全球最大NOR Flash(编码型快闪记忆体)生产商飞索(Spansion)在财务破产、股票下市后,几乎面临全面停工的状态,飞索NOR Flash全球市占率高达四成,停产效应影响市场NOR Flash供给出现短缺。

分析师表示,看好旺宏、华邦下半年的营运,飞索市占率达39%,破产后Nor Flash供需可望明显改善,价格下滑压力可望明显减缓甚至反弹,而排名第三的三星产品又以自用为主,旺宏、华邦电将可望受惠于转单效益,有助于营运提升。

第三季DDR3被记忆体各方业者认为,因为产能不足,可能导致缺货情况,因此各家大厂转进DDR3成为当务之急,然而由于龙头大厂三星半导体刻意以制程优势压制DDR3的价格,使得DDR3与DDR2价差缩小。

据国外媒体报道,加拿大知识产权公司MOSAID上周称,该公司已在位于特拉华州的美国地方法院起诉了IBM,指控后者侵犯了其6项美国专利。

台股上周五虽突破6,800点高档卖压区,但成交量未能有效放大,显示资金观望气氛浓厚。在大盘难脱整理格局下,资金开始检视季报成绩单,受到国际记忆卡厂财报佳鼓舞,台湾记忆体(DRAM)模组族群连袂大涨。

全球记忆体晶片龙头韩国三星传出下半年将投入至少1兆韩元(约折合7.9亿美元),发展DRAM与NAND Flash(快闪记忆体)技术,再度引爆记忆体业制程大战。

台塑集团南亚科技上周提出多达百亿元DRAM技术研发补助申请,台湾相关部门头痛 .

三星传出下半年将投入大笔资金发展记忆体先进制程,对于台湾DRAM厂来说,又将面临一次严峻的考验。

记忆体模组大厂表示,由于苹果(Apple)3GS销售优于预期,下半年各手机大厂都积极抢攻高阶手机市场,为维持供货平稳,对于NAND Flash原厂都开始下长单,将会有效去化目前NAND Flash产能,加上第三季旺季效应,也会支撑Flash价格,预期第三季

内存模块厂劲永(6145)宣布,推出2.5寸SATAII接口SSD S528固态硬盘,内建64MB DRAM缓冲内存,降低直接对NAND Flash读取次数,可减少因不断重复访问Flash时造成的损耗,达到延长产品使用寿命的目的。

电子产业报纸ETnews报导,三星(Samsung)电子计划今年下半年,投入8000亿韩元(约7.9亿美元)资本支出,进行40纳米DRAM,以及30纳米NAND Flash的制程扩充。

美联社报导,Lazard Capital Markets分析师Daniel Amir 16日发表研究报告指出,记忆卡巨擘SanDisk Corp.在第2季约将MicroSD记忆卡市占率提高约3%,而其获利能力也开始改善。

2009年DRAM产业景气从谷底爬出,各家DRAM厂盛行缩衣节食,日前也传出海力士(Hynix)大砍2009年的资本支出近一半,全年支出仅约16亿美元

因供需紧绷感仍强,故预估今年8月前DRAM价格仍将持续走扬。

近期包括南亚科、华亚科、力晶、华邦纷陆续启动一连串募资计划,尽管短期目标都是偿还到期帐款,然各家DRAM厂长期盘算都是希望朝全面性复工迈进,以因应DDDR3d的未来市场需求。

简讯快报

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