三星宣布完成5nm EUV工艺研发，华城新EUV产线明年投产

发布于：2019-04-16 来源：中国闪存市场

三星电子宣布完成5nm FinFET工艺开发，并已开始给客户送样。与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创新的标准单元架构。

日月光Q1营收虽然季减超20%，但3月封测接单已见复苏

发布于：2019-04-16 来源：中国闪存市场

受半导体市场需求淡季，以及苹果去化智能型手机芯片库存影响，封测大厂日月光投控封测及EMS业务表现同步较上季下滑，第一季合并营收888.61亿元（新台币，同下），较上季减少22.1%，表现略低于市场预期。

前提条件未达成，新奥股份叫停收购东芝美国LNG公司

发布于：2019-04-16 来源：中国闪存市场

新奥生态控股股份有限公司（新奥股份，600803）宣布，受制于重大资产收购的多项前提条件未能达成，终止购买东芝美国液化天然气（LNG）公司100%股权。根据相关约定，新奥股份不承担相应的违约责任。

长电科技更正2018年业绩：净利润同比下降377%

发布于：2019-04-15 来源：中财网

长电科技公告，经财务部门再次测算，预计2018年年度实现归属于上市公司股东的净利润为-95,000万元左右，与上年同期（法定披露数据）相比下降376.69%。

拉开存储国产化大幕！长江存储今年或将量产64层3D NAND

发布于：2019-04-15 来源：中国闪存市场

如果长江存储能够在今年年底成功批量生产64层NAND Flash，那么与三星的技术差距将大幅缩小至两年左右。

抢占AI、5G先机，日月光2019年招募近千名工程师

发布于：2019-04-15 来源：中国闪存市场

日月光集团高雄厂开出逾 200 名职缺，包括制程工程师、IT 工程师、自动化工程师等，除了本次招募之外，配合下半年扩厂需求，总计今年将招揽近千名工程师。

无锡SK海力士二期工厂18日竣工，月产18万片12英寸Wafer

发布于：2019-04-12 来源：中国闪存市场

SK海力士总投资86亿美元的无锡二工厂项目将于本18日正式举行竣工仪式。竣工后主要用于生产先进的10nm级DRAM技术，预估每月可生产18万片12英寸Wafer。

威刚推出UV350 USB闪存盘：采用USB 3.1接口

发布于：2019-04-12 来源：中国闪存市场

威刚发布UV350 USB闪存盘，采用USB 3.1接口，即插即用，可向下兼容USB 2.0。提供16-64GB容量选择。

英特尔解说，Optane+QLC的H10 M.2 SSD有何独特

发布于：2019-04-11 来源：中国闪存市场

英特尔宣布推出采用Intel Optane+QLC技术的Optane memory H10产品，这是一种创新存储产品，是将Intel Optane技术的高性能优势和和Intel Quad Level Cell（QLC）3D NAND技术的高存储容量优势..

虽DRAM及NAND价格双跌，宜鼎Q1营收仍季增6.9%

发布于：2019-04-11 来源：中国闪存市场

宜鼎第一季虽然遇到存储器跌价压力，但因库存调整得宜及出货回稳，合并营收季增6.9％达19.25亿元（新台币，下同）。