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据韩媒News 1报导，业界传闻三星副会长权五铉下令，年底前必须尽全力提高64层3D NAND Flash生产良率。三星将兴建中的平泽半导体厂产线取名为L18，规划从2017年第2季开始量产第四代64层3D NAND Flash，2017年第4季产能可达6万片。

最早三星决定兴建平泽工厂时，计划将生产10纳米级DRAM和NAND Flash，如今市场NAND Flash需求激增，三星计划提前开始量产NAND Flash。三星高层也表示，平泽工厂的各项规划是为了往后30年存储器市场需求而准备。最近服务器及资料中心的固态硬盘(SSD)需求激增，市场规模以等比级数的速度成长，正在逐渐取代传统硬盘(HDD)固态硬盘。

三星加快提高64层3D NAND投产量，除了满足快速增长的市场需求，还因为东芝、美光、SK海力士都在积极备战3D NAND，而且都将在2017年提高到64层3D NAND量产，这让三星领先的地位受到威胁，但业界认为东芝如期达成目标的可能性低，所以三星必须加快提高64层3D NAND产量，抢占先机，稳固在NAND Flash市场的地位。

三星在平泽工厂的第一阶段投资规模为15.6兆韩元(约137亿美元)，堪称史上金额最高的投资计划，预定2017年完工。目前华城Fab 17产线正进行3D NAND Flash产线增设，未来华城Fab 17与平泽Fab 18两条产线总共产能可达到32万片。

目前三星在全球固态硬盘市场以37%占有率位居第一，3D NAND基于容量和成本优势，将会优先用于固态硬盘上，三星计划在其它竞争者建立起量产体系前抢先称霸市场，类似先前在DRAM市场取得胜利的竞争策略。

韩国业界表示，三星最早投入3D NAND生产，三星已用这项产品取得超过40%的营业利益率，短期内无人能够超越，独占市场的大好机会正摆在三星眼前。