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据业内人士消息称，三星位于韩国平泽(Pyeongtaek)的Fab 18工厂，预计将在Q3出货，其用于生产最新第四代64层3D NAND。据悉，三星平泽Fab 18工厂从2015年5月开始建造，耗资150亿美元，预估初期阶段3D NAND每月Wafer投片量为7-8万片，未来每月总产能可超20万片，将成为三星重要的存储器生产基地。

▲ 三星Fab工厂分布

三星最早在2013年以24层投入3D NAND生产，2016年主要量产32层和48层3D NAND，3D NAND产能的占比已达35%以上。随着三星在2017年提高64层3D NAND产量，再加上平泽厂在Q3正式出货，预计三星3D NAND产能占比将超过50%。

除了三星3D技术在2017年提升到64层量产，NAND Flash第二大供应商东芝已在2017年初宣布其最新的BiCS（Bit Cost Scaling架构）64层 512Gb 3D NAND开始送样，预计下半年大规模量产。另外，东芝除了改建的Fab 2工厂会逐步提高产量，还在日本四日市开始新建Fab 6工厂和研发中心，预计2018年完成1期工程。

▲ 东芝Fab 6工厂将在2018年完成1期工程

SK海力士刚刚在4月10日宣布推出72层256Gb 3D TLC NAND，较48层3D NAND读写性能提高20%，规模量产后生产效率可提高30%以上。SK海力士计划新建的存储器工厂M15，将在2017年8月动工，2019年6月之前完成洁净室的装备，主要用于生产3D NAND。

美光3D NAND制程规划，除了提高32层3D NAND量产比重，其64层3D NAND将在2017年Q2开始量产，预计Q3中旬开始出货，到2018年初通过64层堆叠技术有望将容量提高到128GB。另外，英特尔已推出了基于3D Xpoint的SSD，美光也会积极推动3D Xpoint技术在数据中心领域带来的营收价值。

▲ 美光技术成本比较

由于2D NAND制程瓶颈的凸显，3D NAND技术已成为NAND Flash发展的重要转折点，同时也是各家Flash原厂稳固NAND Flash市场地位的关键。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2016年三星NAND Flash市场市占率为36%，东芝21%，SK海力士12%，WD SanDisk 15%，美光13%，英特尔3%。

▲ Flash技术发展

▲ 2016年NAND Flash市场占有率

以目前情况而言，2017上半年三星、东芝、SK海力士、美光等纷纷抢进64层/72层投产3D NAND，原厂之间新一轮3D NAND技术竞争可谓越演越烈，下半年三星Fab18新工厂将投入生产，东芝Fab 2、美光Fab 10x、SK海力士M14也都将提高生产比重，预计各家3D NAND将陆续扩大产出，而3D NAND产能的释放也将对市场造成影响。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket分析，2017年初NAND Flash市场虽然受供货紧缺影响，消费类NAND Flash每GB销售价格已超过0.3美金，基本涨回3年前的价格水平，但在高成本因素下，对厂商和市场需求已造成很大影响，尤其是消费类SSD市场，很明显减缓了市场普及的速度。

随着原厂3D技术的快速发展，以及新工厂在投入生产，2017下半年3D NAND产能的释放虽然能缓解市场供货紧张的局面，但是在各家3D NAND资源倾巢出笼的冲击下，若市场不能及时消耗掉增加的3D NAND产能，将很可能出现供过于求，尤其是在Q3需求旺季过后，Q4市场将面临很大的挑战，业内人士需谨慎观察，保守以待。