SK海力士发布4D NAND：96层堆叠512Gb TLC

发布于：2018-08-08 来源：中国闪存市场

SK海力士宣布推出业界首款4D NAND，采用CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型），存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND的外围电路（PUC，Peri.Circuits）架构，可缩小芯片面...

群联最新UFS 3.0控制芯片PS8317为5G手机备战

发布于：2018-08-08 来源：群联电子

作为NAND Flash控制芯片解决方案厂商群联电子在2018 FMS展示多项控制芯片及储存解决方案，其中符合近期笔电厂扩大SSD渗透率的入门级SSD控制芯片PS5008-E8T、以及为5G旗舰智能型手机备战的高阶UFS 3.0控制芯片PS83...

慧荣发布企业级PCIe NVMe SSD主控：SM2270

发布于：2018-08-07 来源：快科技

慧荣(Silicon Motion)发布企业级和数据中心级PCIe NVMe SSD主控，型号“SM2270”。

长江存储3D NAND架构Xtacking™或用于64层NAND

发布于：2018-08-07 来源：中国闪存市场

2018年8月6日，作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市...

三星大规模生产QLC SSD，最高容量4TB，TB SSD的时代

发布于：2018-08-07 来源：中国闪存市场

三星今天宣布开始大规模生产基于QLC（4-bit）SATA SSD，该新SATA SSD基于64层1Tb QLC V-NAND，搭载了32颗芯片，最高容量高达4TB，具有TLC SATA SSD一样的性能水平，提供540MB/s的读取速度和520MB/s的

Intel正式宣布首款QLC SSD

发布于：2018-08-07 来源：快科技

Intel近日公布了未来的数据中心级SSD产品线规划，尤其是首次披露了基于QLC闪存的新款SSD的诸多技术细节。

三星刘承鑫：2020年NVMe SSD出货量将超SATA SSD

发布于：2018-08-06 来源：ZOL中关村在线

针对三星固态硬盘产品在用户群体与技术阵营方面的问题，三星电子大中华区品牌存储事业部产品经理刘承鑫先生为我们做出了详细的解答。

Intel 10nm跳票 代工业务恐要缩水

发布于：2018-08-06 来源：快科技

目前对于Intel的处理器产品来说，最大问题并不是AMD锐龙在后边一路追赶，而是自家的10nm工艺跳票几年了就是无法实现稳定量产。无论对于Intel自己，还是代工客户，这都是个大麻烦，最新消息称Intel将会缩减代工业务。

东芝存储器96层3D NAND将在Q4扩大出货，与三星正式交锋

发布于：2018-08-03 来源：中国闪存市场

随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，NAND Flash市场霸主之争...

英特尔将推出基于QLC NAND的DC 660P系列SSD

发布于：2018-08-02 来源：中国闪存市场

随着3D NAND技术的发展，美光基于先进的QLC 3D NAND架构推出5210 ION系列SSD，并已对战略合作伙伴出货，预计今年秋季将会扩大供货。