英特尔CEO科再奇辞职后将获3800万美元补偿金

发布于：2018-06-22 来源：凤凰科技

据路透社北京时间6月22日报道，在被调查发现与一名女员工有染而违反公司政策后，英特尔CEO科再奇（Brian Krzanich）周四宣布辞职，并立刻生效。这位美国头号芯片厂商的掌门人，是最新一位因为不当关系而丢掉工作...

三星推出NF1规格NVMe SSD：容量8TB

发布于：2018-06-21 来源：中国闪存市场

三星宣布推出业界最高容量NVMe SSD： 采用NGSF（NF1）规格形态，容量可达8TB,主要用于下一代数据中心和企业服务器系统中的数据密集型分析和虚拟化应用。

美光Q3净利同比增132%，96层3D NAND下半年量产出货

发布于：2018-06-21 来源：中国闪存市场

美光发布截至2018年5月31日的2018财年Q3财报：营收77.97亿美元，同比增长40.1%，环比增长6.1%；按照GAAP会计准则，净利润38.23亿美元，同比增长132.2%，环比增长15.6%，每股摊薄收益3.1美元；按照非GAAP会计准则...

东芝推出SAS接口RM5系列SSD：最大容量7.68TB

发布于：2018-06-20 来源：中国闪存市场

东芝存储美国公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）推出全新SAS接口RM5系列SSD，预计将取代服务器应用中的SATA接口SSD。

三星因侵犯一大学专利技术 被判支付罚金4亿美元

发布于：2018-06-19 来源：环球网

6月16日，据彭博社报道称，德克萨斯州联邦陪审团日前作出一项裁决，三星电子因侵犯韩国技术学院(Korea Advanced Institute of Science and Technology)一项专利技术，为此需向后者支付高达4亿美元的赔偿。

英特尔试量产5G芯片，iphone今年新机将采用

发布于：2018-06-15 来源：MoneyDJ

日经新闻报导，英特尔副总裁Asha Keddy表示，5G数据机芯片XMM 7560已进入试量产阶段，该芯片将用于苹果今年发布的新iphone上。

传三星开始导入EUV设备，提升DRAM生产效率

发布于：2018-06-15 来源：DIGITIMES

传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发，虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM，不过也有可能先推出17纳米制程产品。

三星召开“晶圆代工论坛” 提出3纳米芯片工艺

发布于：2018-06-15 来源：中新网

据悉，SFF自2016年首次举办以来，每年都会邀请客户和合作商，并在中国、韩国、美国、日本、德国等国举办，今年也是第一次在中国召开。中国客户和“晶圆代工生态系统(Foundry Ecosystem)”合作企业约300多人参加本...

东芝TMC将目标锁定数据中心存储市场，将在美国设立3个研发中心

发布于：2018-06-14 来源：DIGITIMES

据日刊工业新闻报导，现在东芝存储器(TMC)独立后，决定在美国设立研发据点，锁定的商机是数据中心与服务器的NAND存储器需求。

浦科特并联四块M9Pe SSD：读取狂飙6.5GB/s

发布于：2018-06-14 来源：快科技

浦科特称之为“M9Pe Extreme”，和同类产品最大不同是有一颗Marvell 88NR2241 PCI-E桥接芯片，一端支持四个PCI-E 3.0 x4，正好连接四块PCI-E 3.0 x4接口的M9Pe M.2 SSD。