佰维特存深刻理解工业场景对存储稳定、可靠、不间断运行的严苛要求,推出专为工业大数据传输打造的 TDP200 系列工业级 M.2 PCIe SSD。
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消息称,美国政府正在考虑采取权宜之计,根据《1974年贸易法》一项从未使用过的条款,对全球经济的大部分领域征收关税,其中包括允许在150天内征收最高15%的关税,以解决与其他国家的贸易失衡问题。
预估今年下半年至2026年,力成与多家存储原厂商合作HBM封测进展,可逐步明朗。目前力成HBM每月产能可到2,000片晶圆规模,后续将根据客户良率和制程合作需要,逐步扩大HBM封测布局。
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华邦电子强调,CUBE并非用来取代HBM,而是填补HBM与传统DRAM之间的市场空缺。以HBM3E为例,1GB产品的售价约为标准DRAM的7倍,华邦电子CUBE价格仅为其一半,同时可提供2GB、4GB、8GB等弹性容量组合,适用于不需大容量却需高带宽与低热负载的SoC应用。
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英伟达认为,失去将增长至近500亿美元的中国AI加速器市场的准入,将对未来业务产生重大不利影响。
南亚科技将在第3季前去化所有库存,加上1B制程良率提升,有利产品组合,下半年营运可望量价齐扬,力求第4季营运转盈。
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目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。
慕尼黑设计中心将于2025年第三季度开放,该中心旨在支持欧洲客户设计高密度、高性能且高能效的芯片,主要面向汽车、工业、人工智能和物联网领域的应用。
据SEMI最新报告,随着半导体前端及后端制程投资扩大,带动设备市场增长,2024年全球半导体制造设备投资额达1171亿美元,比上年增长10%。
订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前,后续则尚未明朗。
根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。
时创意步入到第四个五年的“创品”阶段。在研发投入方面,企业成立至今,时创意固定资产/研发投入累计已近15亿元;2025年各项人才发展关键指标逐步提升,技术研发人才占比提升至35%。
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双方股票自5月26日起停牌,预计停牌不超过10个交易日。若相关工作顺利推进,将实现产业链相互补充,进一步促进信息产业龙头企业发展,对信息产业格局产生较大影响。
佰维存储在COMPUTEX 2025展示了其涵盖消费级、嵌入式存储在内的多元化产品矩阵,全面展现其面向AI时代的技术创新能力和全球化品牌运营实力。
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SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。
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