨5%

发布于：2016-10-27 来源：MoneyDJ

DRAM厂南亚科昨(26)日举行法说会，展望第四季，南亚科总经理李培瑛对市况乐观看待，认为第四季供不应求的情况比第三季更严重，且标准型、消费型、服务器与手机用存储器都会出现供给缺口，并预估第四季DRAM平均报...

东芝推出新eMMC和UFS 2.1嵌入式存储芯片

发布于：2016-10-26 来源：中国闪存市场

东芝最新的‘Supreme+’eMMC是基于JEDEC5.1标准，采用了15nm MLC NANDFlash，其存储容量范围为16GB-128GB，顺序读写速度分别高达320MB/s和180MB/s，与之前的产品相比，读写速分别提升了2%和20%；随机读写

三星致力提升64层3D NAND Flash生产良率

发布于：2016-10-26 来源：DIGITIMES

据韩媒News 1报导，业界传闻三星副会长权五铉下令，年底前必须尽全力提高64层3D NAND Flash生产良率。三星将兴建中的平泽半导体厂产线取名为L18，规划从2017年第2季开始量产第四代64层3D NAND Flash，2017年第4季...

SK海力士Q3净利润5.26亿美元，环比增长一倍

发布于：2016-10-25 来源：中国闪存市场

SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报，数据显示其总营收为4.24兆韩元（约37.32亿美元），环比增长8%，同比下滑14%；营业利润为0.726兆韩元（约6.39亿美元），环比增长60%，同比下滑48%；净利润为0.5...

3D SSD添新兵，创见推SSD230系列3D SSD

发布于：2016-10-24 来源：中国闪存市场

随着2D技术发展瓶颈的凸显，2016年Flash原厂三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产，且3D技术向64层堆叠推进，标志着3D NAND时代已正向我们走来。

三星推出业内首款10纳米级8GB LPDDR4

发布于：2016-10-20 来源：中国闪存市场

随着智能型手机主芯片CPU规格不断提升，手机对存储速度和容量的要求也在不断增加。三星今天宣布推出业内首款10nm 级8GB LPDDR4移动DRAM，这款8GB LPDDR4芯片是将4颗最新16Gb颗粒封装在一起，并采用了先进的10nm级...

SK海力士与美史丹佛大学携手研发类人脑半导体元件

发布于：2016-10-20 来源：DIGITIMES

SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作，将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件，期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度，加速人工智能(AI)时代来临。

英特尔Q3财报：净利润34亿美元，同比增长9%，环比增长162%

发布于：2016-10-19 来源：中国闪存市场

英特尔公布第三季度财报。英特尔第三季度营收为158亿美元，较去年同期的145亿美元增长9%；净利润为34亿美元，较去年同期的31亿美元增长9%，较上一季度的13亿美元增长162%。

创见估Q4出货量可续升 Q3难避台币升值影响

发布于：2016-10-17 来源：MoneyDJ

受到存储器原厂涨价，创见拟持续进行采购和存货策略调整，减少缺货与原物料价格急遽反转带来的冲击，而以近期来看，下半年虽为消费性电子旺季，但需注意台币升值对汇兑损益的影响；Q4出货量则仍可持续上升。因应...