此次考虑调整投资节奏，业界分析称是由于半导体市况回暖速度不如预期，且晶圆代工产线稼动率大多由客户订单决定，因此在客户投资推延的背景下，三星很可能会调整投资节奏。

专家预测，如果在安装TEL演示机后评估结果良好，三星电子的氧化蚀刻设备份额将发生较大变化。据了解，在三星电子3D NAND闪存生产过程中，沟道孔的钻孔工艺将采用TEL混合氧化物刻蚀设备。

美光在会谈上表示，为了量产下一代DRAM、将扩大对广岛工厂的投资；英特尔表示，在后段制程上、将扩大和日本芯片设备商的合作；三星表示将在日本设立后段制程的研发投资中心；应用材料表示，将和日本官民半导体企业Rapidus加强合作；正在熊本县兴建工厂的台积电也表示、将进一步扩大在日本的投资。

小池淳义表示，通常大规模量产先进工艺需要至少1000名工程师，但他们引入了AI和自动化技术，现在有500名工程师了，用一半的资源就能完成。

据韩媒报道，据业内人士透露，三星电子设备解决方案（DS）部门近日以涉嫌泄露包含关键技术的文件为由解雇了工程师A，并要求国家有关部门进行调查。

据日媒报道，据两名参与会议筹备的消息人士透露，日本首相岸田文雄计划18日与台积电、三星等在内的全球半导体公司高层会面，希望这些海外芯片商能够积极赴日投资。

今后3年期间(2023年度-2025年度)的设备设资额最高将达8,500亿日圆，其中的4,000亿日圆将用于半导体相关事业，对半导体的投资规模将达此前3年间(2020年度-2022年度)的2.3倍水准，将用于扩增IC基板、半导体制造设备用陶瓷零件产能。

2023年第二季度，包括 IC 销售和硅晶圆出货量在内的行业指标（均部分受到季节性因素的支持）表明环比有所改善。然而，尽管有所增长，但库存增加继续抑制硅晶圆出货量，晶圆厂利用率仍远低于去年的水平。

中芯国际在业绩说明会上表示，二季度，公司收入和产能利用率预计有所恢复，急单主要是来自12英寸特别是40纳米和28纳米的新产品。

随着存储市场销售价格的持续下跌，库存价值正在下降。三星电子仅在第一季度就遭受了 2.512 万亿韩元（18.8 亿美元）的库存资产估值损失。

日本经济新闻14日报道称，三星电子将在日本横滨投资超过300亿日元建设半导体试产线。预计将招聘数百名新员工，目标是2025年开始运营，日本政府对三星电子的半导体资本投资补贴将超过100亿日元。

得益于美国消费者对旗舰手机的需求增加，韩国智能手机对美国的出口大增126.9%，二次电池的对美出口额也同比增加22.5%，为3.9亿美元。

报道称，三星电子半导体 (DS) 部门已开始建设位于京畿道华城校区附近的“华城高性能计算 (HPC) 中心”。目前正在进行地基等基础工作，据悉，一旦建成，整栋大楼将用作数据中心。