三星推出一系列新型存储方案：涉及UFS4.0、PB级存储、智能存储等

发布于：2022-08-04 来源：网络

三星推出了一系列新型存储技术，分别在数据移动、数据存储、数据处理和数据管理四个方面推动大数据时代的技术进步。

美光LPDDR5和UFS 3.1产品已被应用于理想L9

发布于：2022-08-03 来源：美光科技

理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术，以确保整体系统的稳健性，并缩短系统启动时间。

Solidigm正式推出PCIe 4.0 固态盘Solidigm™ P41 Plus

发布于：2022-08-03 来源：solidigm

Solidigm P41 Plus 采用144层3D NAND，支持M.2 2280的外形规格，并为消费者提供512GB、1TB和2TB三种容量选择。同时，这款产品具备广泛的设计灵活性，将会向OEM厂商提供2230和2242两种尺寸规格。

慧荣科技于2022年闪存峰会上展示专为数据中心、笔记本电脑和车载应用打造的尖端存储解决方案

发布于：2022-08-03 来源：慧荣科技

NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技宣布将于8月2日至4日在美国加州圣塔克拉拉举行的闪存峰会展示一系列专为数据中心、笔记本电脑、车载和工控应用打造的SSD主控芯片及SSD解决方案。

群联推出企业级PCIe Gen4 SSD解决方案X1：更低功耗，更高性能

发布于：2022-08-03 来源：PHISON

X1可客制化企业级SSD平台以更少的功率消耗提供更多的运算效能。在使用相同功率的情况下，与现有市场竞争对手相比，X1的数据读取效能增加了30%以上，是一款突破效能瓶颈，并且提供高服务质量 (Quality of Service;...

SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

发布于：2022-08-03 来源：SK海力士

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

佰维存储推出半导体封测“Factory Tour”开放日

发布于：2022-08-01 来源：佰维存储

“暑气”恰浓，佰维存储面向10-18岁青少年，推出半导体封测“Factory Tour”开放日。8月6日，佰维存储诚邀您和您的飞扬少年，一同揭秘“存储芯片”诞生背后的故事。

佰维存储参展全球闪存峰会FMS2022：全面展示智能终端存储、工业级存储和消费级存储产品

发布于：2022-08-01 来源：佰维存储

此次亮相，佰维将全面展示旗下智能终端存储、工业级存储和消费级存储产品，并向客户分享存储技术创新与成功应用案例。

美光表示有意扩大美国存储制造投资

发布于：2022-08-01 来源：网络

预计美光将在未来几周内分享有关其计划的更多细节。

SK海力士开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL内存样品

发布于：2022-08-01 来源：SK海力士

SK海力士宣布已开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL（Compute Express Link）内存样品，加强其在下一代内存解决方案市场的影响力。样品的外形尺寸为EDSFF (Enterprise & Data Center Standard Form Factor) E3.S，...