三星 引爆记忆体制程大战

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-07-20 09:22

 

全球记忆体晶片龙头韩国三星传出下半年将投入至少1兆韩元(约折合7.9亿美元),发展DRAM与NAND Flash(快闪记忆体)技术,再度引爆记忆体业制程大战。
相较于三星大规模投入资金发展先进制程,台湾DRAM厂目前仅南科、华亚科仍有余力投资新世代技术;力晶虽然合作伙伴尔必达(Elpida)有技术,但碍于目前财务状况吃紧,今年暂无导入新制程规划。
投信法人指出,三星现阶段财务状况最好的记忆体晶片厂,随其积极投入新制程研发,将对同业造成不小压力,尤其目前部分台湾DRAM厂面临资金水位偏低窘境,在改善自身财务结构之余,还要面对三星的技术挑战,产业后续变化值得关注。
外电报导,三星正积极规划投入40奈米DRAM制程与30奈米NAND型快闪记忆体制程技术,预计在下半南投入至少1兆韩元。
三星半导体部门总裁Kwon Oh-hyun证实,该公司确实有提高下半年资本支出的计划。不过,由于现阶段记忆体产业仍尚未脱离衰退阴霾,因此对扩充产能将持更谨慎的态度。
三星预计在24日公布第二季财报,但该公司已在本月初破天荒首度揭露第二季营运预估,估计合并营收约介于31兆至33兆韩元,合并营业利益则在2.2兆至2.6兆韩元,都比市场分析师预期来得出色。
尽管现阶段记忆体价格仍未有显著转强态势,但已有部分分析师认为市场状况将可望逐步改善。 
 

 

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